三甲基膦和环氧乙烷的加成产物裂解反应机理的MNDO法研究

文中用ＭＮＤＯ方法研究了三甲基膦和环氧乙烷加成产物裂解反应机理     

受压矩形截面柱在塑性阶段的缺陷敏感性分析

对加载到塑性阶段的矩形截面柱，本文研究了几何缺陷对屈曲的影响，在分析中考虑了弹性卸载的影响，求出了荷载、缺陷大小及分叉模态幅值之间的精确渐近关系式，结果表明在塑性阶段最大承载力对小缺陷非常敏感，但当缺陷大小达到某一值后，可能不存在最大载荷。     

600MeV ~(18)O+~(nat)Pb(厚靶)系统生成Hg同位素独立产额测量(Ⅱ)结果与分析

报道了600MeV（18）O轰击（nat）Ph（厚靶）生成的质量数在180—209之间的Hg同位素产物独立截面的测量结果．通过与600MeV质子轰击天然铅靶生成Hg同位素产额分布的比较，讨论了几个质量区段Hg同位素的生成机制．测量结果也与相对论重离子碎裂反应双质子移出道的产额分布进行了比较．结果表明，中能重离子与中子较富集靶核组成的反应系统对生成丰中子类靶余核具有较明显的优势．     

ZK—4、NaANaHS3种沸石的铝化

用高温气－固相置换法对ZK－4、NaANaHS3种沸石进行铝化。组成分析、尾气分析、X射线衍射、晶体形貌分析、红外光谱和^29Si高分辨魔角固体核磁结果表明，3种低硅铝比沸石铝化后骨架可能存在Al-O-Al键。     

负离子元素杂质破坏模型

探讨了HfO₂薄膜中负离子元素杂质破坏模型，并得出薄膜中的杂质主要来源于 镀膜材料. 用电子束蒸发方法沉积两种不同Cl元素含量的HfO₂薄膜，测定薄膜 弱吸收和损伤阈值来验证负离子元素破坏模型. 结果表明，随着Cl元素含量的增加薄膜的弱 吸收增加损伤阈值减小. 这主要是因为负离子元素在蒸发过程中形成挥发性的气源中心而产 生缺陷，缺陷在激光辐照过程中又形成吸收中心. 因此负离子元素的存在将加速薄膜的破坏 . 关键词： 负离子元素杂质 缺陷 吸收     

利用浓盐酸脱苯基方法合成混合二烃基二氯化锡

利用RSnPh3(R= Me3SiCH2、EtMe2SiCH2、Bu)和浓盐酸直接混合加热反应,合成了三种混合二烃基二氯化锡,通过IR,1H NMR和MS的测定,对产物的结构进行了表征;并探讨了反应时间、温度和浓盐酸用量对该反应产率的影响.实验结果表明,该方法与其它方法比较,具有操作简单、反应速度快、环境污染小、产率较高等特点;当四烃基锡与浓盐酸的物质的量比为1:8,在97 ℃反应7 min,混合二烃基二氯化锡的产率大于70%.     

t—BuNO二聚体在不同溶剂中裂解机理的研究

本文利用＾１ＨＮＭＲ，ＵＶ－Ｖｉｓ方法，研究了ｔ－ＢｕＮＯ二聚体在有机溶剂及水溶液中的裂解反应产物，分析了其反应的动力学，提出了在非极性的有机相中ｔ－ＢｕＮＯ二聚体为均裂反应，而在极性的水相中为均裂和异裂同时进行的竞争反应。     

SiH4激光等离子体内自由基反应动力学研究

本工作采用时间分辨的OES(Optics Emission Spectroscopy)技术,研究横向激励大气压(TEA)CO₂激光诱发的SiH₄等离子体内碎片反应动力学过程。实验结果表明,等离子体内某些碎片的发光特征谱线主峰位置明显不同。据此,讨论了各碎片的产生及反应过程。比较各碎片发光的持续时间及综合其它OES结果,我们认为SIH₄激光等离子体的最终反应通道为产生Si的通道。 关键词：     

在局部区域上的奇摄动反应扩散方程初始边值问题

本文是讨论一类在局部区域上的奇摄动反应扩散初始边值问题.利用算子理论和 不动点原理,得到了相应问题解的存在性和唯一性.