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71.
提出了一种基于模型驱动的元数据管理方案.方案采用了基于模型的形式化描述方法,统一了专业网管子系统间的元数据模式;通过引入模型驱动技术,从元模型的抽象层次消除了不同专业网管子系统之间存在的“信息孤岛”;方案还对综合网管环境下的元数据理论和交换机制进行了研究,并给出了元数据的管理框架以及元数据交换的Java接口映射. 相似文献
72.
系统分析了A≈170区正常形变带[521]1/2-中的ΔI=1颤动现象. 根据旋称伙伴带的跃迁能量提取Δ2 Eγ (I)=[Eγ(I)+Eγ(I-2)]/2-Eγ(I-1)值, 表现出旋称相关的规则上下颤动. 其颤动幅度在低自旋端约为50 keV, 而后随自旋而增大或减小, 大体呈抛物线形. 利用改进的ab公式, 提取了相关的脱耦合系数. 运用Nilsson波函数, 探讨了原子核集体哈密顿量中高阶微扰项的可能形式. 相似文献
73.
在研究大量实验曲线的基础上,指出势阱所有能级均有一定的宽度,电子或空穴在各能级中出现的概率符合正态分布,从理论上分析了I类超晶格和双势垒单势阱的发光光谱与吸收光谱·解释了GaAs/Ga1-xAlxAs多量子阱和超晶格吸收光谱吸收边及量子阱变窄时各吸收峰的“蓝移现象”及GaAs/Ga1-xAlxAs双势垒单量子阱样品的电流—电压特性曲线及电导—电压特性曲线的特征和出现的“负阻效应”· 相似文献
74.
75.
相干态是最接近经典态的量子态,而广泛研究的相干迭加态——如奇偶相干态、Schleich的镜像迭加相干态等——则显示更多非经典效应。另外,双模及多模迭加态,特别是所谓的纠缠态,在量子信息处理如量子隐形传态和量子密码术中扮演重要角色。我们就相空间中相互垂直的相干态的迭加态进行讨论,研究其非经典特性,如光子数统计分布、正交分量压缩效应、Wigner分布函数的负性以及由此引入的非经典判别子。结果表明,这一类相干迭加态在满足某种条件下具有亚泊松光子统计分布和正交分量的压缩效应,并且参数变量在一定范围内这两种非经典效应同时存在;这些迭加态的Wigner分布中存在不同程度的负值区域.并与奇偶相干态做出了比较.计算相廊的Wigner函数积分判别子可以定最地分析其负性的深度。 相似文献
76.
纠缠和非经典效应是经典理论所不能解释的非经典现象,两者是否具有关系引起了人们的研究兴趣,已有的研究表明:纠缠和压缩存在着一定关系,有压缩时存在着纠缠,但有纠缠时不一定存在着压缩。但纠缠是否与反聚束效应有关还未研究。本文主要研究了两种形式的纠缠相干态,通过concurrence的方法计算它们的纠缠度、压缩效应和反聚束效应。通过数值计算可以发现一个有意思的现象:这两种形式的纠缠相干态,在适当的条件下,有压缩效应时,没有反聚束效应,有反聚束效应时,没有压缩效应,特别是第二种形式的纠缠相干态,纠缠的大小分别与压缩效应和反聚束效应的强弱存在着一一对应的关系。 相似文献
77.
碳分子线基态特性理论研究 总被引:1,自引:0,他引:1
从第一原理出发,利用密度泛函理论B3LYP系统研究了碳分子线Cn(n=3~10)的电子结构特性.对优化结果分析发现,由于离域效应的作用,当n为奇数时,分子线基态为单重态,反之,当n为偶数时,三重态为其稳定的基态.对其电子结构分析可得,随着n的增加,体系能量逐渐降低;同时本文确定了分子线体系最高占据轨道HOMO能量EH、最低未占据轨道LUMO能量EL与n的关系式,即EHn-2<EHn<EHn+2,ELn-2>ELn>ELn+2.因而碳分子线的费米能级会表现出特有的奇偶性.该工作将有利于准确认识分子器件的伏安特性,设计出良好性能的分子器件. 相似文献
78.
载能离子穿过固体界面引起界面原子迁移使界面原子混合和物质成分变化,从而导致界面发生材料相变。简要介绍了载能离子辐照引起金属/绝缘体界面混合效应及相变现象的主要实验研究进展、低能离子和高能离子辐照引起金属/绝缘体界面现象差异,并对离子辐照引起界面混合及相变的机制进行了初步探讨。When penetrating an interface between two kind of solids, energetic ions can induce atomic diffusion at both sides of the interface and then result in intermixing, atom re-distribution or composition change, as well as phase transformation. Main progress on the study of intermixing and phase change at metal/insulator interface induced by energetic ion irradiations, the difference of phenomena occurred at metal/insulator interfaces induced by high-and low-energy ions were briefly reviewed. Furthermore, the possible mechanisms related to intermixing and phase change at metal/insulator interface produced by energetic ion irradiations were also discussed in short words. 相似文献
79.
80.