物理教学中应引入物理学方法论

 教学大纲要求物理教学要注重能力的培养。所谓能力,它包括知识和方法两方面的内容。然而,长期以来,在教学中都只重视知识,而忽视了方法。纵观物理学发展的整个过程,可以看到,物理学的发展不仅是知识不断积累的过程,也是方法不断更新的过程,所以物理学既是一门结构严谨的自然科学,又是一门带有方法论性质的理论科学。     

两个回归函数相等的Bootstrap检验

两个回归参数相等性检验一直是统计界感兴趣的问题之一．在这篇文章中，四个检验统计量被用于度量两曲线的差异，在原假设下统计量的分布采用向量数据的重复抽样来逼近，并给出了—些模拟结果．     

二次谐波系统在浑沌态下的光子统计

数值分析了调制泵浦作用下的二次谐波产生系统的浑沌动力学行为.考虑到混沌运动的遍历性,提出一种研究浑沌态光场光子统计的数值方法,即通过数值积分求解系统动力学方程估计光子数的系统平均.运用这一方法于二次谐波系统,计算了其在浑沌态下的光子统计分布,结果表明是一种超Poisson分布.     

压缩迭加态及其特性

压缩迭加态是由迭加态通过压缩系统后产生的一种辐射经典态。这种具备了Ｗｉｇｎｅｒ相空间压缩和相干迭加压缩两种机制。详细讨论了这种压缩迭加态的量子统计性质及压缩特性。     

太阳中微子失踪案和中微子振荡

 (续前)五、“中微子振荡”是物理学家的法宝按照粒子物理的标准模型,中微子质量为零,它们以光速运动。存在着3种不同类型(即3种“味”)的中微子:电子型中微子(记为νｅ),μ-中微子(记为νμ)和τ-中微子(记为ντ),它们之间彼此不相关,分别只同电子、μ轻子和τ轻子密切相关。不过,早在戴维斯等人公布首批氯探测器的探测结果的1968年,庞托科沃就提出了这3种“味”的中微子很有可能互相来回地转化,称为“中微子振荡”。在太阳内部的热核燃烧过程中产生的中微子都是νｅ。但它们在从太阳到地球的漫长行进过程中,νｅ不断地转化为νμ和ντ。     

相干态光场的位相统计性质

根据Pegg-Barnett位相定义，计算了相干态光场的位相概率分布函数，并且进行了数值模拟。研究表明在真空态时，位相分布曲线为一条直线；相干态下位相分布曲线表现为：均匀分布→泊松分布→均匀分布。     

Thermal Rate Constants of the N（^4S）＋O2（X^3∑g^-） → NO（X^2Ⅱ） ＋O（^3P） Reaction on the ^2A′ Potential Energy Surface

A quasiclassical trajectory study with the sixth-order explicit symplectic algorithm for the N（^4S）＋O2（X^3∑g^-） → NO（X^2Ⅱ） ＋O（^3P） reaction has been reported by employing a new ground potential energy surface. We have discussed the influence of the relative translational energy, the vibrational and rotational levels of O2 molecules on the total reaction cross section. Thermal rate constants at temperatures 300, 600, and 1000 K determined in this work for the reaction are 4.4 × 10^7, 1.8 × 10^10, and 3.1 × 10^11 cm^3mol^-1s^-1, respectively. It is found that they are in better agreement with the experimental data than previous theoretical values.     

Effect of Hydrogen Implantation on SIMOX SOI Materials

Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed.