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11.
12.
利用电磁理论对表面传导电子发射显示器件的单个子像素在笛卡尔坐标系内建立合理的电学物理模型,对内部电场强度和电势进行了深入研究,推导出了模型不同部分的面电荷密度、电场强度和电势的表达式.为了形象地表征其电学特性,利用MATLAB 6.5对电场强度和电势的分布情况进行了模拟,从理论上对模拟曲面给出了合理的解释,分析了子像素内部电子的发射机理和电学行为,并与电子多重散射模型和惯性离心模型进行了对比,解释了SED阳极电流形成的重要原因.在误差允许的范围内,本模型有关电场强度分布的结论与惯性离心模型一致.
关键词:
表面传导电子发射显示
遂穿效应
面电荷密度
电场强度 相似文献
13.
磁电子学器件应用原理 总被引:13,自引:0,他引:13
本文介绍几种重要的磁电子器件的基本结构和工作原理,包括巨磁电阻与隧穿磁电阻传感器、巨磁电阻隔离器、巨磁电阻与隧穿磁电阻硬盘读出磁头、磁电阻随机存取存储器、自旋转移磁化反转与微波振荡器。自旋晶体管作为未来磁电子学或自旋电子学时代的基本元素,目前大都还处在概念型阶段,本文也将对几种自旋晶体管的大致原理作简要介绍。 相似文献
14.
15.
教学研究:介绍量子力学几个基本概念——兼答《关于量子几何相位的评注》中的几个主要问题 总被引:4,自引:4,他引:0
介绍了量子绝热定理的物理含义及成立的条件,认为有关主要献(Aharonov-Anandan,Bohm,孙昌璞等)的表述是正确的,而《关于量子几何相位的评注》^[1](以下简称《评注》)相应的表述不完全正确。在此基础上,认为这些献和教材(R.Shankar)得出的涉及Berry绝热相位的一些论述(不含Berry绝热相因子的瞬时能量本征态不满足含时Schroedinger方程等)也是正确的,而《评注》的论述与此相反。《评注》认为只有γn(C)才是Berry相位。本作则倾向于把γn(t)叫做Berry绝热相位,而把γn(C)=γn(T)-γn(0)叫做几何相位(geometric phase)^[2]。 相似文献
16.
利用内径为57 mm的压缩气炮,在撞击速度为0.2~1.2 km/s(相应的靶中压力为3~15 GPa)范围内进行对称碰撞实验,以研究TC4(Ti-Al6-V4)钛合金在一维应变冲击压缩条件下的绝热剪切现象。对回收得到的受冲击样品,在扫描电镜(SEM)下进行细观金相分析。结果指出,一维应变冲击压缩条件下,TC4钛合金中绝热剪切带产生的对称碰撞速度阈值为500 m/s(相当于样品中的压力为5.87 GPa);主剪切带与冲击方向约为45°角,带上有圆形和椭圆形两种孔洞且随碰撞速度的增大而增多和长大,这是典型的韧性损伤特征。随碰撞速度增大,产生与主剪切带成15°角的支剪切带。这些与理论预言相符。X射线能谱分析结果指出,剪切带内材料发生了(α+β)→β相的转变,是典型的相变带。剪切带的温度估算与实验提供的信息吻合。 相似文献
17.
冲击载荷下剪切断裂研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用Hopkinson压杆技术对单边平行双裂纹试样倒向加载,在较大的加载率范围,对Ti6Al4V钛合金和40CrNiMoA两种材料的动态剪切断裂行为进行了研究.实验结果表明:存在两类韧性剪切断裂模式,即常规的韧性剪切型断裂和绝热剪切断裂.常规剪切型断裂模式的断裂韧性KⅡd随加载率的提高而增大,而绝热剪切型的断裂韧性KⅡd则随加载率的提高而减小,并且,当加载率增大至某一临界值时,常规的韧性剪切断裂模式将转变为绝热剪切断裂破坏模式. 相似文献
18.
19.
对理想流体一维绝热稳定流动作了讨论.对一般理想流体(可压缩或不可压缩),用两种方法推出了能量方程.在此基础上,讨论了流动可逆性及不同流体性质对流动参数的影响. 相似文献
20.
非绝热分子动力学进展 总被引:1,自引:0,他引:1
本文结合作者近年来来在光化学周环反应研究方面的工作,对非绝热分子动力学的基本理论模型和研究现关夜较全面的介绍,重点讨论经典轨迹在单分子衰变和离解、碰撞猝灭、光化学周环反应、非绝热电子转移等理论研究中的应用。 相似文献