ZnO本征缺陷的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对ZnO本征缺陷的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究。研究表明,OZn、Oi和VZn以受主的形式存在;ZnO和Zni以施主的形式存在。其中,Zni的形成能最小,因此Zni的存在正是未掺杂ZnO是n型半导体的原因。计算结果与其它研究者     

预热超声对菠萝蜜种子分离蛋白起泡性及结构的影响

采用预热超声技术改善菠萝蜜种子分离蛋白（Jackfruit Seed Isolate Protein, JSPI）起泡性,探究起泡性与结构的关系。对预热温度,超声功率,超声时间进行了优化,得到最佳条件:预热温度60℃,超声功率600 W,时间20 min。结果得出,与JSPI相比,60℃+600 W处理的JSPI起泡性增加了58.44%（P<0.05）,高于600 W（45.25%）和60℃（29.64%）。相比JSPI,泡沫稳定性没有提高（P>0.05）。SDS-PAGE凝胶电泳结果表明,600 W超声处理没有改变JSPI的分子量,60°C处理使JSPI的部分可溶性蛋白分子聚集,出现了新的蛋白条带。相关性结果表明,起泡性与JSPI的β-折叠和无规则卷曲含量成正相关。与JSPI相比,600 W,60℃,60℃+600 W处理后的荧光强度增强、表面疏水性（H0）提高,说明JSPI结构变松散,内部疏水基团暴露出来,疏水性增加,导致起泡性增加。电位结果表明,与JSPI相比,600 W处理的电位从-22.03增强至-24.53 mV（P<0.05）。60℃,60℃+600 W处理电位减弱,导致溶液体系不稳定。粒径结果表明,与JSPI相比,600 W处理粒径减小,60℃处理粒径增加。蛋白粒径减小、或占较低比例存在的粒径较大的蛋白群体均可以提高JSPI的起泡性。     

Structural Stabilities of Ordered Arrays of Nb4 Clusters on NaCI（IO0） Surface

Adsorption of ordered （2 × 2） arrays of Nb4 clusters on the insulating surface of NaCI（100） is studied by the first-principles calculations within the density functional theory. The calculations on the relaxed geometries and cohesive energies show that both the tetrahedron and quadrangle-Nb4 can be stably adsorbed on this substrate, which may have important applications. The adsorption of quadrangle-Nb4 on the NaCl（100） surface is more stable than that of tetrahedron-Nb4. Both the Nb4 clusters studied and a single Nb atom prefer the top site of the Cl atom in the NaCl（100） surface. Electronic structure analysis suggests that the interactions between the Nb4 clusters and the substrate are weak.     

综合微光测试系统的总体设计

描述一种微光像增强器综合测试系统的总体设计。设计采用了组合结构，使系统只用单一的光源就可以测试微光像增强器九项光量子类和几何类的参数，具有以往几台常规测试仪器功能的总和。系统对各参数测量的不确定度２～４％。     

大气对流边界层光传输的实验室模拟

利用湍流池模拟大气对流边界层的光传输,同时测量了到达角起伏和光路上的温度脉动。结果表明,在混合层的上部,对数温度谱偏陡,和大气中的观测结果一致,到达角起伏谱也偏陡,但到达角起伏谱曲线反映了湍流在小尺度范围内具有各向同性的特征,此时利用温度脉动方法得到的折射率结构常数小。当边界层顶部逆温层消失,发展为完全对流状态时,温度谱幂率等于“－5／3”,到达角起伏谱害虫率等于“－8／3”,两种方法测量得到的折射率结构常数一致。     

过模慢波结构频率反射特性及谐振腔的影响

利用有限元方法求解:S-参数矩阵,研究了过模慢波结构对圆波导TM01,TM02模的反射特性,分析了在慢波结构末端加入谐振腔后,由于两端口的不对称性而造成的对反射特性影响。结果表明,在TM01的π模频率附近,慢波结构和谐振腔组成的系统对无谐振腔一侧端口入射TM01模的反射增大,而对有谐振腔一侧端口入射TM01模的反射减小。根据计算结果,解释了普通多波切伦柯夫振荡器所用慢波结构周期数较多的原因,说明了在多波切伦柯夫振荡器中引入谐振腔后,不但可以减少所用慢波结构周期数,而且有利于提高微波输出效率。     

单层2H-MoTe2光电效应的理论研究

材料的禁带宽度是影响光电探测器探测范围的重要因素.单层2H-MoTe2因具有合适的禁带宽度引起了科研人员广泛的研究兴趣.本文基于非平衡态格林函数-密度泛函理论,采用第一性原理方法,研究了单层2H-MoTe2的光电效应.结果表明:在线性偏振光照射下,MoTe2产生的光电流函数与唯象理论相吻合;在光子能量范围1.6～1.8...     

Tuning circular Bragg phenomenon of TiO2 sculptured thin films with chiral structure

TiO2 chiral sculptured thin films （CSTFs） prepared using glancing angle deposition （GLAD） method based on electron beam evaporation are studied. The relationship between structural parameters and circular Bragg phenomenon （CBP） is investigated. Results demonstrate that, the central wavelength of Bragg regime red-shifts with the increasing pitch of helix, and peak value of selective transmittance will increase after adding more turns to the helix. After annealing, the central wavelength blue-shifts and the peak value rises. Tuning CBP by modulating the deposition parameters and annealing can optimize the performance of circularly polarized devices fabricated from CSTFs.     

Hcp-icosahedron structural transformation induced by the change in Ag concentration during the freezing of （CoAg）561 clusters

The synergy effect of alloy elements in bimetallic clusters can be used to tune the chemical and physical properties. Research on the influences of alloy concentration and distribution on the frozen structure of bimetallic clusters plays a key rolc in exploring new structural materials. In this paper, we study the influence of Ag concentration on the frozen structure of the （AgCo）561 cluster by using molecular dynamics simulation with a general embedded atom method. The results indicate that tt~e structure and chemical ordering of the （AgCo）561 cluster are strongly related to Ag concentration. Hcp-icosahedron structural transformation in the frozen （CoAg）561 cluster can be induced by changing Ag concentration. The chemical ordering also transforms to Janus-like Co Ag from core-shell Co-Ag.     

半导体所在GaAs纳米线结构相变的研究方面取得重要成果

作为传统的Ⅲ-V族半导体,GaAs体材料的稳定相是闪锌矿结构。但是当进入到纳米尺度时,由于表面积相对增加,又由于纤锌矿结构的表面能较低,使得GaAs纳米线上容易出现纤锌矿结构,互相竞争的结果往往是两相共存,还夹着很多平面缺陷(planar defect)。因此如何得到纯闪锌矿或者纯纤锌矿结构的