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891.
有限外尺度对大气湍流统计特征测量的影响 总被引:2,自引:1,他引:1
有限外尺度影响下的相位结构函数和孔径平均的斜率相关函数的表达式,结果表明有限的大气外尺度对大气流流统计特征的测量有很大的影响,尤其对大尺寸的望远镜和子孔径更是如此。基于科尔莫戈罗夫模型的大气相位结构函数和相干长度仅仅是本文推导结果的近似。对结果的分析表明,测量得到的对大气湍流科尔莫戈罗夫模型的偏离有可能是大气外尺度的影响,而不完全是真正的偏离。 相似文献
892.
893.
894.
895.
关于矩阵相似中变换矩阵的一般形式 总被引:2,自引:0,他引:2
本利用Jordan标准形理论,给出了矩阵相似中的变换矩阵的一般表达形式。 相似文献
896.
The reliability of measurements on electron energy distribution function in silane rf glow discharges 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Electron energy distribution function (EEDF) is a key parameter of plasmas, which is directly proportional to the second derivative of the probe I-V characteristics. Because of an amplifying effect of unavoidable noises in the experimental probe I-V curves during the derivation process, the experimental I-V curves should be smoothed before performing the numerical derivation. This paper investigates the effect of adjustable factors used in the smoothing process on the deduced second derivative of the I-V curves, and an optimum group of the adjustable factors is selected to make the rms deviation of the smoothed I-V curves from the measured curves less than 1%. A simple differentiation circuit is designed and used to measure the EEDF parameter straightforwardly. It is the first time, so far as we know, to measure the EEDF parameters simultaneously by means of both numerical and circuit derivative methods under the same discharge conditions and on the same discharge equipment. The deviation between two groups of mean electron energy E and electron density n_e obtained by the above different methods is within about 7%. This apparently improves the reliability of the measurements of the EEDF parameters. 相似文献
897.
Various types of moments have been utilized to recognize image patterns in a number of applications. Multi-distortion invariant-radial harmonic Fourier moments were investigated in the recognition of cell smear images. Image recognition experiments showed that radial harmonic Fourier moments are not only highly concentrated image features but also have a good property of antidistortion and antinoise. They may be used in fast and accurate automatic cell recognition. 相似文献
898.
Theoretical investigation of incomplete ionization of dopants in uniform and ion-implanted 4H-SiC MESFETs 下载免费PDF全文
The effects of incomplete ionization of nitrogen in 4H-SiC have
been investigated. Poisson's equation is numerically analysed by
considering the effects of Poole--Frenkel, and the effects of
the potential on $N^+_\dd$ (the concentration of ionized donors)
and $n$ (the concentration of electrons). The pinch-off voltages
of the uniform and the ion-implanted channels of 4H-SiC
metal-semiconductor field-effect transistors (MESFETs) and
the capacitance of the gate are given at different temperatures.
Both the Poole--Frenkel effect and the potential have influence on
the pinch-off voltage $V_{\rm p}$ of 4H-SiC MESFETs. Although the
$C$-$V$ characteristics of the ion-implanted and the uniform channel of
4H-SiC MESFETs have a clear distinction, the effects of incomplete
ionization on the $C$-$V$ characteristics are not significant. 相似文献
899.
900.