首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   23180篇
  免费   6933篇
  国内免费   16074篇
化学   27567篇
晶体学   2140篇
力学   988篇
综合类   692篇
数学   1394篇
物理学   13406篇
  2024年   254篇
  2023年   828篇
  2022年   1190篇
  2021年   1388篇
  2020年   1095篇
  2019年   1181篇
  2018年   907篇
  2017年   1176篇
  2016年   1323篇
  2015年   1491篇
  2014年   2028篇
  2013年   2410篇
  2012年   2266篇
  2011年   2274篇
  2010年   2084篇
  2009年   2202篇
  2008年   2374篇
  2007年   2221篇
  2006年   2505篇
  2005年   2358篇
  2004年   2219篇
  2003年   2017篇
  2002年   1572篇
  2001年   1421篇
  2000年   904篇
  1999年   834篇
  1998年   625篇
  1997年   459篇
  1996年   449篇
  1995年   370篇
  1994年   341篇
  1993年   220篇
  1992年   251篇
  1991年   301篇
  1990年   254篇
  1989年   237篇
  1988年   81篇
  1987年   30篇
  1986年   11篇
  1985年   32篇
  1982年   1篇
  1980年   1篇
  1959年   2篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
用溶胶凝胶法,灼烧法合成了纳米级WO3,采用X-射线衍射、紫外可见漫反射光谱对WO3进行表征.在Fe3 为电子受体、溶液酸度pH为2.0情况下,研究了纳米级WO3在365nm紫外辐射下光解水析氧的光催化活性,并讨论了不同方法制备的催化剂活性差异的原因.结果表明,结晶程度越高、尺寸越小、比表面积越大的纳米级WO3具有更高的光分解水析氧活性,电子受体的浓度、溶液的酸度对析氧活性有明显的影响.  相似文献   
92.
《中国物理 C》2003,27(5):386-390
讨论了二维环面上中心荷c=3,N=2的超共形场论。特别给出该理论的配分函数,进一步,为了产生新的模型,回顾了一般的orbifold方法,然后构造了模不变的Z2 0rbifold—Prime模型。  相似文献   
93.
一种塑解剂经高压液体色谱分离制备出主要成份2,2′—二硫代双(4,6二叔丁基苯酚)。由质谱分析得到分子量为474化学式为C_(28)H_(2)O_2S_2、晶体呈现孪生。基体单晶属三斜晶系,空间群为(?)PI(NO.2),晶体结构用直接法解出,=0.07。研究结果表明该分子是二硫代酚类化合物。在EI场中,S—S键断裂是主要断裂过程。晶体中,分子的一个环上的羟基是无序分布的。羟基与最邻近的硫原子形成氢键。  相似文献   
94.
微纳米加工技术在纳米物理与器件研究中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
物质在纳米尺度下可能呈现出与体材料不同的物理特件,这正是纳米科技发展的基础之一。要想探索在纳米尺度下材料物埋性质的变化规律及可能的应用领域,离不开相应的技术手段,微纳米加工技术作为当今高技术发展的重要技术领域之一,是实现功能人工纳米结构与器件微纳米化的基础。本文根据几个不同的应用领域,介绍了微纳米加工技术在纳米物理与器件研究领域的应用。  相似文献   
95.
微纳米加工技术及其应用综述   总被引:2,自引:0,他引:2  
崔铮 《物理》2006,35(1):34-39
材料与结构在微纳米尺度展现了许多不同于宏观尺度的新特征,纳米技术已经成为当前科学研究与工业开发的热门领域之一。微小型化依赖于微纳米尺度的功能结构与器件,实现功能结构微纳米化的基础是先进的微纳米加上技术,文章对微纳米加上技术做了一个综合的介绍,简要说明了微纳米加工技术与传统加工技术的区别,在微纳米加工技术的应用方面提出了一些合理选择加工技术的原则,并对当前微纳米加工技术面临的挑战和今后发展的趋势作了预测。  相似文献   
96.
纪培胜  于静 《数学杂志》2006,26(1):53-57
本文讨论AFC^*一代数中的一些映射的线性性质和它们的局部性质之间的关系.研究AFC^*一代数A上的保持乘法的局部自同构Ф在A中矩阵单位系上的作用。证明了Ф是A上的自同构。对于UHF代数上满等距的结构,还证明了UHF代数上的2-局部(满线性)等距是线性的.  相似文献   
97.
纳米累托石-TiO2光催化剂的制备及表征   总被引:1,自引:1,他引:0  
以TiCl4和累托石为主要原料,制备出纳米累托石-TiO2粉末,并用X-衍射、透射电镜等对其进行表征.结果表明:纳米累托石-TiO2粉末平均直径为17.5nm当焙烧温度从500℃升至800℃时,累托石-TiO2粉末的比表面积从65.7m^2/g下降至3.3m^2/g,单位质量吸附剂的孔体积从0.1430cm。/u降到0.0213cm^3/g;当焙烧温度从300℃上升至500℃时,孔径变化不大,属中孔范围;当焙烧温度升至800℃时,一些孔道出现坍塌,不利于纳米累托石-TiO2粉末的光催化活性.  相似文献   
98.
根据能量变分的思想,将双原子分子离子XY 的新解析势能函数ECMI势和关于离子XY 的能量自洽法(Energy-consistent-method for ion, ECMI)推广到双原子分子离子XY-的势能函数研究之中,具体研究了双原子分子离子SiC-激发态A2∏的势能函数,并与将中性双原子分子的势能函数如Morse势和Huxley-Murrrell-Sorbie (HMS)势直接用于双原子分子离子XY-的结果和ab initio计算结果进行了比较.结果表明,ECMI势和ECMI方法对双原子分子离子XY-的势能函数研究同样是成功的,在重要的渐近区和离解区优于中性势能函数,与精确的ab initio结果一致.  相似文献   
99.
曾晖  胡慧芳  韦建卫  谢芳  彭平 《物理学报》2006,55(9):4822-4827
运用第一性原理的密度泛函理论结合非平衡格林函数研究了含有五边形—七边形拓扑缺陷的纳米碳管异质结的输运性质.结果发现:拓扑缺陷对碳管的输运性质有很大影响;另外,不同类型的碳管形成的异质结的输运性质也有明显的差异. 关键词: 纳米碳管 输运性质 异质结 透射系数  相似文献   
100.
A series of complexes formed between halogen-containing molecules and ammonia have been investigated by means of the atoms in molecules (AIM) approach to gain a deeper insight into halogen bonding. The existence of the halogen bond critical points (XBCP) and the values of the electron density (Pb) and Laplacian of electron density (V2pb) at the XBCP reveal the closed-shell interactions in these complexes. Integrated atomic properties such as charge, energy, polarization moment, volume of the halogen bond donor atoms, and the corresponding changes (△) upon complexation have been calculated. The present calculations have demonstrated that the halogen bond represents different AIM properties as compared to the well-documented hydrogen bond. Both the electron density and the Laplacian of electron density at the XBCP have been shown to correlate well with the interaction energy, which indicates that the topological parameters at the XBCP can be treated as a good measure of the halogen bond strength In addition, an excellent linear relationship between the interatomic distance d(X…N) and the logarithm of Pb has been established.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号