导电聚苯胺线膜修饰ZnO纳米棒阵列的可控制备及其紫外探测性能

基于p-n结的光生伏特效应可构筑性能优异的UV探测器,本文采用水热法可控制备竖直排列的氧化锌纳米棒阵列(n型ZnO-NRs),利用原位聚合法在ZnO-NRs表面上修饰p型聚苯胺线膜(PANI-NWs),再组装成ZnO-NRs与ZnO-NRs/PANI-NWs紫外探测器.通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫...     

兆巴高压下c向蓝宝石的冲击辐射研究

采用三层夹心靶结构,利用铜箔与抛光蓝宝石之间良好的接触条件,使用辐射式高温计在1.30～1.72兆巴压力范围内观测到c向蓝宝石的强冲击辐射。在1.30和1.72兆巴的冲击压力下,得到蓝宝石在0.633μm波长处的不透明系数为1.7 cm-1和5.0 cm-1。实验显示蓝宝石的冲击辐射随着冲击压力的增加而急剧增强。     

Decomposition Reaction of Zn-MPA（3-Mercaptopropionic Acid） Complex Under Microwave Irradiation

The thermal decomposition of Zn-MPA complex was investigated under microwave irradiation. ZnO and ZnS nanocrystals could be obtained by decomposing Zn-MPA（3-mercaptopropionic acid） complex under different reaction conditions. It was found that both the pH value of the solution and the molar ratio of Zn2＋ and MPA can play an important role in the formation of ZnO and ZnS nanocrystals. MPA mainly acts as an S source or as a complexing agent. This study provides a new route for the controllable preparation of semiconductor nanocrystals.     

二维多群辐射输运程序LARED-R-1的并行化

利用有向图描述数据依赖关系,应用已有的并行流水线通量扫描算法,实现基于非协调网格的二维辐射输运程序LARED-R-1的并行化.同时,采用消息缓冲技术提高并行程序的性能.经测试,对于典型的问题规模(100群、3800个网格单元、40个方向),在某并行机的64个和128个处理器上,并行程序分别获得80%和53%的并行效率.     

辐射照相系统中转换屏的分辨率研究

在高能X光辐射照相系统中,通常使用闪烁体材料的转换屏将X光转换为可见光进行探测。建立了转换屏空间分辨率的计算模型,模拟了转换屏的空间分辨率随屏的厚度、材料及X光子能量的变化关系,为系统的设计提供了参数。     

CeF3闪烁探测器对DD中子的相对灵敏度

用国内近年新研制的CeF3闪烁体和常用闪烁体ST401分别配特性相同的光电倍增管,构成两种闪烁体探测器,在强度不随时间变化的DD中子源场中测量了这两种闪烁探测器的相对灵敏度,测量结果表明：CeF3闪烁探测器对DD中子的灵敏度比同尺寸ST401的灵敏度低一个量级以上。     

新疆理化所提出一种基于模拟的使非线性光学晶体材料相匹配区间蓝移的方案

非线性光学晶体是通过频率转换拓宽固态激光器输出波段的关键材料。随着激光微加工,激光通讯和现代科学仪器的持续发展,对紫外/深紫外非线性光学晶体的需求日益增加。但是,很多拥有宽的紫外透过范围和大的倍频效应的晶体因其双折射无法满足深紫外相匹配而无法输出深紫外激光。     

紫外荧光硫分析仪用燃烧管的结构改进研究

对紫外荧光硫分析仪用石英燃烧管进行了结构改进,在原结构设计的基础上,增加了裂解氧预热管、挡板和氧气反吹口等。实验表明,相比于原结构设计的石英燃烧管进样量20μL和检出限0.2 mg/L,改进后的燃烧管进样量提高到了100μL,检出限达0.05 mg/L,线性范围为0.1～600 mg/L,相关系数大于0.999。采用改进后的燃烧管测定10.0 mg/L硫含量标准物质,其相对偏差为–1.5%～3.1%,测定结果的相对标准偏差为1.77%(n=10),两者均符合油品硫含量检测要求。改进后的燃烧管可替代市场上的其它国产石英燃烧管,进行油品中硫含量的测定。     

非线性光学晶体K3B6O10Br的生长与光电性能研究

采用顶部籽晶溶液生长法成功生长出尺寸为42 mm×20 mm×18 mm的高光学质量的紫外非线性光学晶体K₃B₆O₁₀Br(KBB)。根据其结构对称性要求,将KBB晶体定向加工成不同的器件切型,系统表征其光电性能。对KBB晶体电弹常数进行了系统的表征,受微观结构影响,压电常数各向异性较大,最大的压电常数d₃₃=6.69 pC/N。KBB晶体具有良好的激光频率变换、电光及压电性能,在光电子领域显示出潜在的应用前景。     

AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件

AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料.经过数十年的研究,目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了巨大进展.以此为基础,AlGaN基紫外光电器件制备领域也得到长足发展.在本综述中,主要介绍了高质量AlGaN基材料的MOCVD外延生长方法、掺杂方法以及近年来在紫外发光、紫外探测器件方面取得的进展.