超大规模集成电路光学光刻技术的现状与展望

光学光刻是目前超大规模集成电路(VLSI)制备中主要的微米和亚微米的图形加工技术,这一技术将继续保持其主导地位成为90年代VLSI发展的关键。本文综述了近年来光学光刻工艺的发展,主要介绍了G线(436nm)、Ⅰ线(365nm)和准分子激光光刻的现状,并对实现高的光学光刻分辨率所必须解决的透镜设计、套准精度和像场面积等问题作了详细描述。最后展望了发展方向、     

拟协调元的精度分析

利用双参数有限元的框架，证明利用拟协调元方法构造的非协调三角形板元都具有一个非常特殊的性质。即相容误差比插值误差高一阶。这是常规有限元和一般非协调元所不具备的。     

局部紧集上的广义向量均衡问题

利用数值化方法和 Browder 不动点定理,得到一类新的广义向量均衡问题解的存在定理,并用于向量变分不等式、向量相补问题和抽象向量优化问题,得到其解的存在定理.     

解可分离约束双凹规划问题的一种外逼近方法[英文]

在本文中，我们提出了双凹规划问题和更一般的广义凹规划问题。我们给出了双凹规划问题的整体最优性条件，并构造了一个有限终止外逼近算法。     

箱覆盖问题的半定松驰算法

箱覆盖问题是NP困难问题中的经典问题，得到了广泛地研究，九十年代以来，半定松驰策略被用来求解组合优化问题，取得了很好的结果[13]，本文首次给箱覆盖问题的半定松驰算法，算法的理论分析结果表明它适合于求解大规模的箱覆盖问题。     

图的k-单圈划分中的优化问题

图的划分问题曾引起图论界的广泛关注，在文献[4]中讨论了k-单圈划分，本文进一步研究基于k-单圈划分的优化问题，即在一个赋权图中求一个最小权可k-单圈划分的支撑子图，以及对一个不存在k-单圈划分支撑子图的图，如何添最少的边使得它有k-单圈划分的支撑子图。     

论优化问题的公理方法（Ⅲ）

在建立了可交换半群｛Ω，｝上的簇Ｆ及其上的第一类优化算子＊概念之后，得到本文主要结果定理４和定理５。然后证明了首Ｎ阶优化算子，非劣算子以及摹多项式簇上的算子［１，２］都是第一类优化算子，与它们相关的优化集合簇Ｎ－ＴＨ，ＰＡＲＥＴＯ及ＥＳＳＥＮＣＥ都是广义优选半域。让它们赋值于多阶段有向图上，它们都服从于嘉量原理     

基于免疫算法的组合预测方法

利用免疫算法搜索全局最优解能力,提出了一种其于免疫算法的组合预测权系数确定的新方法,并给出了具体算法.仿真实验结果表明了免疫算法在组合预测方面具有很好的可行性和有效性.     

Researches of DC—Problem Under the Model S in which the Numbers of Defective Coins are not Fixed

In this paper,we research general Defective Cion Problem under the model S,i.e,the number d of Defective cions is not fixed. For d=O,1,or 2. we get some good results.     

浆纱工艺的优化和控制

应用微机现场检测、显示、采集浆纱生产过程工艺参数，采用ＳＮ比正交试验优化浆纱工艺，并对最佳工艺实施控制和生产工序进行科学管理，从而提高布机织造质量和效率，取得显著经济效益。