离散纵标方法与广义解

§1 中子,γ光子及其它粒子输运方程和计算方法的研究是核工程、技术领域内的一个重要内容.对粒子输运方程各种问题解的理论与数值研究具有重要意义.对这方面的研究有许多工作.本文的目的是用离散纵标(DSN)方法来作二维粒子输运方程:     

用快波加热燃烧等离子体

在把离子伯恩斯坦波处理成对快阿尔芬波的响应下，导出了点火托卡马克等离子体的离子回旋共振加热的二阶模转换方程。这个二阶方程的数值积分表明，结果与由高阶方程的计算很好地一致。只有在弱阻尼的情况下，α粒子吸收的功率才是重要的。     

Tan-Charm粒子工厂

 所谓“Tau-Charm（t-C）粒子工厂”,是在低背景条件下极大量地产生t轻子和C（粲）粒子的加速器以及相关实验装置的总称。具体说,它包括一个工作能区3-5GeV、峰值亮度¹0³³cm（-2）s^-1的双环e⁺e^-对撞机和相应的高性能实验谱仪。t-C粒子工厂主要用来研究我们至今知之不多的三个费米子t、V_t轻子与C夸克的物理学。     

高能物理实验中的前馈式神经元网络法应用

 人工神经元网络是受生物神经网络的结构及其对外来信息处理方式的启示而得名的。它的研究起始于40年代,但由于当初提出的单层感知器模型固有的困难在长时间内困惑着人们,使得这方面的研究工作沉寂了几十年,直至80年代末,随着多层神经元网络的提出,以及它在实际应用中显示的强大功能逐渐被人们普遍认识和接受,才重新刺激起这方面理论和应用研究的热情。     

SiGe BiCMOS低噪声放大器激光单粒子效应研究

随着CMOS工艺的日益成熟和SiGe外延技术水平的不断提高, SiGe BiCMOS低噪声放大器(LNA)广泛应用于空间射频收发系统的第一级模块. SiGe HBT作为SiGe BiCMOS LNA的核心器件,天然具有优异的低温特性、抗总剂量效应和抗位移损伤效应的能力,然而,其瞬态电荷收集引起的空间单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题.本文基于SiGe BiCMOS工艺低噪声放大器开展了单粒子效应激光微束实验,并定位了激光单粒子效应敏感区域.实验结果表明, SiGe HBT瞬态电荷收集是引起SiGe BiCMOS LNA单粒子效应的主要原因. TCAD模拟表明,离子在CMOS区域入射时,电离径迹会越过深沟槽隔离结构,进入SiGe HBT区域产生电子空穴对并引起瞬态电荷收集. ADS电路模拟分析表明,单粒子脉冲瞬态电压在越过第1级与第2级之间的电容时,瞬态电压峰值骤降,这表明电容在传递单粒子效应产生的瞬态脉冲过程中起着重要作用.本文实验和模拟工作为SiGe BiCMOS LNA单粒子效应抗辐射设计加固提供了技术支持.     

量子卡诺循环

以经典理想气体为工质的卡诺热机循环由两个等温和两个绝热过程构成,热机可逆时,它的效率为最大。本文建立一种量子卡诺热机循环模型,该量子卡诺热机循环以一维无限深势阱中极端相对论粒子系统为工质。通过分析,发现该量子卡诺热机循环中的等温和绝热过程和经典卡诺热机的等温和绝热过程具有相似之处,它的效率表达式和经典热力学的可逆卡诺热机的效率表达式也类似,只是用系统的哈密顿量的期望值即系统的能量平均值代替经典热力学中的温度。     

用非最大纠缠态实现三粒子纠缠态的几率隐形传输

提出一种利用三对非最大纠缠态粒子作为量子通道来传输三粒子纠缠态的方案。在此方案中发送者Alice作三次Bell态测量,并将测量结果通过经典通道告诉Bob,B。b根据接收到的信息即可通过相应的幺正变换来重建Alice要传输的量子态。     

高固体分羟基丙烯酸树脂的合成

以过氧化二苯甲酰（BPO）／过氧化二异丙苯（DCP）（质量比为2：3）为复合引发剂，二甲苯为溶剂，选用适量含羟基单体和分子量调节剂，以减缓树脂合成聚合反应中的自动加速现象，合成了分子量为3000-4000，多分散性指数d〈2的高固体分羟基丙烯酸树脂．该树脂与缩二脲多异氰酸酯（HDI）的配漆实验证明，所得漆膜鲜映性好、丰满度高、色泽好、雾影值低、综合性能较好．     

一维搜索的一个Anderson-Bjrck外推加速算法

对一维搜索的二点二次插值法,利用Anderson-B j rck外推的思想提出了一个加速收敛算法,得出并证明了两条收敛性定理,且通过数值试验验证了该算法比二点二次插值法收敛速度快很多。     

关于ηc粒子及其电磁衰变

本文在势模型的框架内估算了ηc粒子的质量、宽度及几种主要电磁衰变道的分支比.指出禁戒型磁跃迁ηc→J/ψγ的相对论修正结果比简单的非相对论估算有可能大一个量级.讨论了北京正负电子对撞机(BEPC)对级联电磁辐射过程ψ′(3686)→γηc→γγ¹P₁,γγJ/ψ,3γ进行测量的可能性.