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51.
本项目主要关注金腔靶内辐射烧蚀等离子体运动对辐射场特性及其诊断产生的影响和抑制方法。黑腔诊断口附近金等离子体喷射容易造成堵口现象,对X光发射能谱特性和角分布测量产生不利影响。腔内金等离子体向心运动还会使入射激光光路偏折,从而改变着靶点位置和能量沉积区域,影响腔内辐射场分布。为便于实验诊断分析,采用半腔靶和静态充气腔靶两种分解靶型进行研究,分别对应以下研究内容:了解金腔靶诊断口附近等离子体喷射对X光诊断的影响和抑制方法;利用填充气体抑制腔壁金等离子体喷射,证实静态充气黑腔靶实验的技术可行性。 相似文献
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用激光溅射 分子束技术研究了气相中Ni的等离子体与甲醇分子团簇的反应 .观察到Ni+ (CH3 OH) n、NiO+ (CH3 OH) n、H+ (CH3 OH) n、H3 O+ (CH3 OH) n 四个种类的团簇正离子和CH3 O-(CH3 OH) n(n≤ 2 5 )一种团簇负离子 .详细考察了激光烧蚀等离子体作用于脉冲分子束的不同位置时 ,对团簇产物种类和团簇尺寸大小的影响 .发现NiO+ (CH3 OH) n 是由Ni+ (CH3 OH) n 团簇内的脱甲烷反应生成的 ,而H+ (CH3 OH) n、H3 O+ (CH3 OH) n主要是激光等离子体中的电子与甲醇团簇碰撞电离产生的 相似文献
54.
利用一维拉格朗日流体动力学程序Med103详细研究了产生类镍Ag,Cd,In,Sn, Sb离子和类氖Fe,Co,Ni,Cu,Zn离子的等离子体状态.通过对电子温度、离子丰度、离子数密度等状态参量的分析比较,得到了这两类等离子体状态之间的对应关系.即类镍银的等离子体状态与类氖铁 的相近,类镍镉的与类氖钴的相近,依次类推.利用这一对应关系可以方便地由类氖机理x射线激光的等离子体状态来对相应元素的类镍x射线激光的等离子体状态进行判断.
关键词:
类氖
类镍
等离子体状态
x射线激光 相似文献
55.
56.
等离子体中心的MHD现象可以用软X射线针孔相机进行观测。在HL-1M装置上我们建立了一套由3个软X射线针孔相机共60道探测弦组成的探测系统。奇异值分解(SVD)方法能将信号分解成正交的空间和时间两组本征向量,并且可以将复杂的时空成份分离开来,使各种不同成份的空间结构和时间演变规律一一对应,从而便于了解MHD现象的重复时间和特征半径。 相似文献
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58.
采用ICP-AES法对钛基复合材料中的合金元素镍、钕、铁的测定进行了研究,着重进行了基体元素及待测元素镍、钕、铁之间干扰试验及各元素在测定浓度范围内的线性相关性试验,进行了酸度试验,测定了钛基复合材料中3种元素的含量,得到了较好的精密度和准确度。方法简便、可靠,获得满意的分析结果。 相似文献
59.
对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅(μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明:μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O,O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响;而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a_Si:H)薄膜.
关键词:
氢化微晶硅薄膜
甚高频等离子体增强化学气相沉积
氧污染 相似文献
60.
偏滤器靶板磁预鞘层边界的离子流 总被引:1,自引:1,他引:0
利用流体力学模型研究了偏滤器等离子体条件下磁预鞘层边界离子流和预鞘层宽度之间的关系,并分析了粒子碰撞对预鞘层边界离子流的影响。由于粒子碰撞对离子的驱动效益,预鞘层边界离子流速度随着预鞘层宽度的增加而减少;只有当预鞘层宽度趋于零时,边界离子流沿磁力线的速度才趋近于离子声速。在固定预鞘层宽度的条件下,计算了预鞘层边界离子流速度与碰撞频率之间的函数关系。 相似文献