硫钒铜矿化合物电子结构和电致变色特性的第一原理研究

基于密度泛函的第一原理赝势平面波方法,计算晶体结构、电子结构和光学性质,研究硫钒铜矿化合物Cu₃VS₄、Cu₃NbS₄和Cu₃TaS₄的电子输运及电致变色特性,探讨作为透明半导体材料应用于太阳能电池和电致变色器件的可能性.电子结构的计算表明这类化合物是间接带隙半导体,其电子能带的导带底和价带顶分别位于布里渊区的X点和R点.价带顶的电子本征态主要来自于Cu原子的d电子轨道,而导带底电子态主要来源于VB族元素原子的d电子轨道.能带结构、电荷布居分析、电子局域化函数和光吸收及反射谱的计算表明这些硫钒铜矿化合物属于极性共价半导体,具有较高的电荷迁移率和优良的电致变色特性,可应用于高效电致变色器件.     

卷积算子的Gibbs现象

本文建立了一般卷积算子在函数的第一类间断点处有Gibbs现象的刻画定理,并且给出了某些例子.     

一个数学问题推广结论的纠正

《数学通报》数学问题1845和1990是同一道题:已知a＞0,b＞0,√3/a+1/b=2,求a+b-√a2+b2的最大值. 文[1]对此题有如下两个猜测推广: 推广1若a＞0,b＞0,m/a十n/b=1(其中m,n为正常数),则a+b-√a2+b2的最大值为2m+2n-2√2mn.     

具有不同交换偏置方向的外延FeGa/IrMn双层膜的磁各向异性与磁化翻转

采用磁控溅射方法在MgO(001)单晶衬底上制备了交换偏置分别沿着FeGa [100]和[110]方向的FeGa/IrMn外延交换偏置双层膜,研究了交换偏置取向对磁化翻转过程与磁化翻转场的影响.铁磁共振场的角度依赖关系的测量与拟合,表明样品存在不同取向的四重对称磁晶各向异性、单向交换磁各向异性和单轴磁各向异性的叠加.矢量磁光克尔效应测量表明交换偏置沿着[100]方向的样品在不同磁场方向下表现矩形、非对称和单边两步磁滞回线;交换偏置沿着[110]方向的样品在不同磁场方向下表现单边两步和双边两步磁滞回线.考虑不同交换偏置方向的畴壁形核和位移模型,能够很好地解释磁化翻转路径随磁场方向的变化规律和拟合磁化翻转场的角度依赖关系,表明交换偏置方向的改变使得畴壁形核能发生显著变化.     

磁振子宏观效应以及热扰动场对反磁化的影响

热扰动导致的磁反转是越过能量势垒的不可逆反转,称为热助隧穿.本文研究Pr-Fe-B磁体热扰动导致的磁反转弛豫现象,反转磁矩与时间自然对数关系可表示为与能垒之间的关系,因此反磁化弛豫现象可用磁振子按能量的玻色统计分布率来解释,是磁振子宏观效应的体现.反磁化不可逆过程的临界尺寸为纳米级,与理论磁畴壁尺寸接近,证实热扰动反磁化经过磁畴壁形核去钉扎过程.在实空间反磁化耦合体积增大能减小磁振子隧穿的反磁化概率,热扰动场减小;热扰动后效场测量值与热扰动场计算值基本是一致的.温度升高,热扰动能量增大,由于耦合作用热扰动后效场有所减小,但热扰动后效场相对于矫顽力的作用增大.     

基于HRTEM和Raman分析定向多壁碳纳米管阵列的生长机理

以二茂铁、二甲苯为前驱体,石英为衬底,在850 oC的管式炉内采用化学气相沉积法制备出了定向碳纳米管阵列. 高分辨透射电子显微镜和拉曼光谱的结果表明：碳纳米管阵列具有良好的定向性和多壁管状结构,石墨化程度高,并且只在表面存在少量单壁碳纳米管.定向多壁碳纳米管阵列的生长模式为“底部”生长模式,即在生长的初期,当催化剂颗粒较小时,析出的碳原子生成了单壁碳纳米管或与其性质类似的多壁碳纳米管(一般层数小于5层);催化剂颗粒逐渐长大后,大量的碳原子析出后生成了普通的多壁碳纳米管,从而形成了单壁碳纳米管只存在于碳纳米管阵列膜表面和多层碳纳米管膜表面与界面的现象.     

有叶顶间隙的涡轮弯叶栅拓扑与旋涡结构(Ⅱ)——横截面流场拓扑结构与叶栅旋涡结构

根据具有叶顶间隙的直叶栅和正、反弯叶栅壁面流动的墨迹显示以及横截面内气动参数测量,应用拓扑学原理,分析了叶栅流道横截面内的拓扑结构。与直叶栅比较,叶片正弯消除了上通道涡分离线,并使二次涡由闭式分离转变为开式分离,而叶片反弯仅影响奇点位置、旋涡强度与尺度。     

Mechanical and thermodynamic properties of the monoclinic and orthorhombic phases of SiC_2N_4 under high pressure from first principles

First principles calculations are preformed to systematically investigate the electronic structures, elastic and thermodynamic properties of the monoclinic and orthorhombic phases of Si C2N4 under pressure. The calculated structural parameters and elastic moduli are in good agreement with the available theoretical values at zero pressure. The elastic constants of the two phases under pressure are calculated by stress–strain method. It is found that both phases satisfy the mechanical stability criteria within 60 GPa. With the increase of pressure, the degree of the anisotropy decreases rapidly in the monoclinic phase, whereas it remains almost constant in the orthorhombic phase. Furthermore, using the hybrid density-functional theory, the monoclinic and orthorhombic phases are found to be wide band-gap semiconductors with band gaps of about 2.85 e V and 3.21 e V, respectively. The elastic moduli, ductile or brittle behaviors, compressional and shear wave velocities as well as Debye temperatures as a function of pressure in both phases are also investigated in detail.     

钠钾合金热管启动性能实验研究

良好的启动特性是热管可靠运行的必要条件。重力热管启动特性受倾角等因素影响较大。采用55%钾+45%钠配比的钠钾合金热管,实验研究了倾角对其启动特性的影响。得到了倾角为0°,10°,20°,30°,40°及50°时的启动特性,并获得了外壁温分布曲线。结果表明该热管启动特性良好,倾角的增加不仅使冷凝段温度上升更有利于热管的启动。     

First-Principle Calculations for Elastic and Thermodynamic Properties of Diamond

The elastic constants and thermodynamic properties of diamond are investigated by using the CRYSTAL03 program. The lattice parameters, the bulk modulus, the heat capacity, the Grüneisen parameter, and the Debye temperature are obtained. The results are in good agreement with the available experimental and theoretical data. Moreover, the relationship between V/V₀ and pressure, the elastic constants underhigh pressure are successfully obtained. Especially, the elastic constants of diamond under high pressure are firstly obtained theoretically. At the same time, the variations of the thermal expansion α with pressure P and temperature T are obtained systematically in the ranges of 0-870 GPa and 0-1600 K.