有机液芯光纤拉曼谱测量的研究

我们选用CCl4和CS2混合溶液作为芯液制作了有机液芯光纤,采用后向泵浦的方式测量了光纤的拉曼光谱.实验中发现,随着溶质浓度和光纤长度的变化,拉曼谱强度也随之变化,并存在溶质最佳浓度和最佳光纤长度,这与理论分析值相符,并发现随着溶质浓度的降低,拉曼光谱线宽变窄.     

点阵式上转换板在激光光斑采集中的应用研究

 通过在镜头前加装上转换板,利用其快速的红外上转换功能可以提高CCD对于低频窄脉冲光斑的采集效率。然而在利用传统面阵式工艺制成的上转换板采集光斑的过程中,普遍存在因上转换材料内部漫反射及局部饱和效应造成的光斑形状和光强分布的失真。针对上述问题,提出了一种新的点阵式上转换板制作工艺,并设计了点阵式上转换板光斑采集成像质量对比实验。实验结果表明,点阵式上转换板对低频窄脉冲光斑有更好的采集效果。为评价点阵式上转换板所采集光斑的成像质量,建立了相应的评价模型。     

二波混频高功率单频窄线宽光纤激光器

设计并制造了一种基于二波混频的高功率单频窄线宽光纤激光器.激光器采用长线形腔结构,以Er3+/Yb3+双包层光纤作为增益介质,利用输出信号光分束反馈注入,与腔内振荡激光混频干涉,形成分布的增益光栅与折射率光栅共同作用选模,获得稳定的1550.63 nm单频高功率激光输出.在975 nm多模激光二极管(LD)抽运下,激光...     

高功率窄脉宽半导体激光激励器设计

为了获得高功率窄脉宽半导体激光,设计了半导体激光器相应的激励单元,论述MOSFET作为高速开关的工作机理,分析基于MOSFET作为高速开关产生窄的大电流脉冲的电路模型.为了使MOSFET开关速度尽可能快,根据前述分析,提出推挽式MOSFET栅极驱动方式并设计了触发窄脉冲的发生电路.当激光二极管接入放电回路时,实验表明:激光二极管输出光的峰值功率可达67.5 W,脉宽约为20 ns.最后,简要分析了影响光脉冲宽度的因素.     

窄线SeyfertⅠ型星系

本文将概述窄线SeyfertⅠ型星系 (包括具有类似性质但光度较大的类星体 )的主要观测特征、物理内涵及其理论解释和在活动星系核内部结构上的反映。窄线SeyfertⅠ型星系 (NLS1 ,以后NLS1都认为包括NLSI星系和NLS1类星体 )具有窄的允许线Hβ,它兼有Sy1和Sy2的某些特征。它具有强的FeⅡ光学线和弱的 [OⅢ ]λ5 0 0 7禁线 ,这明显不同于Sy2。在观测相关量的主成分统计分析中表明NLS1是活动星系核第一主向量表现为极端的一类。这包括 :( 1 )HβFWHM取极小 ;( 2 )FeⅡλ45 70 /Hβ 取极大 ;( 3)SⅢ ]λ1 892 /CⅢ ]λ1 90 9取极大 ,亦一定范围内宽线区电子密度取大值 ;( 4 )CⅣλ1 5 4 9线中心蓝移取极大 ;( 5 )高光度NLS1的软X射线光子数谱指数Γx 取极大 ;( 6)X射线相对流量变化方差最大等。基于以上观测结构和相应统计规律 (观测量与HβFWHM的关系 ) ,解释NLS1现象最佳的模型是高相对吸积率L/LEdd模型。NLS1比之典型宽线活动星系核具有较低的中心黑洞质量MBH。进一步 ,还发现这一模型是活动星系核主...     

现有光刻技术改进后可以制造线宽为0.13μm的集成电路

现有光刻技术改进后可以制造线宽为０．１３μｍ的集成电路１９９５年美国《固态技术》２月号和３月号连续发表文章，认为现有光刻技术经过改进，可以沿用到２００４年，用来制造线宽为０．１３ｕｍ的集成电路。随着集成电路的飞速发展，１９９５年光刻技术达到的最小线宽...     

相干驱动场的线宽对电磁感应透明的影响

考虑相干驱动场的线宽，探讨了其对双激发态原子三能级系统中的电磁感应透明现象的影响，得到结论：相干驱动场的线宽抑制了介质对弱探测光的透明。     

Temperature Dependence of Dark Lines in Coherent Population Trapping

We measure the signal amplitude and linewidth of a dark line in coherent population trapping in the Rb vapour cell filled with mixed buffer gas N2 and Ar as a function of cell temperature. We find that the dark line signal amplitude increases with temperature up to a maximum at 49℃ and then drops at higher temperatures due to quenching effects of N2. The linewidth of the dark line remains basically constant, at 1080 Hz. We also measure the linewidth of the dark line as a function of laser intensity. The linewidth increases linearly with laser intensity. An intrinsic linewidth （FWHM=896 Hz at 3.4 GHz） of the Rb cell is obtained.     

窄禁带半导体材料中共振缺陷态测量

运用量子电容谱测量技术，在窄禁带半导体材料InSb和HgCdTe价带和导带中分别发现了两个共振缺陷态．根据建立的实验模型研究了这些共振缺陷态的特性 关键词：     

光子-磁振子相互作用过程：铁磁共振线宽的一种机制

通过分析磁振子的激励与弛豫过程，指出光子-磁振子的相互作用是铁磁共振线宽的机制之一， 利用幺正变换得到了3玻色子相互作用项的对角化哈密顿量，为精确计算共振线宽提供了依据。