阻变式存储器存储机理

阻变式存储器（resistive random access memory, RRAM）是以材料的电阻在外加电场作用下可在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的一类前瞻性下一代非挥发存储器.它具有在32nm节点及以下取代现有主流Flash存储器的潜力,成为目前新型存储器的一个重要研究方向.但阻变式存储器的电阴转变机理不明确,制约它的进一步研发与应用.文章对阻变式存储器的体材料中几种基本电荷输运机制进行了归纳,总结了目前对阻变式存储器存储机理的理论模型.     

中国散裂中子源快循环同步加速器主准直器的设计与研究

为满足强流加速器对准直器高散热性能、高抗辐射性能、超高真空、高定位精度、高稳定性和在线实时调整等特殊要求,在CSNS/RCS主准直器设计时针对结构方案和控制方案进行了详细设计和研究,针对关键部件：刮束器、真空盒、驱动装置和远程快速拆卸装置等设计难点进行了阐述,在设计中使用ANSYS完成了刮束器的热分析及支架强度和变形校核,用FLUKA程序对辐射屏蔽进行了分析和设计,确保主准直器设计的可靠性。     

强光照射下的InGaAs二极管内部光生载流子分析

以InGaAsp-i-n管为例,研究了光电二极管在激光脉冲作用下非线性响应的内部机理特征,计算分析了二极管在强光辐照下内部空间电荷屏蔽效应对器件光电响应特性产生的影响.通过计算耗尽区的电场强度、载流子分布和电子-空穴的漂移速度,发现低偏置电压或强光辐照都会使耗尽区的电场强度下降,载流子的漂移和扩散速度降低到非饱和状态,使光生载流子的复合率下降,大量载流子聚集在耗尽区内,形成了空间电荷屏蔽效应,导致二极管呈非线性响应状态.在5V偏置电压条件下,增加皮秒激光的脉冲能量,光电二极管的光伏电压响应脉宽逐渐展宽,峰值电压呈非线性变化.     

C波段2 MeV驻波加速管物理设计

 为了发展结构紧凑、小束斑加速器,进行了C波段驻波电子直线加速器加速管的物理设计和研究。利用多级聚束和大孔径注入方法,抑制空间电荷效应。加速管由3个聚束腔和4个加速腔组成,长约163 mm,馈入微波功率源1 MW。在最终的数值模拟中,得到脉冲电流约150 mA,俘获效率优于30％,在加速管出口外约14 mm处,对电子的横向分布进行非线性Gauss拟合,得到束斑直径（FWHM）约为0.55 mm。     

电子温度各向异性对霍尔推力器BN绝缘壁面鞘层特性的影响

建立多价态多组分等离子体一维流体鞘层模型,引入电子温度各向异性系数并考虑出射电子速度分布,研究了电子温度各向异性对霍尔推力器中的BN绝缘壁面鞘层特性和近壁电子流的影响.分析结果表明,相比于纯一价氙等离子体鞘层参数,推力器中的多价态氙等离子体鞘层电势降略有降低,电子壁面损失增加,临界二次电子发射系数减小.推力器中的电子温度各向异性现象可以显著地加大出射电子能量系数,进而降低鞘层电势降,增强电子壁面相互作用.数值结果表明,空间电荷饱和机制下电子温度各向异性对鞘层空间电势分布影响显著. 关键词： 霍尔推力器 电子温度各向异性 空间电荷饱和鞘层     

达克罗涂层的腐蚀动力学行为研究

达克罗涂层以高耐蚀性、无废水排放、无氢脆等优良性能而成为表面处理行业的一项高新技术[1] 。这种涂层由微细的鳞片状金属锌和以三价铬氧化物为主的粘合物构成 ,并以膜层的整体铬酸盐化为基本特征。近年来 ,我们采用动电位扫描法、恒电流法和快速三角波等多种电化学测试方法对其腐蚀动力学行为进行了研究 ,分析达克罗涂层的高耐蚀性的成因 ;同时从腐蚀电化学角度探讨用硼酸部分取代铬酸配制处理液能明显改善涂层在淡水中的耐蚀性 的机制。1　实验部分1 1　处理液的配制和涂层的制备所用试剂包括 :铬酸酐 (ＡＲ) ,硼酸 (ＡＲ) ,二丙醇 (…     

界面极化注极聚丙烯薄膜驻极体的电荷存储特性研究

本文报道一种基于双层介质界面极化机理的新型驻极体注极技术: 借助辅助层对PP薄膜进行注极. 采用表面电位测试方法考察了注极温度、注极电压对所获PP薄膜驻极体电荷存储性能的影响, 并利用热刺激放电技术研究了其高温电荷存储性能, 同时测试了PP薄膜驻极体在X和Y方向的静电场分布. 结果表明: 界面极化注极是一种比电晕注极更为优异的驻极体形成方法. 在一定温度下, 驻极体表面电位随注极电压的增加而增加, 而且两者呈线性关系, 这一结果与注极过程的电荷积聚方程的分析完全一致. 注极温度的影响研究表明, 在保持注极电压不变(注极电压范围为0.5–3.0 kV)的情况下, 温度低于75 ℃时, 温度的变化对于注极效果的影响不明显; 当注极温度大于75 ℃ 时, PP薄膜驻极体的表面电位随注极温度的增加而增加. 表面电位随时间的变化研究表明, PP薄膜驻极体具有良好的电荷存储稳定性. 对其表面电位分布的测试表明, 界面极化注极所形成的PP薄膜驻极体呈现均匀的静电场分布.     

无箔二极管电磁PIC模拟空间电荷限制发射模型比较

 为了在无箔二极管电磁PIC模拟中采用与电磁场自洽的空间电荷限制发射模型,对查尔特定律模型、高斯定律模型和一维二极管模型进行了理论分析和实例模拟比较。模拟结果表明,三种模型都能与电磁场自洽并反映外加磁场对发射电流的影响,但高斯定律模型受网格剖分粗细程度的影响较大且容易产生振荡,一维二极管模型在网格参数合理的情况下结果与查尔特定律模型基本接近,但需要求解超越方程,花费时间多。通过对模拟结果进行分析和比较,认为外加磁场对电子发射模型本身的影响很小,在电磁PIC数值模拟中可以不考虑,因此,查尔特定律模型更适合用于无箔二极管的电磁PIC模拟。     

驻极体薄膜揉皱变形理论及类挠曲电响应研究

现有挠曲电俘能器存在俘能方式单一、力电耦合系数偏小,且仅在微观尺度显著等问题,难以在宏观尺度上实现高效的能量转换. 驻极体作为一种内嵌电荷的介电材料,其非均匀变形可诱导显著的类挠曲电响应. 薄膜揉皱作为一种双向收缩的复杂变形,其高应变梯度为宏观尺度下高效俘能提供了新方式. 该文将驻极体宏观尺度下的强力电耦合特性与揉皱的高应变梯度优势相结合,建立了驻极体薄膜揉皱变形理论,基于该模型分析了不同电荷密度、支撑杯半径、薄膜厚度、放缩尺度下揉皱驻极体的类挠曲电响应及能量俘获特性. 结果表明,对于厚度为1 mm的驻极体薄膜,当电荷密度q=-0.2 mC · m^-2时,有效类挠曲电强度相比纯聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄膜的本征挠曲电效应高了近两个数量级.

     

Temperature-dependent rectifying and photovoltaic characteristics of an oxygen-deficient Bi_2Sr_2Co_2O_y/Si heterojunction

A Bi2Sr2Co2Oy/Si heterojunction is obtained by growing a layer of p-type oxygen-deficient Bi2Sr2Co2Oy film on a commercial n-type silicon wafer by pulsed laser deposition. Its rectifying and photovoltaic properties are studied in a wide temperature range from 20 K to 300 K. The transport mechanism under the forward bias can be attributed to a trap- filled space-charge-limited current conduction mechanism. Under the irradiation of a 532-nm continuous wave laser, a clear photovoltaic effect is observed and the magnitude ofphotovoltage increases as the temperature decreases, The results demonstrate the potential application of a Bi2SrzCo2Oy-based heterojunction in the photoelectronic devices.