内敏乳剂的正电子湮没研究

研究了内核乳剂化学增感时间以及铑盐掺杂对内敏乳剂正电子湮没的影响，随着内核乳剂化学增感时间的增加，内部感光度上升到一最大值，然后又下降，正电子湮没的平均寿命也随增感时间的上升而达到最大值，然后下降，正电子湮没的中间寿命随增感时间的上升变化不大，但其所占比份先下降后上升，当颗粒内部掺入铑盐量增大时，正电子湮没的中间寿命所占比份上升，这些结果表明，卤化银颗粒内部的空穴浓度和银离子空位浓度与乳剂制备要求     

孔雀绿分子的共振态研究

用"分子空穴"的共振理论,解释了孔雀绿分子的¹H NMR谱图中质子数分配问题。     

Generation and Quantum Interference of Entangled Electron-Hole Pairs in a Hanbury Brown and Twiss Interferometer

The Hanbury Brown-Twiss interferometer is proposed to serve as a detector of the crossed Andreev reflection and to generate entangled electron-hole pairs. It is shown that the non-local electron and hole induced by the crossed Andreev reflection are entangled. Quantum interference of the entangled electron-hole pairs gives rise to a new measurable effect of the phase difference between two superconductors in the cross correlation. The present theoretical predictions can be experimentally realized within the present-day microelectronic technology.     

PVK空穴传输层对Ndq3近红外发光二极管性能的影响

以PEDOT∶PSS作为空穴注入层,聚合物PVK作为空穴传输层,制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/PVK/8-羟基喹啉钕(Ndq3)/Al的近红外OLED,研究了PVK与PEDOT∶PSS功能层对器件I-V特性和EL光谱的影响。结果显示,在EL光谱中的905,1 064,1 340 nm处均观察到了荧光发射,分别对应于Nd3+的4F3/2→4I9/2、4F3/2→4I11/2和4F3/2→4I13/2能级跃迁。与参考器件对比分析认为,PEDOT∶PSS高的导电性降低了器件的串联电阻,增大了器件的工作电流;PVK与PEDOT∶PSS共同降低了空穴的注入势垒,实现了Ndq3发光层区域的载流子的注入平衡并改善了器件的发射强度。此外,PVK有效降低了ITO电极表面粗糙度,也是器件性能提高的原因之一。     

The effects of strain and surface roughness scattering on the quasi-ballistic characteristics of a Ge nanowire p-channel field-effect transistor

The effects of strain and surface roughness scattering on the quasi-ballistic hole transport in a strained gate-all-around germanium nanowire p-channel field-effect transistor （pFET） are investigated in this work. The valence subbands are shifted up and warped more parabolically by the influence of HfO2 due to the lattice mismatch. However, the boundary force only shifts the subbands downwards and has little effect on the reshaping of bands. Strain induced by HfO2 increases both the hole mobility and ON-current （/ON）, but has little effect on the hole mobility. The/ON is degraded by the surface roughness scattering in both strained and unstrained devices.     

C_(60)与MoO_3混合材料做空穴注入层的单层有机电致发光器件

我们制备研究了基于结构为氧化铟锡(ITO)/C_(60)(1.2nm):MoO_3(0.4nm)/1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi):三(2-苯基吡啶)铱[Ir(ppy)_3](33%,90 nm)/LiF (0.7 nm)/Al (120 nm)的高效绿色磷光单层有机发光二极管(OLED)。分别将C_(60),MoO_3与C_(60):MoO_3混合物作为空穴注入层(HIL)作为对比。TPBi在发光层中起着主体以及电子传输材料的双重作用。在使用电子传输型主体的单层OLED中,空穴注入层性质对于调节电子/空穴注入以获得电荷载流子传输平衡起重要作用。因此,适当调节空穴注入层是实现高效单层OLED的关键因素。由于MoO_3较大的电子亲和能(6.37 eV)会诱导电子从C_(60)的最高占据分子轨道(HOMO)能级转移至MoO_3,从而形成C_(60)阳离子,并使得Mo元素的价态从+6降至+5,C_(60):MoO_3混合就可以较好的调节空穴注入性质。最终实现最大电流效率为35.88 cd·A~(-1)的单层有机发光器件。     

电场诱导空穴注入缓冲层PEDOT∶PSS取向对OLED发光性能的影响

实验中以PEDOT∶PSS在ITO基片上旋涂作为空穴传输层,并且在旋涂PEDOT∶PSS的过程中在与ITO玻璃平面垂直的方向施加一个诱导聚合物取向的高压电场,试验着重研究了所加电场强度对双层器件:ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV/Al器件性能的影响。测试结果表明,旋涂时所加电场的大小对器件的发光强度和起亮电压都有明显的影响。随着所加电场的增大,器件发光强度明显增加,起亮电压减小。由此表明:在高电场作用下,聚合物分子链沿电场方向发生了取向,而且随着电场增强这种取向作用会表现得越明显,并且在PEDOT∶PSS膜表层会形成一个梯度变化的PSS聚集,使得从ITO到MEH-PPV的功函数逐渐上升,降低空穴注入势垒,增强了空穴的注入效率。     

用水物理模型表征纯水离子积

纯水被描述为离解成水合氢离子(H₃O)¹⁺和氢氧根离子(HO)^1-, 平衡常数在液态水的温度和压力范围内被称为离子积,即两种离子的平衡态浓度的乘积. 用非线性最小二乘法把实验数据拟合成基于化学热力学的平衡态方程. 本工作提出一个全新的、基于统计物理的水离子积方程,其中的离子为带正电的质子和带负电的质子空穴(质穴). 把0-100 ℃纯水的实验数据用非线性最小二乘法拟合的方程,给出的结果比35年工业标准更准确.     

染料聚集态中空穴传递的顺磁共振研究

本文应用了顺磁共振波谱技术,研究了染料J-聚集体对染料正空穴俘获电子的影响。实验所用乳剂是未经化学增感的溴化银(AgBr),染料用量2.5×10^-4摩尔染料/摩尔银。涂片厚度为3微米左右。     

Poisson比为1/2材料中球形空穴突变和球形空穴萌生的分岔问题研究

研究Ｐｏｉｓｓｏｎ比为１／２的Ｈｏｏｋｅ材料中,空穴的突变和萌生现象·求解一个球对称几何非线性弹性力学的移动边界（ｍｏｖｉｎｇｂｏｕｎｄａｒｙ）问题,空穴为球形,远离空穴处为三向均匀拉伸应力状态,在当前构形上列控制方程;在当前构形边界上列边界条件·找到了这个自由边界问题的封闭解并得到空穴半径趋于零时的叉型分岔解·计算结果显示,在位移＿载荷曲线上存在一个切分岔型分岔点（或鞍结点型分岔点、极值型分岔点）,这个分岔点说明在外力作用下空穴会发生突变,即突然“长大”;当球腔半径趋于零时,这个切分岔转化为叉型分岔（或分枝型分岔）,这个叉型分岔可以解释实心球中的空穴萌生现象