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111.
112.
利用微区Raman散射技术,对低压MOCVD生长的不同Al组分的AlxGa1-xN薄膜(x=0,0.07,0.15)进行了背散射Z(X,X)Z-几何配制下的测量.A1(LO)模式的声子频移随Al组分的变化关系为:ω(AlxGa1-xN)=(1+0.220x)ω(GaN).观察到了A1(LO)模式由于空间相关效应引起的展宽.E2模式随Al组分的的增大产生的移动很微小,但趋于展宽.这被认为是E2模式的声子频移随Al组分的增加而增大与其受到的张应力导致的声子频移随Al组分的增加而减小共同作用的结果.在多种配置下,观察到了Al0.07Ga0.93N薄膜的A1(TO)模式、A1(LO)模式、E1(TO)模式和E2模式.验证了AlxGa1-xN薄膜的Raman选择定则.表明AlxGa1-xN薄膜具有单模行为. 相似文献
113.
我们给出了一种分析集合流的n粒子横向关联函数方法,把对n粒子方位角关联的研究和集体性的计算推广到能够同时利用横向动量大小和方位角信息的情形.对于确定集合流的集体性而言,这种方法比仅仅利用方位角信息的多粒子方位角关联方法更为敏感.采用这种新方法,分析了Bevalac流光室1.2A GeV Ar+KC1碰撞中n粒子的横向关联,与蒙特卡罗模拟结果的对比推算了该碰撞中末态粒子的集体性是介于85%~95%之间. 相似文献
114.
本文研究高阻恒流源驱动的光发射二极管(LED)的输出光场的振幅噪声压缩与电,光量子效率,漏电流效应,泵浦残余噪声频率的关系,指出高阻恒流技术不仅使任意纵模产生振幅噪声压缩,而且由于仅在高阻恒流下各纵模间存在负量子相关,使得LED总输出光场的振幅噪声压缩加深。 相似文献
115.
116.
利用象增强器构成光电相关鉴相器面阵的研究 总被引:1,自引:1,他引:1
本文介绍了利用阴极可控的微通道板象增强器构成面阵型光电相关鉴相器的原理,采用了方波与正弦波相关的方案,在微通道板象增强器的光电阴极加上方波门控电压,把它作为参考信号,测量具有相位差的同频正弦波光信号,研究了它的一些基本特性,给出了这种面型鉴相器的潜在应用. 相似文献
117.
设计一种用归零码及多重相关解调技术的传输方案,并给了所需的几种抗干扰单元电路,最后结合实验说明了此方案可提高不良环境下传输数据的置信率。 相似文献
118.
119.
联合功率谱的高频成份对相关峰识别具有重要作用,实验中记录的联合功率谱随着频率的增加其强度迅速降低。为增强联合功率谱的高频成分,改善其调制程度,可对功率谱进行对数变换,从而有效保留更多的高频成份,压低零级衍射光斑,提高联合变换相关器的识别能力。 相似文献
120.
In a recent XUV photoabsorption spectrum of Cs Ⅲ ions by Cummings and O'Sullivan [2001 J. Phys. B 34 199], rather large linewidths were found for the 4d^95s^25p^6 - 4d^105s^25p^5 transition which are quite in disagreement with corresponding quasi-relativistic multiconfiguration Hartree Fock (MCHF) calculation. In the present work, a detailed multiconfiguration Dirac-Fock study has been carried out to explore this discrepancy. Owing to the detailed consideration of electron correlation effects, some ‘forbidden' Auger decay channels, such as 4d^105s^25p^35d and 4d^105s^05p^6, would become ‘open'. As a result, remarkable improvement of the linewidths has been obtained in our calculation. Furthermore, the theoretical Auger spectrum of the 4d^ 95s^25p^6 core-excited states of Cs Ⅲ ions is Riven in the present work. 相似文献