非等同两原子与相干态光场相互作用系统的腔场谱

研究了两个非等同二能级原子与单模相干态光场相互作用系统的腔场谱,讨论了相干态光场平均光子数(n)、非等同两原子与腔场间相对的耦合常数R=g2/g1分别取不同数值时腔场谱结构的新特性.发现随(n)和R的增加,腔场谱中内侧各峰升高并向共振频率ω0靠近,外侧各边峰逐渐降低并远离中心,形成以共振频率ω0为对称中心的多峰结构.在(n)＞＞1时,腔场谱中只出现经典共振峰.     

噻吩甲酰基吡唑啉酮缩β-丙氨酸配合物的合成、表征及极谱行为

在非水溶剂中 ,β 丙氨酸与 1 苯基 3 甲基 4 (2 噻吩甲酰基 )吡唑啉酮 5反应合成新型酰基吡唑啉酮席夫碱化合物 1 苯基 3 甲基 4 (2 噻吩甲酰基 )吡唑啉酮 5缩 β 丙氨酸 (HL) .通过回流席夫碱和金属硝酸盐合成了UO2 (Ⅱ )、Cu(Ⅱ )、Co(Ⅱ )和Fe(Ⅱ )金属配合物 .在乙酸 乙酸钠 (pH =4 .6 )缓冲溶液 饱和甘汞电极体系中 ,测量电位 - 1.2 4V处 ,测得铜配合物的极谱波 .元素分析及摩尔电导值表明 ,新配合物的组成为 [UO2 L2 ]·H2 O ,[CuL2 ]·2H2 O ,[CoL2 ]·2H2 O和 [FeL2 ]·2H2 O .运用红外光谱、紫外光谱、核磁共振谱、热谱和磁矩对配合物进行了表征 .结果表明 ,配合物的中心离子 (除UO2 2 + 以外 )均为 6配位 .铜配合物的Cu2 + 还原产生峰电流 ,其电极反应转移 1个电子 .     

核弹头惰层厚度的反解方法

高分辨γ探测技术是一种可靠的核弹头核查技术.通过模拟计算和实验标定的方法，研究特定核弹头模型出壳γ射线强度与吸收材料厚度的关系，提出了一种简便的反解核弹头惰层厚度的方法，并讨论了该方法的应用条件.     

具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究

采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点/InAlAs浸润层结构.通过选取合适的In组分 ，使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当，从而使浸润层的量子阱特征消失.通过低温光致 发光（PL）谱的测试分析得到InGaAs量子点/InAlAs浸润层在样品中的确切位置.变温PL谱的 研究显示，具有这种结构的量子点发光峰的半高全宽随温度上升出现展宽，这明显区别于普 通InGaAs量子点半高全宽变窄的行为.这是因为采用了InAlAs浸润层后，不仅增强了对InGaA s量子点的限制作用，同时切断了载流子的 关键词： InGaAs量子点 InAlAs浸润层 PL谱     

高斯函数算法在模拟解析热分析谱图中的应用

模拟和解析了ＣｕＳＯ４·５Ｈ２Ｏ和ＮＨ４ＮＯ３的ＤＴＡ峰谱图。通俗化地简介决定峰形的三参数（Ｃ０、Ｔ０和Ｈ０）经由实验谱图来测算的方法；合成法分峰微机处理技术；不分峰而由参数直接求算反应温度和峰面积（包括重叠峰内）的算法原理和具体步骤。为科研和实验教学解谱提供简便易行的方法。     

γ射线辐照对a-SiC:H薄膜结构与特性的影响

 采用射频（13.56 MHz）反应溅射方法制备a-SiC:H 薄膜，并将其在空气中进行高能γ射线(平均为1.25 MeV)辐照，5个样品的吸收剂量分别为0，2×10⁴，4×10⁴，6×10⁴，8×10⁴ Gy。采用拉曼及红外光谱对薄膜的结构进行表征,得到了其结构与特性的变化规律。研究与分析表明：随样品吸收剂量的增加，陷入空穴中的电子会被激发，a-SiC:H薄膜中的SiC成份增加，电阻率变小，数量级为105Ω·cm；薄膜存在结晶化的趋势,其主要原因在于由Si－O－Si键断裂而产生的Si取代膜中C－C键中的C而形成晶态SiC，在此过程中出现了Si－O－Si键及a-SiC:H的减少，晶态SiC的增加。经γ射线辐照后薄膜的氢含量降低，折射率从5.19增大到5.53，辐照后薄膜的透过率均低于原膜的透过率。在500~2 300 cm^-1(对应波长为20.00~5.29 μm)波段内，a-SiC:H薄膜存在一定的增透作用。