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91.
在GaAs吸收带边附近, 利用磁光Kerr效应测量了(Ga,Mn)As和p-GaAs样品的电流诱导Kerr旋转谱和反射谱, 两者都呈现出Lorentz曲线形状. 电流诱导Kerr旋转角和反射率随着电流的增大而增大, Kerr角与电流的大小成正比关系, 反射率与电流的平方成正比关系. (Ga,Mn)As的Kerr旋转角比p-GaAs的大了一个数量级, 这说明Mn原子的掺杂使得电流诱导的自旋极化增强. 另外, 还测量了温度和入射光偏振方向对电流诱导Kerr旋转谱和反射谱的影响. 发现随着温度的升高, Kerr谱和反射谱均向长波方向移动, 这与GaAs带边随温度的变化是一致的. 相似文献
92.
在前文建立的分相共存快速床动力学模型的基础上,对分相模型中存在颗粒团聚物时的上升稀相进行了受力分析。以有限直径提升管中颗粒终端速度的修正,导出了上升稀相受力关于等效管径与浓稀相滑移速度的修正表达式。将本模型预报的上部稀相固含率与已有的实验数据经验关联式进行了对比,并根据所得结果初步优化了模型参数(k=8,n=6)。进而,根据所得模型参数计算了下部浓相固含率随曳力函数f(ε)的变化规律;与李佑楚经验关联式相比,同样具有合理的一致性。本文工作进一步验证了快速床动力学统一模型的整体合理性。 相似文献
93.
4-氯酚稀水溶液的脉冲辐解研究 总被引:10,自引:0,他引:10
利用脉冲电子束进行了多种条件下4-氯酚稀水溶液的脉冲辐解研究,对其瞬态光谱中的主要吸收峰作了归属,并初步考察了这些瞬态物种的生长、衰减等行为,研究表明,·OH基与4-氯酚在碱性条件下反应生成氯代酚氧基,速率常数为4.14×10^9L/(mol·s),在酸性条件下要经过OH-adducts;H原子与4-氯酚反应生成H-adducts的速率常为2.0×10^9L/(mol·s),产物可通过双分子二级反应逐步脱氯;eaq^-可直接从4-氯酚分子夺氯,反应速率常数为1.82×10^9/L(mol·s)。 相似文献
94.
水热法合成Mnx Zn1-xO微晶体 总被引:1,自引:1,他引:0
本文采用水热法合成了MnxZn1-xO晶体,水热反应条件为3mol·L-1KOH作为矿化剂,填充度为35;,温度为430℃,在Zn(OH)2中添加一定量的MnO2为前驱物,反应时间为24h.通过X射线能谱仪测量了晶体中的Mn含量,随着前驱物中MnO2含量的增加,晶体中Mn的原子百分比随着增加,Mn最大原子百分比含量超过了2;,晶体的形貌具有纯ZnO晶体的六角柱形特征.显露柱面m{1010}、锥面p{1011}、负极面O面{0001}和正极面{0001}.晶体直径为50~200μm,高度为20~100μm. 相似文献
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98.
99.
100.
采用水热法,以CoCl2·6H2O为前驱物,KOH作为矿化剂合成了掺钴氧化锌稀磁半导体晶体。利用扫描电子显微镜(SEM)及X射线能谱仪(XREDS)对合成晶体的微观形貌、表面及内部掺杂元素Co的相对含量和分布的均匀性进行了研究。研究结果表明:水热法合成的掺Co氧化锌晶体具有多种微观形貌,较大的晶体具有极性生长特性。随晶体形貌不同,显露面也发生了相应改变。不同微观形貌的晶体其Co含量有所差异,较大的晶体掺杂Co元素相对含量大于较小的晶体,+c(1011)显露面Co元素的含量比+c(1010)面高,锥柱状晶体其区别尤为明显。大的晶体内部存在着少量的氧化钴团簇,晶体表面与晶体内部Co元素分布相对均匀。由于Co2+具有磁性,因此,氧化钴团簇的存在将对氧化锌稀磁半导体晶体的磁性产生一定的影响。 相似文献