聚合物载体-稀土金属络合物的研究 Ⅵ.聚合物载体-钕络合物对丁二烯聚合的催化活性

 红外光谱研究表明,苯乙烯-丙烯酸共聚物载体-钕络合物具有双配位的羧酸根结构,Nd-O键富有共价性。考察了载体钕络合物催化丁二烯聚合的一般规律,载体钕络合物的组成与聚合活性的关系。在溶剂THF或二氧六环的存在下制得的苯乙烯-丙烯酸共聚物最适宜于合成高活性的载体钕络合物。功能团-COOH含量大约12％,金属钕含量与功能团含量摩尔比在0.20左右的载体钕络合物催化活性最佳。     

ZBLAN玻璃中三价铒离子 2H11/2,4S3/2辐射跃迁的量子效率

为了探讨铒离子掺杂材料的激光制冷可能性, 依据测量样品的吸收光谱, 计算了Er3 掺杂的ZBLAN玻璃材料的Judd-Ofelt参数, 得到Ω2=3.01×10-20 cm2, Ω4=1.59×10-20 cm2, Ω6=1.03×10-20 cm2, 进而获得了2H11/2, 4S3/2及其以下各能级间跃迁的跃迁几率、分支比、寿命等数据. 测量了77 K到315 K温度范围内Er3 较强的两个绿色发射2H11/2, 4S3/2→4I15/2的发射谱及荧光寿命. 讨论了2H11/2, 4S3/2这样处于热平衡中的两个能级的量子效率的计算方法, 进而计算了它们的量子效率, 并与其它材料进行了比较.     

CaBPO5：RE（RE=Eu，Tb）的水热合成及其发光特性

利用水热法合成了CaBPO5：RE(RE=Eu，Tb)荧光体并测试了其结构和光谱，讨论了其发光性质，并与高温固相法合成的产物作了对比．结果表明，由于电子转移。Eu^3 ,Tb^3 和Eu^2 共存于同一体系中，而且Eu^2 的发射位置从402nm移至428nm,在双掺杂体系中引入Ce^3 ．Eu^3 ，Tb^3 和Eu^2 的发光强度均有所增强,这可能是Ce^3 与Eu^3 之间的电子转移及各种稀土离子之间能量传递相互竞争的结果。     

2-(4’-羧基苯基)咪唑-4,5-二羧酸构筑的稀土(Gd,Dy)MOFs的合成、晶体结构及与DNA作用

由2-(4’-羧基苯基)咪唑-4,5-二羧酸(HCPhIDC,C12H8N2O6,H4L)和稀土硝酸盐合成了两个稀土配合物[Ln(HCPhIDC)(H2O)2]·3H2O(Ln=Gd(1),Dy(2)),通过元素分析、红外光谱对其进行表征,用单晶X射线衍射方法测定了配合物的晶体结构。结构分析表明:两种晶体属于异质同晶型,同属于三斜晶系,空间群为P1,具有(3,6)-双节点的二维(43)(46·66·83)拓扑结构。测定了配体和配合物与EBDNA体系的作用,结果表明:配体本身对DNA的插入作用很强,而在与稀土离子形成配合物以后,其插入作用反而减弱,这是由于配体本身的分子结构具有良好的平面性,可以很好地插入到DNA的双螺旋结构中,当形成配合物后,整个分子的平面性反而降低了,从而导致插入作用减弱,因此猝灭常数大大降低。     

稀土离子(Gd3+,Eu3+)加载于纳米介孔ZrO2中的发光

水热合成法制备的高度有序多孔ZrO2具有规则六角排列，均匀纳米孔洞（约1．8nm)，丰富的表面，界面态及比表面积和强的蓝－（近）紫外光发射，使其较常规体材料有更优异的性质，以稀土离子为探针，研究了Gd^3 ,Eu^3 在这些纳米微孔中的发光行为，结果表明，500摄氏度下，介孔ZrO2与稀土离子相作用并有效地将能量传递给稀土离子，增进稀土离子发光，而在ZrO2:Gd-Eu体系中，Gd^3 在ZrO2与Eu3 间起桥梁作用，使基质ZrO2→Eu^3 的能量传递更为有效。     

Ca3La(BO3)3：Tb3+的合成与发光性质

高温固相反应法合成了Ca₃La(BO₃)₃:Tb³⁺光致发光材料。利用扫描电镜和激光衍射分析仪测定了样品的晶粒形貌及粒径大小分布,利用荧光分光光度计研究了Ca₃La(BO₃)₃:Tb³⁺的光致发光特性。确定了在Ca₃La(BO₃)₃基质中Tb³⁺离子浓度对其发光强度的影响及其自身浓度猝灭机理;探讨了助熔剂Li₂CO₃、敏化剂Ce³⁺离子的加入对荧光粉发光强度的影响。     

Ga空位对GaN:Gd体系磁性影响的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理结合投影缀加平面波的方法,研究了GaN中Ga被稀土元素Gd替代以及与邻近N或Ga空位组成的缺陷复合体的晶格常数、磁矩、形成能以及电子结构等性质.结果发现,Gd掺杂GaN后禁带宽度变窄,由直接带隙半导体转为间接带隙半导体;单个Gd原子掺杂给体系引入大约7μB的磁矩;在Gd与Ga或N空位形成的缺陷复合体系中,N空位对引入磁矩贡献很小,大约0.1μB,Ga空位能引入约2μB的磁矩.随着Ga空位的增多,体系总磁矩增加,但增加量与Ga空位的位置分布密切相关.当Ga空位分布较为稀疏时,Gd单原子磁矩受影响较小,但当Ga空位距离较近且倾向于形成团簇时,Gd单原子磁矩明显增加,而且这种情况下空位形成能也最小.     

镨掺杂Bi2Sr3Co2O9+δ电子结构的XPS研究

研究了Pr掺杂Bi2Sr3Co2O9+δ体系的X射线光电子能谱,发现随着体系中Pr掺杂量的增大,内层电子结合能有缓慢增大的趋势,但掺杂量达到0.6时,测得的电子结合能减少0.4 eV左右,与分析材料中费米能级变化引起的结合能变化趋势相反.考虑到掺杂量达到0.6时,材料发生金属-绝缘体转变,所得到的表观结合能减少可能是绝缘体样品相对于样品底座存在正的电势差所引起的.     

纳米氧化铝微柱富集-等离子体发射光谱法测定植物中痕量稀土元素

以负载了1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-吡唑酮[5](PMBP)的纳米氧化铝为微柱吸附材料，采用等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)，系统地研究了其在动态条件下对稀土离子Sc^3 、Y^3 和La^3 的吸附性能，并确定了最佳吸附及解脱条件。实验结果表明：在pH为4．5时，分析物均可被上述吸附材料定量吸附；用0．5moL／L盐酸溶液可将吸附在微柱上的稀土离子完全解脱。本法对Sc^3 、Y^3 和La^3 的检出限分别为0．16、0.19和0．39μg／L；相对标准偏差(RSD)分别为2．7％、3．2％和1．6％(n=9，C=0．5mg／L)。方法应用于植物标样中痕量Sc、Y和La的测定，其测定值与标样值吻合很好。     

ZnS:Tm的薄膜电致发光及激发过程

用电子束蒸发的方法制备了传统的双绝缘层的ZnS:Tm的薄膜电致发光器件，对其电致发光谱进行分析，在光致发光中，Tm离子受到基质ZnS的无辐射能量传递，而在电致发光中，Tm被过热电子碰撞激发而非能量传递，在所研制的电致发光器件中，稀土TmF3掺杂浓度不同，器件的发光性能也不同，在双绝缘层的ZnS:Tm的薄膜电致发光器件的基础上，改变器件的结构，发现器件的蓝光发射与红光发射之比增加，并对Tm离子可能的发光机理进行了探讨。