射频磁控溅射法制备薄膜电池电极的计算机模拟初步

计算机模拟仿真射频磁控溅射实验制备薄膜及离于电池电极,研究了在特定实验条件下薄膜的生长过程,并分析了影响薄膜生长的部分因素。     

解可分离约束双凹规划问题的一种外逼近方法[英文]

在本文中，我们提出了双凹规划问题和更一般的广义凹规划问题。我们给出了双凹规划问题的整体最优性条件，并构造了一个有限终止外逼近算法。     

c轴定向氮化铝薄膜的制备

利用电子回旋共振 (ECR)微波增强化学气相沉积法 (PECVD)并使用氮气 (N2 ) ,氩气 (Ar)和AlCl3蒸气作为气源在直径为 6 .35cm的 (10 0 )单晶硅片表面制备了c轴定向氮化铝 (AlN)薄膜 ,并使用X射线衍射仪及其X射线特征能谱和扫描电镜 (SEM)分析了薄膜特征 ,研究了微波功率、基板温度和N2 流量对薄膜c轴定向的影响 ,得到了c轴偏差角小于 5°的高质量大面积AlN薄膜。     

Ce偶-偶同位素低激发态性质的IBM2描述

通过考虑同类核子相干对间的四极相互作用，在IBM2中对Ce偶－偶同位素^128Ce-^138Ce的低激发态能谱和E2跃迁几率及分支比进行了理论分析，计算结果有效地改善了IBM中这些核的γ带能谱的Staggering现象描述，与实验观察到的低激发态结果基本一致。     

双－全氟烷基氮氧自由基从取代苯甲醛的攫氢反应──用EPR方法建立取代基自旋离域参数σ的新尝试

Ｒ_ＦＮ（Ｏ　）Ｒ_Ｆ和Ｒ_ＦＮＯ的Ｆ１１３溶液在室温下与一系列的对位取代苯甲醛反应，得到稳定的对位取代苯甲酰基全氟烷基氮氧自由基。由△ａ_Ｎ和△ａ_Ｆ~β的σ单参数相关以及△ａ_Ｎ与σ和σ　双参数相关表明：极性效应是影响氟烷基酰基氮氧自由基中氮原子自旋密度变化的主要因素，而自旋离域效应的影响是很小的。     

TC2模型与轻子味破坏过程l_i→l_jν_l_l

许多超出标准模型的新物理预言了非普适规范玻色子Z′的存在 .此粒子可产生许多新物理现象 .本文计算了顶色辅助的人工色 (TC2 )模型预言的非普适规范玻色子Z′对轻子味破坏 (LFV)衰变过程li→ljνl νl 的贡献 .结果表明 ,在整个参数空间内 ,过程τ± →ljντ ντ 的分支比比τ± →ljνl νl(l =μ ,e)的分支比大得多 .考虑实验测量值上限Brexp(μ→ 3e)≤ 1× 10 -12 对TC2模型的自由参数的限制 ,我们给出了一些轻子味破坏过程的上限 .在大部分参数空间中 ,分支比Br(τ± →ljντ ντ)～ 10 -6,Br(τ± →ljνl νl)～ 10 -9.这些结果可以用来部分地解释中微子振荡数据 ,将来的高能实验有可能探测到此新物理效应 .     

测定异常散射因数的强度比法

本文对测定异常散射因数的强度比法做了考察,并用这种方法较好地测定了GaAs中Ga原子在其K吸收限附近的异常散射因数,对该方法在使用中遇到的问题,进行了处理和讨论。 关键词：     

有理同时Chebyshev逼近的一致强唯一性

本文研究了广义有理同时 Chebyshev 逼近的一致强唯一性.首先,我们举例说明经典的 Chebyshev 逼近的结果不能直接推广到同时 Chebyshev 逼近情形,其次给出了使 inf_(F∈Γ)γ(F)>0的充分条件.其中γ(F)是 F 的广义有理同时 Chebyshev 逼近的强唯一常数.最后,我们研究了所给条件的必要性.     

通过J/Ψ→N(N-)M衰变研究N*时的核子极点效应

研究了J／Ψ→pp^-π衰变过程中核子极点图的贡献，特别是由离壳效应带来的贡献．发现衰变宽度对形状因子是敏感的．在通过用J／Ψ→pp^-π衰变研究N^*时，核子极点图作为背景道的贡献是非常重要的；在通过J／Ψ→pp^-η和pp^-η研究N^*时，核子极点图的贡献可忽略不计；在通过J／Ψ→pp^-ω研究N^*时，核子极点图有明显的贡献．     

旋转带电体磁矩计算的若干法则与算例

本文在文献 [1]、[2 ]等的基础上给出关于旋转带电体的磁矩计算的若干法则 ,均以定理形式表达 ,并列表枚举其相关算例