Si1－xGex/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1－xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。     

原子磁芯片与量子回路

 在过去几年中,物理学家们研究出了多种可把原子云团冷却到温度低于1微开(μK)的技术。处于这些云团中的原子是如此之冷,以至于它们不能再被看作是遵守牛顿定律的经典粒子,而应被看作是由量子力学所描述的可传播、衍射和相互干涉的波。现在,人们已经可以把冷原子囚禁在横向尺寸只有100纳米的量子点内,也可使之在长的狭管中流动,就像电子在很细的导线中流动一样。人们开始注意到一种全新的技术的可能性,这一技术与微电子技术相类似,只是它基于受控冷原子流及原子之间的相互作用。这种被称为“原子芯片”的器件可以利用量子力学原理来完成非同寻常的测量或计算工作。     

聚变等离子体中的快离子压强

本文运用Fokker-Planck方程的慢化近似,考虑存在多种离子成份(包括杂质),假定它们具有共同的温度,我们得到了聚变产生的快离子压强的简单封闭形式表示式。表明在典型的工作温度下(～60keV),D-~3He等离子体中聚变产生的快离子压强约为本底热压强的20％,这与D-T等离子体工作在20keV时的比值几乎相同。因此,D-~3He和D-T在它们相应的预期工作温度下,它们各自的快离子压强对总压强的影响是类似的,然而在更高的温度下,这个比值将变得更大。