厚活化箔群截面的加工制作方法

在利用活化法进行中子能谱的测量过程中，需要使用活化探测箔的多群截面。许多时候，由于设备、装置本身所能提供的中子注量率水平非常低，为了在合理的时间内使活化箔活化后的活度达到一定水平，需要采用较厚的活化箔。而目前在原始评价截面数据库来源中，都是ENDF格式的数据库。为此，需要首先将此ENDF格式的数据库转化为无限稀释多群截面，然后根据实验所采用的活化探测箔的厚度，将此无限稀释多群截面转换为解谱所需的相应厚度的活化箔多群截面。     

棒状纳米纤维素仿生矿化及光谱分析

以棒状纳米纤维素为模板,采用仿生矿化的方法制备纳米纤维素/纳米羟基磷灰石复合材料。并利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜能谱分析(SEM-EDAX)对仿生矿化前后纳米纤维素中碳、氧、钙、磷元素的变化情况及分布状态进行了表征,并探讨了纳米羟基磷灰石的生长机理。结果表明纳米纤维素表面形成了纳米羟基磷灰石;纳米纤维素的碳氧比为1.81,仿生矿化后下降为1.54;仿生矿化后纳米纤维素的钙磷比nCa/nP=1.70;纳米羟基磷灰石成核是在纳米纤维素的羟基上,并且纳米纤维素表面羟基和纳米羟基磷灰石的钙离子之间发生了配位作用。纳米羟基磷灰石较为均一的形成在纳米纤维素的基体中。通过原子力显微镜(AFM)图片可以看出,直径为20nm左右的羟基磷灰石生长在纳米纤维素的表面。     

采用FTIR和电子能谱EDS指纹图谱直观比对鉴定右归丸济生肾气丸

结合FTIR和电子能谱EDS指纹图谱,鉴别了两种组成相近的中药复方右归丸和济生肾气丸.测定右归丸和济生肾气丸样品氯仿提取物的红外指纹图谱,依据W检验理论判别方法精细建立两种中药复方红外指纹图谱的特征吸收峰组,确定了各个特征吸收峰相对应的特征分子基团和药物成分组成.同时测量两种中药复方原药粉末样品的EDS指纹图谱.根据两...     

原位FTIR和XPS研究汽油选择性加氢脱硫催化剂的活性和选择性

为减少汽车尾气排放,应对越来越严格的燃油质量标准,对催化裂化汽油进行选择性加氢脱硫(HDS)是生产低硫汽油的重要技术.提高HDS活性、减少烯烃的饱和是选择性加氧脱硫催化剂研制的关键,而催化剂中活性相状态及其分布将决定催化剂的性能.认识催化剂的活性相状态及其与催化剂性能的关系,有助于研制、开发高性能的HDS催化剂.采用C...     

用节点变分的代数方法研究双原子体系的完全振动能谱和离解能

对于使用实验数据作为原数据进行的数值计算, 由于实验误差的普遍存在, 在数值计算过程中可能存在对实验误差的放大效应, 使得微小的实验误差对数值计算的结果产生明显影响. 因此本文通过在AM (algebraic method) 方法中加入用以抵消实验误差的微小变分项δE, 从而将AM改进为节点变分的代数方法VAM (variational algebraic method). 该方法具有更广泛的适用范围, 尤其对处理那些实验数据较少、 误差较大、 已知的实验振动能级远离体系离解能的双原子体系效果明显. 本文利用VAM方法研究了AM方法难以处理的5¹Π_u⁷Li₂, (6d)¹Δ_g Na₂, (7d)¹Δ_gNa₂ 和5¹∑⁺ NaK 等不同碱金属双原子分子的完全振动能谱与离解能, 不但得到了与实验数据精确相符的理论结果, 还正确地预言了许多由于实验条件与技术原因而未能测得的物理数据. 充分表明了VAM 方法的可行性与正确性. 此处对数值误差的分析和物理思考对其他精确的数值计算 或数值模拟研究也有积极的参考意义.     

Bi-Sb-Te基热电薄膜温差电池离子束溅射制备与表征

本文采用离子束溅射Bi/Te和Sb/Te二元复合靶,直接制备n型Bi₂Te₃热电薄膜和p型Sb₂Te₃热电薄膜.在退火时间同为1 h的条件下,对所制备的Bi₂Te₃薄膜和Sb₂Te₃薄膜进行不同温度的退火处理,并对其热电性能进行表征.结果表明,在退火温度为150 ℃时,制备的n型Bi₂Te₃关键词： 薄膜温差电池 2Te₃薄膜')" href="#">Sb₂Te₃薄膜 2Te₃薄膜')" href="#">Bi₂Te₃薄膜 离子束溅射     

微纳尺度俄歇电子能谱新技术开发及其应用进展

随着纳米结构材料的广泛应用,新型微纳尺度表征技术成为纳米科学技术发展的重要途径。本文基于局域电子信息全面性的思想,从俄歇电子能谱的原理出发,理论推导出俄歇价电子能谱的简明表述方式,确定俄歇价电子能谱与微观电子结构信息的内在联系和物理意义,建立了俄歇电子能谱探测微区一系列宏观参量的新技术。其中应力测量技术的空间分辨率可优于20nm,为微纳尺度力学测量的发展提供了重要的方法;非接触性的局域电学性质测量技术,超越了传统电学测量方法的思想框架,实现了无外场驱动的电荷密度分布、电场分布等本征电学性质表征、以及半导体异质结构整个空间区域的能带构造;结构相的测定技术,使纳米微区材料的晶体结构相识别成为可能;半导体微区导电类型测定技术,延续了非接触性电学测量的优点,并且能够灵活地探测分析复杂光电器件结构中不同区域的导电类型分布。通过实际应用于侧向外延GaN不同区域、AlxGa1-xN/GaN超晶格量子阱结构、ZnO纳米颗粒等纳米尺度复杂体系的微区宏观性质探测,获得应力/应变、电荷密度/电场、结构相以及导电类型及其分布等结果,验证了所建立的测量技术的有效性和可靠性。     

极坐标系统下进行直角坐标扫描的离子束抛光

在离子束抛光设备研制过程中,离子源扫描运动方式的选择是很关键的,一般分为直角坐标方式扫描和极坐标方式扫描两种。根据两种扫描方式的特点,在极坐标系统下进行直角坐标扫描方式加工。该种方法采用直角坐标扫描方式下的驻留时间计算,算法相对简单。该种方法在极坐标系统下进行加工,同等情况下可加工圆形镜面的口径比直角坐标系统下更大些;而且离子源的可移动区域是一条直线,其余地方可以摆放其他设备,空间利用率较高。对这种新思路进行仿真分析,证实了其具有可行性。