Diamine的光、电性质及其在有机薄膜电致发光器件中的应用

合成了芳香族二胺类衍生物(diamine),测定了它的光、电性质.制备了diamine作为空穴传输层的二层结构有机薄膜电致发光器件,使器件的发光亮度相对单层器件有了很大的提高.并用不同区域掺杂的方法,探讨了电致发光机理.分析、讨论了激子的形成和复合区域,较好地解释了单、双层器件的不同的电流电压关系和不同的亮度电压关系.从激子的扩散方程出发,对双层掺杂器件的发光强度比数据进行了拟合,确证了激子的扩散模式.     

Bi（Pb）SrCaCuO超导陶瓷材料的铂掺杂效应

利用氯铂酸铵对铋系超导陶瓷进行铂掺杂，既能改善Ｂｉ（Ｐｂ）ＳｒＣａＣｕＯ陶瓷的烧结性能，又可能提高其超导特性。通过ＸＲＤ和ＳＥＭ分析发现一定含量的铂掺杂能使铋系超导陶瓷晶粒定向排列。中讨论了铂掺杂对铋系超导陶瓷材料磁化率和磁滞回线的影响。     

偶氮基染料掺杂薄膜的双光子图象存储

研究了偶氮基染料掺杂薄膜ＭＯ－ＰＶＡ和ＥＯ－ＰＶＡ的双光子存储特性。在对薄膜用Ａｒ＾＋激光作预激发下实现了Ｈｅ－Ｎｅ激光的红光存储。获得了实时和短时存储照片。光电记录存储曲线，分析了双光四能级系统的存储机制。实现确定了最佳预激发功率约为０．２８Ｗ／ｃｍ＾２，最小Ｈｅ－Ｎｅ光可存储功率密度低于０．２Ｗ／ｃｍ＾２。     

三氧化钨电致变色薄膜最佳掺杂含量的理论计算

介绍电致变色薄材料最佳掺杂含量的定量理论。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系，给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系，进而得到了一个最佳掺杂含量的表达式。分析三氧化钨电致变色薄膜材料的掺杂改性的实验结果，应用最佳掺杂含量表达式定量计算了三氧化钨以及三氧化钼电致变色薄膜材料的最佳掺杂含量，定量计算的结果与实验数据相符合。该理论方法也适用于其他材料最佳掺杂粒子数分数的理论计算。     

磷的掺杂对碳负极材料性能的影响

研究了磷酸的引入对以聚丙烯腈为基体碳负极材料性能的影响．元素分析、ＸＰＳ及ＸＲＤ分析结果表明，磷在碳材料中与碳及氧原子相结合．磷酸的引入在较低的温度（６００℃）下有利于聚丙烯腈－ＣＮ基的环化、脱氢碳化过程，使氮的含量及ｇｒａｐｈｅｎｅ氮的相对含量增加，磷的键合使碳材料的层间距反而增加，因此位于０．９Ｖ以上及以下的可逆容量均随磷酸的加入量的增加而增加，总的可逆容量高达５２４ｍＡｈ／ｇ．而在较高的温度（１０００℃）下，碳化程度变化不大，主要表现为磷原子的掺杂效果，其引入使位于１．０Ｖ左右的可逆容量增加     

纳米ZnO胶体可见发射机制的研究

关于ZnO可见发射机制的讨论目前尚无定论。本文研究了不同颗粒尺寸的纳米晶ZnO胶体的发射性质,观测到两个发射带,其中之一是激子发射,另一个是可见发射;发现两个发射带的峰值能量之间存在线性关系,并由此提出了可见发射机制是来自导带的电子到深陷阱的跃迁。     

Magnetic and Electrical Transport Properties of Sr1-xLaxRuO3 (0≤x≤0.10)

We investigate the lightly doped polycrystalline Sr1-χLaχRuO3 （χ = 0, 0.02, 0.08 and 0.10）. With La doping, the ferromagnetism in the system has been suppressed. The transition temperature is T＇c at which the long-range ferromagnetism establishes and the magnetization under 3 T at 5 K decreases with increasing χ. In contrast to Sr1-χCaχRuO3, the samples remain with the PM-FM transition at 162K, which might be attributed to the valency change of Ru.