全文获取类型
收费全文 | 7215篇 |
免费 | 4623篇 |
国内免费 | 1483篇 |
专业分类
化学 | 1791篇 |
晶体学 | 181篇 |
力学 | 785篇 |
综合类 | 168篇 |
数学 | 1058篇 |
物理学 | 9338篇 |
出版年
2024年 | 77篇 |
2023年 | 206篇 |
2022年 | 278篇 |
2021年 | 259篇 |
2020年 | 199篇 |
2019年 | 245篇 |
2018年 | 225篇 |
2017年 | 254篇 |
2016年 | 319篇 |
2015年 | 363篇 |
2014年 | 725篇 |
2013年 | 579篇 |
2012年 | 614篇 |
2011年 | 640篇 |
2010年 | 636篇 |
2009年 | 724篇 |
2008年 | 773篇 |
2007年 | 658篇 |
2006年 | 654篇 |
2005年 | 679篇 |
2004年 | 612篇 |
2003年 | 523篇 |
2002年 | 409篇 |
2001年 | 356篇 |
2000年 | 275篇 |
1999年 | 268篇 |
1998年 | 248篇 |
1997年 | 218篇 |
1996年 | 201篇 |
1995年 | 170篇 |
1994年 | 161篇 |
1993年 | 136篇 |
1992年 | 133篇 |
1991年 | 164篇 |
1990年 | 134篇 |
1989年 | 85篇 |
1988年 | 28篇 |
1987年 | 33篇 |
1986年 | 13篇 |
1985年 | 18篇 |
1984年 | 11篇 |
1983年 | 8篇 |
1982年 | 10篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
以铝酸镧(001)单晶为基片,采用两步法制备Tl2Ba2CaCu2Oy(Tl 2212)高 温超导薄膜.首先,利用脉冲激光沉积(PLD)工艺沉积Ba2CaCu2Ox非晶前驱体薄膜;然后,前驱体薄膜在高温(720—850℃)下密封钢容器里铊化结晶形成Tl 2212薄膜.XRD结果表明Tl2212 薄膜是沿c轴方向生长的,其相组成为Tl 2212,摇摆曲线(0012)的半高宽为0.72° ,SEM图像显示其表面光滑平整,其零电阻温度为106.2K.
关键词:
Tl 2212超导薄膜
脉冲激光沉积 相似文献
42.
基于Gross-Pitaevskii方程,运用有效化学势概念,研究了囚禁在组合势(由磁阱和三维光 晶格组成)中玻色凝聚气体在三维光晶格中的分布规律,并由此得到玻色凝聚气体的归 一化基态波函数.在取消组合势和仅取消光晶格而保留磁阱的两种情况下,运用传播子方 法求解出玻色凝聚气体密度分布的解析表达式.取消组合势后,理论计算所得到的玻色凝聚 气体聚随时间的演化规律与Greiner等的实验结果相一致.仅取消光晶格而保留磁阱时,研 究表明玻色凝聚气体的干涉模式呈现周期性的振荡行为.此外,在磁阱为各向异性的情况下 ,
关键词:
玻色凝聚气体
磁阱
光晶格
干涉模式 相似文献
43.
44.
在等离子体增强化学气相淀积系统中,采用aSi:H层淀积和原位等离子体氧化相结合的逐层生长技术制备了aSi:H/SiO_2多层膜.在激光诱导限制结晶原理基础上,使用KrF准分子脉冲激光为辐照源,对aSi:H/SiO_2多层膜进行辐照,使纳米级厚度的aSi:H子层晶化.Raman散射谱和电子衍射谱的结果表明,经过激光辐照后纳米Si颗粒在原始的aSi:H子层内形成,晶粒尺寸可以根据aSi:H层的厚度精确控制.还研究了样品的光致发光(PL)特性以及激光辐照能量密度对PL性质的影响.
关键词:
脉冲激光
多层膜
限制结晶 相似文献
45.
信息化时代随着计算机技术的普及来到我们面前,其突出表现是信息总量和信息交换的剧增,因此,发展海量存储技术日趋重要。随着信息及计算机技术的不断发展,对其作为主要工具的记录媒体的需求越来越大,要求越来越高。记录媒体中大多数磁盘、磁光盘、光盘是以相关靶材磁控溅射而成的,因此,为满足信息记录媒体的高密度化、小型化和低价格化,需要对其相关靶材的成分、制造工艺、性能和溅射工艺做进一步研究。目前,随着新材料的开发和记录媒体的发展,磁光盘、光盘用靶材市场在不断增长。尤其近几年CD、VCD、DVD市场的迅速扩大,其相关靶材的前景也日益被看好。 相似文献
46.
47.
48.
波长19.6nm的类氖锗X光激光适合作为诊断激光等离子体界面不稳定性的光源。用经过实验检验的系列程序对预-主短脉冲驱动类氖锗进行了系统的优化设计和理论分析。采用2%~3%的预脉冲强度,6~8ns的预-主脉冲时间间隔,在4×1013W/cm2功率密度驱动下, 波长19.6nm增益区的宽度可以超过60μm,增益区的维持时间可以达到90ps。对于16mm长的平板靶,增益系数可达11.8/cm;弯曲靶增益系数可达13.3/cm;单靶小增益长度积可达21.3,单靶就可以获得饱和增益。采用双靶对接,其小讯号增益可达38.4,可以获得深度饱和增益,能满足应用演示所需的X光激光光源。 相似文献
49.
50.
将爆磁压缩等效为电流源的方法,对爆磁压缩发生器通过脉冲变压器对脉冲形成线充电进行了理论分析,得出爆磁压缩发生器在负载上产生电流波形(简称负载电流)为直线情况和任意电流波形情况下充电电流和充电电压的表达式。分析表明变压器耦合互感与负载电流随时间变化增长率是脉冲形成线充电的两个重要参数,脉冲形成线第一个充电电压峰值与变压器的耦合互感和负载电流波形斜率成正比,负载电流波形斜率的变化可以改变充电电压峰值的时间,斜率不断增加可以延长第一个充电电压峰值时间,从而可能增加充电电压的幅值,提高爆磁压缩发生器能量的利用效率。 相似文献