硬盘驱动器巨磁电阻(GMR)磁头:从微米到纳米

近年来电脑硬盘存储密度的飞速增长(年增长100％)已超出摩尔定律的预言．这种惊人的高速增长中，最关键的因素是自旋阀纳米多层膜结构，即巨磁电阻(GMR)读传感器磁头的应用．事实上，巨磁电阻磁头读传感器(reader sensor)已经实现由微电子器件向纳米电子器件转化，并且形成大规模产业．这一过程包含了自旋电子学、材料科学、微电子工程学、化学、微机械力学和工程学等诸学科和相关微加工技术综合性挑战极限，进入纳米科技领域实质性进步．     

超磁致伸缩材料国际会议情况介绍

日本高科技协会，于1996年11月6日-8日在美国夏威夷火努鲁鲁的日本东海大学太平洋中心组织召开了稀土超磁致伸缩材料基础和应用研究的国际会议．超磁致伸缩材料GMM（GiantManetostrictiveMa．tenals）为稀土元素钛Tb（Terbium）、镐Dy（DysPro－sium）和铁Fe的合金化合物，其基     

第二讲 高温超导约瑟夫森结技术及其应用

高温超导约瑟夫森结技术近年来发展很快，特别是台阶结、双晶结、双外延结、边缘结和邻近效应结等性能已达到实用水平，并应用于超导量子干涉器件、数字信号处理和高频有源器件中。文章介绍了这些结的技术和有关的应用。     

复合结构丝中的电流密度分布和巨磁阻抗效应

提出了由中间为高电导率的非铁磁性金属丝外面包裹一层铁磁材料组成的复合结构丝的电流 密度分布和巨磁阻抗(GMI)效应模型，并对Cu/FeCoNi复合丝进行了数值模拟. 结果表明：在 相同的磁性材料几何尺寸和磁特性时，Cu/FeCoNi复合丝铁磁层内的电流随频率的升高比匀 质FeCoNi铁磁丝内的电流更趋于表面分布，而且开始出现趋肤效应时对应的频率明显降低. 当在比较低的频率下就可以观察到明显的MI变化时，复合结构丝中的电阻和电抗变化主要是 由趋肤效应引起，趋肤效应仍然是引起复合结构材料(包括多层薄膜结构) 关键词： 电流密度 巨磁阻抗效应 趋肤效应     

磁光玻璃费尔德常数的色散特性研究

本文对磁光玻璃的费尔德常数与工作波长的关系进行了理论分析和实验研究。首先由色散理论导出磁光玻璃的费尔德常数的波长依赖性，然后将ZF1、ZF6磁光玻璃加工成实验样品，测试了不同工作波长下的ZF1、ZF6磁光玻璃材料的费尔德常数，并将实验值和理论值进行了比较，分析误差产生的来源。在文章的最后，推导出费尔德常数的色散特性，讨论了磁光玻璃应用在磁光玻璃光纤电流传感器中存在的问题。     

用超磁致伸缩调谐光纤光栅的光分/插复用器

提出并研究了一种新型多信道切换的全光分/插复用器,它主要由光纤Bragg光栅(FBG)和一对光环行器组成.采用了一种高效的超磁致伸缩材料(GMM)使FBG产生有效的Bragg波长偏移.用控制电流来调控FBG的应变和Bragg波长偏移.用4只相同的FBG与波长叠加技术相结合,可建立能提供15种不同下路信道方式的OADM.     

Effect of Bias Step on the I-V Curve in Double-Barrier AlGaAs/GaAs/AlGaAs Resonant-Tunnelling Devices

We investigate the non-equilibrium electron transport properties of double-barrier AlGaAs/GaAs/AlGaAs resonant- tunnelling devices in nonlinear bias using the time-dependent simulation technique. It is found that the bias step of the external bias voltage applied on the device has an important effect on the final current-voltage （I - V） curves. The results show that different bias step applied on the device can change the bistability, hysteresis and current plateau structure of the I - V curve. The current plateau occurs only in the case of small bias step. As the bias step increases, this plateau structure disappears.     

电荷量子比特与量子化光场之间的纠缠

研究了初态为混合态的电荷量子比特与量子化光场之间的纠缠.通过求解系统的concurrence下限, 研究初态的混合度λ和失谐量Δ对系统纠缠随时间演化的影响. 在弱场中, 电荷量子比特初始是激发态的系统, 其纠缠度远远大于电荷量子比特初始是基态的系统, 并且Δ对系统的纠缠有明显的抑制作用. 在强场中, 电荷量子比特初始分别为激发态和基态时系统的纠缠演化接近一致, 初态混合度最高时系统的纠缠度最小, 并且Δ对系统纠缠的影响变弱. 关键词： 约瑟夫森结 纠缠 混合态 concurrence下限     

基于2,3-二羟基丁二酸新配位方式构建的新颖双U形四核铜配合物[Cu4(dhbd)2(dpphen)4•2H2O]•8H2O

利用水热法合成了标题配合物Cu₄(dhbd)₂(dpphen)₄•2H₂O]•8H₂O(H4dhbd＝2,3-二羟基丁二酸, dpphen＝4,7-二苯基-1,10-邻菲咯啉), 通过元素分析、红外光谱、热分析、X射线单晶衍射等技术对其进行了表征. 晶体结构分析表明, 由于水的配位阻断, 2,3-二羟基丁二酸根仅通过单羟基氧桥联两个U形双核亚单元形成具有一个对称中心的双U形四核结构, 其中U型亚单元包含晶体学上不对称的2个Cu(II)原子、1个2,3-二羟基丁二酸根(dhbd)、2个4,7-二苯基-1,10-邻菲咯啉(dpphen)和1个配位H₂O分子. 毗邻的四核单元通过配位H2O分子和配位羟基O原子形成的R₂²(8)型环形氢键桥的连接, 沿a轴方向构建了四核单元交替相连的一维超分子链; 链间籍苯环的π-π堆积作用和晶格水分子氢键链的连接进一步扩展为具有隧道的三维结构. 配合物中呈现了一种2,3-二羟基丁二酸与过渡金属配位的新方式. 变温磁化率研究表明标题配合物具有弱的反铁磁耦合作用.