HL-2A装置极向场系统的场形特性

HL-2A装置的主机是利用原德国的ASDEX装置改装的，虽然原装置的极向场系统的参数设置均已确定，但为了今后研究需要，极向场系统的运行方式会与原ASDEX不同(例如将主要采用单零偏滤器运行等)。若要进一步对装置进行改造，有必要掌握现有极向场系统的特性及功能。本文介绍相关极向场系统的磁通函数和垂直磁场或水平磁场的计算方法和计算结果。     

^95Zr核的高自旋态研究

利用102MeV的^28Si束流，通过^60Ni(^28Si，2pn)熔合蒸发反应布居了^85Zr核的高自旋态，测量了γ-γ符合及DCO比值，建立了一个有43条能级，75条γ跃迁的能级纲图，新增加了36条γ跃迁，25条能级。将能级自旋推高到（49/2^ ），首次观察到了转边带的第二回弯。并确认了一条建立在17/2^-负字称带上的磁转动带。     

Giant Positive Magnetoresistance in Grain-Oriented CxCo1-x Alloys

The grain-oriented CxGo1-z (x = 0.9, 0.5) samples were fabricated by the hot.pressing method. The microstruc-ture was observed by an x-ray diffractometer and a scanning electron microscope. The resistance against the applied magnetic field was measured by a standard four-polnt probe method at different temperatures. The magnetoresistance and the magnetization ratio were studied as a function of magnetic field in the range of -1800 kA/m-1800 kA /m at different temperatures from 50 K to 300 K. The magnetoresistance of grain-oriented GxGo1-x is positive. The maximum positive MR of 98% at 50 K and 34% at 300 K was obtained under 1800 kA/m magnetic field in the C0.9Go0.1 sample.     

Pt97.4Mn2.6/Co多层膜的磁性与磁光性质研究

用磁控溅射法制备了Mn含量一定、不同PtMn层厚度的Pt97.4Mn2.6/Co磁性多层膜系列,通过x射线衍射对该多层膜系列进行结构分析;测定了不同PtMn层厚度系列样品的磁滞回线、有效垂直各向异性,分析了饱和磁化强度和有效垂直各向异性变化的原因;通过测定该多层膜体系的克尔谱,分析了一定波长下克尔角随PtMn层厚度变化的规律.认为克尔角的变化是由于界面的合金化以及原子的极化减小所致.     

多点时序MCG数据的处理和利用

在简易磁屏蔽室中，用单通道的高温超导rf SQUID梯度计构成心磁图（MCG）测量系统，依照MCG测定部位的约定，测得数例成人胸前多点MCG．不计心动周期随时问的变化，用数据分析软件对这些MCG数据进行分析处理，得到包括了空间信息、可直观展示心脏电磁活动的二维心磁图谱（例如等磁图、时序等磁图、电流箭头图和时序电流箭头图等）     

电力安全与超导磁储能系统

随着我国大规模电力系统的逐步形成，电网的安全稳定问题日渐突出，保证电力系统的安全稳定运行已经成为电网发展和运行的重要任务．超导磁储能系统以其对系统功率需求的快速响应特性可以为提高电力系统的稳定性提供新的技术途径，同时对改善电能质量、提高可靠性也有很好的技术优势．本文在简要论证电力安全的重要性的基础上，对SMES提高系统的安全稳定性的优越性进行了分析，并介绍了国家863计划项目“高温超导磁储能系统”的工作进展．     

TM掺杂Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2黄铜矿半导体的电磁性质

利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V，Cr，Mn，Fe，Co和Ni)掺杂的Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2(CdGeP2和ZnGeP2)黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算，结果发现：V和Cr掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现铁磁状态(FM)，Mn，Fe以及Co掺杂的CdGeB和ZnGeP2将出现反铁磁状态(AFM)，而Ni掺杂时，稀磁半导体(DMS)的磁性比较不稳定，其中Cr掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将可能是具有较高居里温度Tc的DMS，当TM-3d电子的t2g态部分被填充时，其掺杂的DMS将出现FM状态；而当TM-3d电子的t2g态全满或者全空时，其掺杂的DMS将出现AFM状态，在(Cd，Mn)GeP，和(Zn，Mn)(GeP2中分别掺入电子和空穴载流子，可以发现载流子是否具有TM-3d电子的巡游特性是。DMS是否出现FM状态的主要原因。     

方兴未艾的磁致电阻研究

 我们知道,在金属中散射作用是电阻产生的主要原因,这包括杂质散射和晶格热运动引起的电声子互作用。根据动量定理,电子在时间间隔△t内受到电场E的作用而产生的定向漂移速度.     

Dielectric spectroscopy studies of ZnO single crystal

Dielectric relaxation and charge transport induced by electron hopping in ZnO single crystal are measured by using a novocontrol broadband dielectric spectrometer. Typical Debye-like dielectric relaxation originating from electronic hopping between electronic traps and conductive band in surface Schottky barrier region is observed for ZnO single crystal-Au electrode system. However, after insulation of ZnO single crystal by heat treatment in rich oxygen atmosphere, dielectric relaxation and alternating current conductance are observed simultaneously in the dielectric spectra, implying that dielectric relaxation and charge transport can be induced simultaneously by electronic hopping at high temperature in an ordered system. The intrinsic correlation between local dielectric relaxation and long range charge transport offers us a new method to explore complicated dielectrics.