全文获取类型
收费全文 | 7126篇 |
免费 | 2731篇 |
国内免费 | 1563篇 |
专业分类
化学 | 1592篇 |
晶体学 | 215篇 |
力学 | 979篇 |
综合类 | 238篇 |
数学 | 1852篇 |
物理学 | 6544篇 |
出版年
2024年 | 57篇 |
2023年 | 214篇 |
2022年 | 245篇 |
2021年 | 260篇 |
2020年 | 209篇 |
2019年 | 197篇 |
2018年 | 174篇 |
2017年 | 263篇 |
2016年 | 255篇 |
2015年 | 310篇 |
2014年 | 544篇 |
2013年 | 450篇 |
2012年 | 526篇 |
2011年 | 532篇 |
2010年 | 514篇 |
2009年 | 526篇 |
2008年 | 604篇 |
2007年 | 513篇 |
2006年 | 538篇 |
2005年 | 588篇 |
2004年 | 507篇 |
2003年 | 490篇 |
2002年 | 378篇 |
2001年 | 328篇 |
2000年 | 289篇 |
1999年 | 243篇 |
1998年 | 236篇 |
1997年 | 215篇 |
1996年 | 176篇 |
1995年 | 173篇 |
1994年 | 155篇 |
1993年 | 127篇 |
1992年 | 132篇 |
1991年 | 137篇 |
1990年 | 141篇 |
1989年 | 80篇 |
1988年 | 21篇 |
1987年 | 22篇 |
1986年 | 16篇 |
1985年 | 15篇 |
1984年 | 5篇 |
1983年 | 5篇 |
1982年 | 8篇 |
1980年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
12.
13.
层次分析法参数化的随机模型 总被引:4,自引:0,他引:4
建立了层次分析法参数化的随机模型,通过计算难度系数,得出权向量,从而有利于广泛应用且真实可靠。 相似文献
14.
15.
16.
直流稳压电源可以将交流电压变换为直流电压,并使之稳定,在我们现实生活中应用很广泛,在实验中我们利用的电学知识,设计制造了一种直流稳压电源。本文简要介绍了这种直流稳压电源波形演示器的设计目的和电路原理,重点阐述了它的制作流程、滤波和稳压原理以及性能测试输出波形。 相似文献
17.
在北京同步辐射装置(BSRF)1W1B光束线和XAFS实验站上国内首次建立了硬X射线波段的磁圆二色实验(XMCD)方法. 以单晶金刚石作为相位延迟片, 在透射劳埃(Laue)模式下, 利用衍射双折射效应, 将入射的单色线偏振光转变为相应的左旋和右旋圆偏振光, 测量磁化样品对左旋和右旋圆偏振光吸收的差异, 获得了XMCD信号. 本实验使用透射方法测量了Pt-Fe合金Pt L2,3边的XMCD, 获得了XMCD信号. XMCD实验方法的建立, 为研究磁性材料尤其是磁性薄膜材料的电子结构和磁结构提供了实验基础. 相似文献
18.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
19.
强流脉冲电子束在材料中的能量沉积剖面、能量沉积系数和束流传输系数受其入射角的影响很大,理论计算了0.5~2.0MeV的电子束以不同的入射角在Al材料中的能量沉积剖面和能量沉积系数,并且还计算了0.4~1.4MeV电子束以不同入射角穿透不同厚度C靶的束流传输系数。计算结果表明,随着入射角的增大,靶材表面层单位质量中沉积的能量增大,电子在靶材料中穿透深度减小,能量沉积系数减小,相应的束流传输系数也减小;能量为0.5~2.0MeV的电子束当入射角在60°~70°时在材料表面层单位质量中沉积的能量较大。 相似文献
20.