首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   7657篇
  免费   2300篇
  国内免费   4051篇
化学   7184篇
晶体学   494篇
力学   1332篇
综合类   190篇
数学   508篇
物理学   4300篇
  2024年   90篇
  2023年   352篇
  2022年   448篇
  2021年   470篇
  2020年   367篇
  2019年   456篇
  2018年   367篇
  2017年   444篇
  2016年   476篇
  2015年   553篇
  2014年   804篇
  2013年   724篇
  2012年   739篇
  2011年   693篇
  2010年   627篇
  2009年   738篇
  2008年   745篇
  2007年   690篇
  2006年   678篇
  2005年   588篇
  2004年   471篇
  2003年   330篇
  2002年   267篇
  2001年   338篇
  2000年   254篇
  1999年   203篇
  1998年   146篇
  1997年   127篇
  1996年   141篇
  1995年   103篇
  1994年   112篇
  1993年   82篇
  1992年   110篇
  1991年   99篇
  1990年   53篇
  1989年   55篇
  1988年   29篇
  1987年   12篇
  1986年   8篇
  1985年   14篇
  1983年   4篇
  1979年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
周城 《中国物理快报》2006,23(9):2455-2457
The single-longitudinal-mode Nd:GdVO4/RTiOPO4 (RTP) solid-state Green laser operation of a laser-diode (LD) end-pumped laser is realized by multi-cavities and a Brewster plate. The LD-pumped single-frequency green laser has been demonstrated by optimizing several parameters and a cavity length, with precise temperature controlling of Nd:GdV04, RTP and laser diode. When the incident pump power is 2 W at 808.4 nm, a single-frequency cw green laser at 532nm with output 210 m W is obtained, the optical-to-optical conversion efficiency is up to 10.5%.  相似文献   
32.
利用MS-XANES计算研究了嵌入在SiO2介质中的InSb纳米颗粒的界面效应, 结果显示Sb K-XANES实验谱在白线峰强度增大和白线峰向高能一侧展宽这两个特点的起因是: 1. SiO2介质透过界面处强的Sb-O共价键间接地影响和改变了InSb团簇中Sb原子内部的势分布; 2. 通过InSb纳米颗粒界面处存在着强的Sb-O共价键使得Sb原子的5p电子被耗尽来提高InSb纳米颗粒Sb原子的5p的空穴数. 这两方面共同决定了InSb纳米颗粒的Sb K-XANES实验谱在白线峰 强度的增大. 此外, 由于纳米颗粒的界面效应, 仅仅把白线峰的强度增大归因于吸收原子电荷转移带来的空穴数增加, 并依此通过白线峰的强度计算吸收原子的空穴数是不合理的.  相似文献   
33.
用TVD格式结合VOF界面处理方法编制了二维多介质高分辨欧拉程序,以解决冲击波和多介质界面处理。程序包括单介质网格高精度流体力学计算、多介质网格内界面重构、各种介质输运和压力驰豫平衡过程。其中单介质网格的计算采用Harten二阶TVD格式结合MacCormark方法计算含有源项的非齐次守恒定律方程组,通过4节点限制函数保证格式单调。多介质网格采用Youngs方法构造界面,采用x,y方向分裂格式计算体积份额输运,再根据体积份额输运计算质量、动量和能量的输运,最后利用等熵条件计算各种介质的压力驰豫平衡过程。  相似文献   
34.
对以本征Si及重掺杂p型和n型Si作为中间层的Fe/Si多层膜的层间耦合进行研究,并通过退火,增大Fe,Si之间的扩散,分析界面扩散对层间耦合的影响. 实验结果表明,层状结构良好的制备态的多层膜,Fe,Si之间也存在一定程度的扩散,它是影响层间耦合的 主要因素,远远超过了半导体意义上的重掺杂,使不同种类的Si作为中间层的层间耦合基本 一致.进一步还发现,在一定范围内增大Fe,Si之间的扩散,即使多层膜的层状结构已经有了相当的退化,Fe/Si多层膜的反铁磁耦合强度基本保持不变. 关键词: Fe/Si多层膜 层间耦合 界面扩散  相似文献   
35.
用溶胶 凝胶法以磷钼酸 (MPA)的镍盐溶液水解钛酸四丁酯制备了NiPMo/TiO2 催化剂 .使用ICP、XRD、TG DTA、IR、TPD MS和微反应技术研究了催化剂的化学组成、热稳定性、化学吸附性质和催化反应性能 .杂多钼酸盐与TiO2 通过O2 -在TiO2 表面发生了键合 .在 6 2 3K下 ,杂多阴离子仍保持原有的Keggin结构 .CO2 在Lewis酸位Ni(Ⅱ )和Lewis碱位Ni-O -Mo的桥氧协同作用下生成CO2 卧式吸附态Ni(Ⅱ )←O - (CO)← (O--Ni) .丙烯有多种吸附态在催化剂上吸附 .在 5 6 3K、1MPa和空速 15 0 0h-1的反应条件下 ,丙烯的摩尔转化率为 3.2 % ,产物MAA选择性为 95 % .  相似文献   
36.
考虑到量子相干效应和界面散射效应 ,利用 L ambert理论模型 ,计算正常金属 /绝缘层 /超导 /绝缘层 /正常金属双垒隧道结中的准粒子输运系数和隧道谱。研究表明 :( 1)所有的准粒子输运系数和电导谱在超导能隙之上都随能量作周期性振荡 ,其振荡周期依赖于超导层的厚度 ;( 2 )在超导能隙之上 Andreev反射系数随能量呈现周期性消失现象 ;( 3)在绝缘层势垒强度取很大的隧道极限下 ,超导层中会形成一系列的准粒子束缚态 ,其位置由量子化条件决定 ;( 4)界面散射效应不仅能压低各子能隙电导峰 ,还能使子能隙电导峰劈裂为两个峰。  相似文献   
37.
1 INTRODUCTION Silicon and its alloy have been widely applied in such fields as electronic industry, high-temperature structural ceramics, etc. In addition, the researches on silicon and its relevant materials greatly promote the rapid development of modern optics and infor- mation technology. Therefore, more and more at- tention is focused on the structure of silicon, oxide of silicon and the interfaces between silicon and metal or nonmetal. As an ideal passive film on the Si surface, S…  相似文献   
38.
通过对爆炸抛撒图象的处理,得到液体界面的曲线.采用盒维数的计算方式,计算界面曲线的分形维数.通过对各时刻液体界面分形维数的变化研究,分析爆炸抛撒近场阶段的变化过程,同时观察到蘑菇状尖顶的出现与破碎,以及空化区域的形成和消失现象。  相似文献   
39.
采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAsAlGaAs非对称耦合量子阱单元,通过光致荧光谱测量,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应.荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明,Al原子在异质结界面的扩散在离子注入过程中已基本完成,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心. 关键词: 量子阱 离子注入 光致荧光谱 界面混合  相似文献   
40.
在北京谱仪数据分析中,粒子鉴别使用了dE/dx和TOF的信息.在利用dE/dx和TOF联合鉴别粒子时,通常的做法是把两者的χ2值等权重相加(χ2方法).在不同的动量区间,dE/dx和TOF对粒子的鉴别能力不同.本文给出两者联合鉴别时不同动量区间的权重,并构造一个新的线性变量来进行粒子鉴别  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号