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151.
在溶剂热条件下,基于芳香四羧酸合成了2种新颖的配位聚合物:{[Zn2(tptc)(1,4-bimb)2]·H2O}n(1)和{[Ni(tptc)0.5(1,2-bimb)(H2O)]·H2O}n(2),其中,tptc为对-三联苯-3,3″,5,5″-四羧酸,1,4-bimb为1,4-二(咪唑-1-亚甲基)苯,1,2-bimb为1,2-二(咪唑-1-亚甲基)苯。结构分析表明,1为三维结构,拓扑符号为(86);2为二维层状网络,通过氢键相互作用进一步扩展为三维超分子结构。此外,我们还研究了1对阳离子、阴离子的荧光感应以及2的磁性质。 相似文献
152.
153.
154.
《低温与超导》2013,(11)
以氧化钌温度传感器(RX-202A)为研究对象,研究了其在016 T磁场下、216 T磁场下、240 K温区内的磁致电阻效应。结果表明:RX-202A的磁效应随场强的升高而升高,随温度呈波动变化,在低温区先由正效应转变为负效应,后又随温度的升高而逐渐降低,并逐渐趋于0,RX-202A在2.1 K、16T处的磁效应为0.83;RX-202A由磁效应引起的测量误差随温度呈波动变化,在2.240 K温区内的磁致电阻效应。结果表明:RX-202A的磁效应随场强的升高而升高,随温度呈波动变化,在低温区先由正效应转变为负效应,后又随温度的升高而逐渐降低,并逐渐趋于0,RX-202A在2.1 K、16T处的磁效应为0.83;RX-202A由磁效应引起的测量误差随温度呈波动变化,在2.210K温区随场强的变化差别较小,在1010K温区随场强的变化差别较小,在1038K温区随场强的增大而增大,RX-202A在2.2K、16T处,38K、16T处产生的温度测量误差分别为-0.099K和0.364K。 相似文献
155.
156.
157.
158.
基于单粒子导心运动代码ORBIT,采用测试粒子模拟方法,研究了托卡马克等离子体内部不同径向位置处局域磁场扰动对高能量离子的损失的影响。研究表明,在局域磁扰动主要分布在某磁面附近、其环向具有类似纹波场形式下,可造成一些靠近等离子体中心区域的高能量离子损失,但对靠近等离子边界的离子损失影响相对不大。这些损失的高能量离子均为捕获离子,离子的投掷角越大就越容易损失。此外,造成高能量离子最大损失率的局域场径向位置与这些损失离子的初始径向位置通常存在一定的偏移,而且这个偏移与这些离子的能量密切相关。当局域场出现在某些位置时,能量较低的离子会有一定的损失,能量较高的离子反而不会损失。 相似文献
160.
贵刊在文[1]中以一道极易出错的三角形增根问题的取舍为例,强调在三角函数解题中要注意题中隐含的角的范围.无独有偶,贵刊在文[2中也以类似的题为例,提出要从条件入手,注意角 相似文献