基片温度对坡莫合金薄膜结构和磁电阻的影响

用磁控溅射方法制备了系列坡莫合金Ni80Fe20薄膜。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显徽镜分析了薄膜的结构、晶粒取向、薄膜厚度、截面结构和表面形态。用4点探测技术测量了薄膜的电阻和磁电阻。结果表明：随衬底温度的升高，晶粒明显长大。膜内的缺陷和应力显著减小，而且增强了薄膜晶粒的[111]择优取向。结果表明，薄膜电阻率显著减小，而磁电阻显著增大。     

光放大器前置可调光学滤波器

介绍Ｆ－Ｐ干涉滤波器实现中心波长可调的两种机理，给出通过改变腔距来改变中心波工的滤波器的典型结构，并且给出了相应的电压驱动电路，实验表明选择合适的光放大器前置滤波器可以提高系统的灵敏度。     

非磁杂质对高Tc超导电性的影响

本文证明了在氧化物高T_c超导体的Anderson晶格模型中,由于序参量是能量的函数,非磁掺杂也具有拆对效应,在稀掺杂情况下,求出了T_c随杂质浓度增加而线性下降的规律,与实验结果相符,文中还计算了掺杂对超导态密度中能隙的影响,结果表明,当非磁掺杂浓度增加时,零温能隙的减小比T_c的下降慢得多,从而在转变为正常态之前可能不出现类似通常BCS超导体磁性掺杂的无能隙区。 关键词：     

Al2O3／MgO／C复合微粒子光学散射截面的计算

本文用米氏方法导出了三种组分构成的均匀球形复合微粒子光学散射截面的计算公式，并计算了复合微粒子Ａｌ２Ｏ３／ＭｇＯ／Ｃ在特定红外光波波长下的光学散射截面。给出了复合微粒子中不同组分的介质层厚度与散射截面的关系曲线，最后对结果作了简单讨论。     

室温下压致铁钴镍合金的bcc→hcp相变

 本文采用高压X光衍射方法在金刚石对顶压砧中在位地（in situ）研究了Fe₆₈Co₂₄Ni₈（wt%）合金在室温下的压致bcc→hcp结构相变和直到40.5 GPa的等温压缩行为。实验结果表明该合金在常压下为bcc结构，晶格常数a₀=(0.287 0±0.000 1) nm，体积V₀=(7.119±0.007) cm³/mol，密度ρ₀=(7.981±0.008) g/cm³；在20.9 GPa附近出现bcc→hcp结构相变，两相共存压力区约10 GPa，在此区域内有晶面间距d(002)_hcp=d(110)_bcc，且原子平面(002)_hcp//(110)_bcc，hcp相比bcc相体积减小(0.33±0.02) cm³/mol；高压相hcp结构的晶格参数比值c/a=1.608±0.004；相变后原子配位数的增加使得hcp相(002)平面内及(002)平面间的最近邻原子间距比bcc相最近邻原子间距分别增大约1.6%和0.5%；用Murnaghan状态方程对实验数据进行最小二乘法拟合，得到bcc相B₀=(130±13) GPa，B₀'=12.6±0.5；hcp相V₀=(6.62±0.04) cm³/mol，B₀=(243±21) GPa，B₀'=6.8±0.3；对于该合金的bcc→fcp相变时的结构转变机制做了详细的讨论。     

圆柱和平板磁绝缘传输线的横向空间电荷流

根据电磁场理论及电子运动守恒方程导出传输线横向空间电荷流的数值模型和磁绝缘临界条件，对圆柱和平板情况进行了计算和讨论。     

穆斯堡尔谱学三十年

 穆斯堡尔在阅读自己关于¹⁹¹Ir共振的第一篇文章时突然意识到,他可以直接由多谱勒位移实验来确定自然宽度的谱线--他预见到会有一场竞争.他把文章送到在他看来“没有多少人阅读的德文《自然科学》杂志上”发表.当立即有二百多人来索取复印本时,他“迅速意识到这竟是犯了一个多么大的错误”.他因发现这种“无反冲γ射线共振吸收效应”,获得1961年诺贝尔物理奖.鲁道夫·路德维希·穆斯堡尔生于1929年1月31日.他在一些工业实验室花费了一年时间,后来进入慕尼黑工业大学,1952年完成学位课程,1954年完成了他的论文.1955-1957年,他到马克斯-普朗克医学研究所从事研究工作,1958年在慕尼黑工业大学获得博士学位.