交换作用对 CeF3晶体磁性和磁光效应的影响

研究了顺磁性晶体CeF3内交换作用有效场随温度的变化关系,给出了其形式为Hin=(-0.68-0.002T)×10-6M.结合该关系,用量子理论的计算得到了与实验值吻合较好的磁化率倒数、Verdet常数倒数随温度的变化关系,并且用光磁效应的概念和规律对结果作了进一步分析,指出光诱导促进了该晶体内电子间的交换作用.     

固体材料的磁光效应及其应力、温度和色散特性

本文应用经典电磁场理论推导了磁光效应的基本关系式,运用有效场概念得到了适用于各种磁光介质情形的法拉第旋转θ的明确表达式.证明了θ与有效场H_(?)成正比关系并具有强的色散特性;在弱磁介质中外应力对θ具有明显的影响;逆磁性介质的费尔德常数V与温度T无关,有些顺磁性介质的费尔德常数V_p与磁化率x的比值V_p/X=G(1+RT);在反铁磁性和亚铁磁性介质中,θ与各次点阵磁化强度M_(?)有关,其温度特性不仅取决于次点阵磁化强度,而且取决于磁光系数与温度的依赖关系.计算结果与实验符合得很好.计算还表明,当光的传播方向与H_(?)方向垂直时,入射到磁光介质中的线偏振光会分解成一个椭圆偏振光和一个线偏振光,这种磁双折射的相位延迟率的实部和虚部均与H_(?)~2成正比.     

基于全光纤萨格纳克干涉仪的温度不敏感磁场测量

研究了双折射磁光光纤萨格纳克 (Sagnac) 干涉仪透射谱的磁场和温度敏感性. 实验表明, 干涉仪透射谱会随着温度的增加向短波长移动 (温度系数为-0.435 nm/℃), 其波长依赖性则随着磁场的增加而降低. 据此, 通过调节干涉仪内偏振控制器状态实现了温度不敏感的磁场测量, 磁场系数为189 mW/T², 实验结果与理论分析一致. 关键词： 磁场测量 磁光效应 双折射 萨格纳克干涉仪     

二维磁性光子晶体及其模场分析

利用频域有限差分方法分析了两种二维磁性光子晶体结构(方形和圆形空气孔结构)的模场分布和有效折射率. 结果表明：在该种结构的材料中，原本简并的基模被分为两个不简并的偏振模——左旋模和右旋模，且两种模式的有效折射率不同； 其次，该种结构材料的法拉第旋转角较连续分布的磁光介质有显著增加. 通过选择适当的空气孔参数，方孔结构材料的法拉第旋转角可增大约一个数量级，而圆孔结构可增加4倍左右. 同时发现，当光通过这类材料后偏振态发生了变化，随着法拉第旋转角的增加出射光的椭圆率也在增加. 最后分析了产生这一现象的原因并提出了解决偏振态变化这一问题的方法，即在材料中心处引入缺陷. 关键词： 磁光效应 二维磁性光子晶体 频域有限差分法     

多缺陷结构的一维磁光多层膜隔离器

由磁光介质（M）和电介质（G）周期性排列构成的磁光光子晶体会出现很强的光 局域性，最近用它来实现磁光隔离器引起人们广泛的兴趣.给出了一种可用于计算 偏振光在各向异性介质传播问题的传输矩阵方法.并用该方法计算了对称多缺陷结构磁光多 层膜隔离器的光学性质，发现随着缺陷数目的增多，旋转角及透过率的频谱响应得到改善. 当缺陷增加到一定数目时，不需要额外的反射层即可实现反射型磁光隔离器的要求. 关键词： 光隔离器 磁光效应 多层膜 光子晶体     

Ce∶YIG自旋轨道耦合对磁光效应的影响

计算了Ce∶YIG中Ce3+离子自旋轨道耦合对磁光效应的影响,计算结果表明,Ce3+离子基态的自旋轨道耦合对磁光效应有很大影响,Faraday旋转与λf(基态的自旋轨道耦合系数与其正常值的比值)不是线性关系,在λf约为03时,Faraday旋转有明显的峰值,激发态的自旋轨道耦合对磁光效应影响很小. 关键词：