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171.
对具有扩散项的时滞Mcholson方程的行波解进行了研究.特别是考虑到生物个体在空间位置上的迁移,研究了具有非局部反应的时滞扩散模型.对于弱生成时滞核,运用几何奇异摄动理论,在时滞充分小的情况下,证明了行波解的存在性.  相似文献   
172.
关于一类空间齐次推广的耗散碰撞Boltzmann方程Cauchy问题 ,对于一般的初始条件得到了正古典解的存在唯一性 .  相似文献   
173.
基于CUO分子(X3A″)的多体展式分析势能函数, 用准经典的Monte-Carlo轨迹法研究了U+CO(0, 0)的分子反应动力学过程. 结果表明 在碰撞能低(<215 kJ/mol)时可以生成长寿命络合物CUO(X3A″), 并且该络合反应是无阈能反应; 碰撞能大于418.4 kJ/mol后, 先后出现置换产物UO和UC; 随着碰撞能进一步增大, CUO分子将被完全碰散成U, C和O原子, 而且反应U+CO(0, 0)→UO+C, U+CO(0, 0)→UC+O和 U+CO(0, 0)→U+O+C是有阈能反应.  相似文献   
174.
利用变温X射线衍射技术,在预烧过程中分析了Nd掺杂Bi4Ti3O12后生成Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT)相的形成过程以及微结构的变化.实验观察到以30℃/min的升温速率,BNT相在700℃时开始形成,其衍射峰强度随温度的继续升高而增强,衍射峰半高宽随烧结时间延长而减小.X射线衍射分析结果表明,在900℃恒温条件下,烧结约2h,可形成单一的BNT相.  相似文献   
175.
应用改进的量子分子动力学模型,在严格挑选初始核考虑弹靶结构效应的基础上,研究了近垒和垒上融合反应40,48Ca+90,96Zr. 研究表明: 4个反应的理论计算截面与实验值很好符合; 丰中子反应40Ca+96Zr的垒下融合截面比其他3个反应有明显增强的现象.为了理解丰中子反应40Ca+96Zr与40Ca+90Zr相比垒下融合截面增强,而Ca+96Zr垒下融合截面没有明显增强的原因, 进一步分析了484个反应的融合位垒,中子转移与融合位垒的关系、中子转移与Q值的关系,结果表明: 正反应Q值会引起核子(特别是中子)转移的增强,从而导致动力学融合位垒的下降和垒下融合截面增强.  相似文献   
176.
蒲忠胜  关秋云  马军  严冬 《中国物理 C》2006,30(12):1171-1174
报道了在13.5—14.6MeV中子能区用活化法测得的76Ge(n,2n)75Ge, 70Ge(n,2n)69Ge, 70Ge(n, p)70Ga, 72Ge(n,p)72Ga, 73Ge(n,p)73Ga, 72Ge(n,α)69mZn和74Ge(n, α)71mZn的反应截面值. 中子注量用93Nb(n,2n)92mNb反应截面得到. 单能中子由T(d,n)4He反应获得. 同时还列举了已收集到的文献值以作比较.  相似文献   
177.
萨宁  康晋锋  杨红  刘晓彦  张兴  韩汝琦 《物理学报》2006,55(3):1419-1423
研究了HfN/HfO2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO2高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO2 高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征: HfN/HfO2 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负 偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生,并由此产生了Si陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ,这种Si陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词: 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型  相似文献   
178.
采用蒙特卡罗模型AMPT 究了(S_(NN))~(1/2)=130GeV Au Au碰撞中部分子相互作用对两粒子横向动量关联的影响,结果表明部分子相互作用对两粒子的横向动量关联有重要的贡献.还计算了AMPT模型中(S_(NN))~(1/2)=130GeV Au Au碰撞的两粒子横向动量关联与碰撞对心性的依赖关系并与来自STAR的实验数据进行了比较,发现AMPT的理论预言很好地符合实验数据.  相似文献   
179.
有限步扩散反应置限分形聚集   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
综合考虑扩散粒子浓度n、粒子扩散限制范围Δ、扩散粒子与种粒子或团簇相遇时,反应概率P及粒子扩散步数W的影响,提出了有限步扩散反应置限聚集的分形生长模型,模拟得到一系列典型的聚集生长图形,计算了相应的分形维数.结果表明,在粒子浓度n较小时,呈离散团簇状生长;而在粒子浓度较大时,则随反应概率P或粒子扩散步数W的增大,从离散团簇状生长转变为连续枝叉状生长. 关键词:  相似文献   
180.
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