全文获取类型
收费全文 | 11559篇 |
免费 | 4857篇 |
国内免费 | 3874篇 |
专业分类
化学 | 3908篇 |
晶体学 | 272篇 |
力学 | 638篇 |
综合类 | 388篇 |
数学 | 3882篇 |
物理学 | 11202篇 |
出版年
2024年 | 109篇 |
2023年 | 402篇 |
2022年 | 536篇 |
2021年 | 550篇 |
2020年 | 375篇 |
2019年 | 408篇 |
2018年 | 284篇 |
2017年 | 425篇 |
2016年 | 445篇 |
2015年 | 611篇 |
2014年 | 1127篇 |
2013年 | 837篇 |
2012年 | 943篇 |
2011年 | 1044篇 |
2010年 | 1022篇 |
2009年 | 891篇 |
2008年 | 1271篇 |
2007年 | 974篇 |
2006年 | 898篇 |
2005年 | 779篇 |
2004年 | 806篇 |
2003年 | 710篇 |
2002年 | 636篇 |
2001年 | 526篇 |
2000年 | 473篇 |
1999年 | 381篇 |
1998年 | 396篇 |
1997年 | 393篇 |
1996年 | 370篇 |
1995年 | 355篇 |
1994年 | 260篇 |
1993年 | 214篇 |
1992年 | 216篇 |
1991年 | 180篇 |
1990年 | 178篇 |
1989年 | 135篇 |
1988年 | 42篇 |
1987年 | 22篇 |
1986年 | 16篇 |
1985年 | 15篇 |
1984年 | 12篇 |
1983年 | 8篇 |
1982年 | 5篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 3篇 |
1979年 | 2篇 |
1978年 | 1篇 |
1977年 | 1篇 |
1963年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
101.
102.
应用多尺度微扰理论到广义非简谐振子, 得到了一阶经典和量子微扰解. 特别是
我们的量子解在极限条件下能方便地转变为经典解, 并且坐标和动量算符的对易
关系的简化十分自然. 与Taylor级数解相比较, 无论是在经典还是在量子解
中频率移动都出现在各阶振动表达式中, 所以多尺度微扰解是弱耦合非简谐振动的较好解法. 相似文献
103.
Design and Fabrication of 1.06 μm Resonant-Cavity Enhanced Reflective Modulator with GaInAs/GaAs Quantum Wells 下载免费PDF全文
A resonant-cavity enhanced reflective optical modulator is designed and fabricated, with three groups of three highly strained InGaAs/GaAs quantum wells in the cavity, for low voltage and high contrast ratio operation. The quantum wells are positioned in antinodes of the optical standing wave. The modulator is grown in a single growth step in an molecular beam epitaxy system, using GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors as both the top and bottom mirrors. Results show that the reflection device has a modulation extinction of 3 dB at -4.5 V bias. 相似文献
104.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer 下载免费PDF全文
GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献
105.
106.
提出了一种非刚性点匹配的算法并把其运用于医学图像配准.该算法采用信号滤波的方法来获得点集间的匹配信息,并运用松弛标记法将各点邻域关系对模糊的匹配信息进行迭代获得明确的匹配关系.在此基础上,利用高斯径向基函数来描述点模式间的弹性形变,在基本的迭代框架下实现问题的求解.实验结果显示在形变程度为5%、出格点比率50%和噪声标准差为5%的情况下该算法的匹配误差能控制在0.13以下,表明了该算法的鲁棒性和有效性,较好地解决了医学非刚性形变的点匹配问题. 相似文献
107.
We study the average property of the isospin effects of reaction mechanism induced by neutron-halo nuclei within the isospin-dependent quantum molecular dynamics model. We find that the extended neutron density distribution for the neutron-halo projectile brings an important isospin effect into the reaction mechanism, which induces the decrease of nuclear stopping R; however, it induces the obvious increases of the neutron-proton ratio of nucleon emissions (n/p)nucl for all of the beam energies in this work, compared to the same mass stable colliding system. 相似文献
108.
一个图G的全色数χT(G)是使得V(G)∪E(G)中相邻或相关联元素均染不同颜色的最少颜色数.文中证明了,若图G只有唯一的一个4度最大度点,则χT(G)=Δ(G)+1. 相似文献
109.
荧光XAFS研究Si晶体中等电子,缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Si区域晶格形变的影响。相对于共价键长RSi-Si(0.240nm)来说,富电子杂质As导致Si晶格在Si(111)方向的RAs-Si键长产生0.004nm的反应增长,等电子杂质Ge的R-Gre-Si和缺电子杂质Ga和RGa-Si键长收缩0.002nm。 相似文献
110.