光束传播法分析硅交叉波导光开关的光学效应

运用光束传播法对硅交叉波导全内反射光开关中的光学效应进行了详细分析。结果表明：１）光学表面衰减波和泄漏波所引发的光遂道效应对开关特性有重要影响；２）反射端功率的相对大小于与反射区界面位置密切相关，其起因是古斯－汉欣位移；３）合理考虑这些因素的影响可以大大降低器件对折射率变化的要求。     

硅光波导的束传播法设计及制备

报道用束传播法模拟设计、指导硅大断面单模脊形光波导的制备工艺，应用傅里叶变换法计算了硅光波导中导模的传播常数，对实际研制成功的ＳＩＭＯＸ及Ｓｉ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ单模脊形光波导，比较了其性能差异并给予理论解释。     

金—多孔硅光致发光和红外光谱研究

报道了金－多孔硅 稳态光致发光，瞬态光致发光和傅里叶变换红外光谱的研究，讨论了金在多孔硅表面吸附产生的表面电子态对多孔硅光致发光特性的影响。     

静电

人类对电现象的认识始于静电.从古希腊哲学家塞利斯记载的木头摩擦琥珀能吸引草屑,到十六世纪英国的吉尔伯特的各种摩擦电实验,基本上都是对静电现象的观察和定性的总结.定量研究则始于十八世纪英国的卡文迪许和法国的库伦.自从1800年意大利的伏打发明电堆、获得了持续、稳定的电流之后,静电似乎已完成了历史的使命而与技术无缘.然而进入二十世纪,特别是50年代以来,随着石油化工的兴起,高分子绝缘材料的涌现,静电科学逐渐转向静电技术,其应用领域日趋扩大,静电已成为物理学领域中既古老而又年轻的一门分支学科.     

Si(113)表面原子结构的低能电子衍射研究

利用低能电子衍射(LEED)研究了离子轰击加退火处理的和淀积外延的两种Si(113)表面的原子结构。发现对于经750—800℃退火后的两种Si(113)表面,当其温度高于600℃时存在1×1非再构表面相。随着样品温度缓慢地冷却至室温,Si(113)-1×1表面经过3×1(约600—400℃)最后转变为3×2再构。当退火温度为600℃时,则只出现3×1再构,室温下的3×2和3×1表面都是很稳定的。讨论了表面杂质对Si(113)表面原子结构的影响。在衬底温度为580℃的Si(113)表面上进行淀积生长,当外延 关键词：     

硅微条探测器的研制

本文介绍了利用“平面工艺”新技术研制成功的硅微条探测器.该探测器所用的硅材料为n型硅,电阻率为3kΩ.cm,晶向<111>.探测器的厚度为400μm,灵敏面积为18mm×12mm,条宽为20μm,共有300个微条,在反向偏压为100V时,其漏电流为5×10^－9A.用电荷收集分布方法测得该探测器的位置分辨为5.3μm.     

激光聚变靶中氘氚燃料的测量

用Si(Li)-S85低能X-射线谱仪系统测量简单爆推靶中氘氚燃料的含量。用内充气正比计数装置刻度了此谱仪系统的探测效率。其效率与玻璃球成份和壁厚有关。本系统的效率为10~5量级。根据氚含量及燃料的D/T比值,推算出靶内含氘量及氘氚燃料的总气压,并与气泡法测得的总气压进行了比较。最后对实验结果进行分析和讨论。