MeV Si离子轰击SiO2溅射行为研究

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不连续Co/SiO2多层膜的结构及其输运性质的研究

用射频磁控溅射方法制备了系列Co/SiO2不连续磁性金属绝缘体多层膜（DMIM） .经研究发现：对［SiO2(2.4 nm)/Co(t)］20体系，在Co层厚度小于2.5 nm时，Co层由连续变为不连续；Co层不连续时，其导电机理为热激发的电子隧穿导电，lnR与T-1/2接近正比关系; 隧道磁电阻（TMR）在Co层厚度为1.4 nm时出现极大值-3%.DMIM 的性质 不仅与磁性金属层厚度密切相关，而且与绝缘层厚度有密切的关系.在固定Co层厚度为 1.9 nm的情况下，研究了TMR随SiO2层厚度的变化 关键词： 不连续磁性金属/绝缘体多层膜 隧道磁电阻效应     

钡-偶氮胂Ⅲ-锌(钴)-邻菲啰啉多元配合物显色反应的研究

在近中性环境中,研究了钡与偶氮胂Ш、锌(钴)、邻菲啰啉形成多元配合物的条件及其配合物组成.显色体系的摩尔吸光系数由二元配合物的2.1×104L·mol-1·cm-1提高到7.4×104L·mol-1·cm-1.用此方法,经过简单的分离后,可作硅钡合金中钡的光度法测定.     

全光型硅微机械流量传感器初探

介绍一种新颖的全光型硅微机械流量传感器。给出该传感器结构及工作原理的理论分析，并阐述传感器样品的测试及结果。流量传感器具有带脊型波导的悬臂结构。悬梁用作器件的敏感区，而检测光束可以在脊型波导中传输。     

高炉冶炼过程的混沌性解析

根据Grassberger和Procaccia提出的Kolmogorov熵计算方法，以山东莱芜钢铁集团公司1号 高炉和山西临汾钢铁集团公司6号高炉测得的铁水硅含量时间序列为样本，计算了各自的Kol mogorov熵分别为（01453±00151）nats·h-1^-1和（01553±0014 0）nats·h-1^-1，并估计了两座高炉铁水硅含量可预测的时间尺度分别约为6 88和644h.由Kolmogorov熵均为大于零的有限值，定量地说明了这两座高炉 关键词： 混沌 Kolmogorov熵 高炉冶炼过程 铁水硅含量     

Structural and Dynamic Properties of Amorphous Silicon： Tight-Binding Molecular Dynamics Simulation

The tight-binding molecular dynamics simulation has been performed to study structural and dynamical properties of amorphous silicon. It is found that the radial distribution function and static structure factor are in good agreement with the experimental measurements. The bond order parameters Q1 are sensitive to the structure change at different quenching rates. For the dynamical properties, we have calculated the vibration and electronic density of states. The simulation results show that the transverse acoustic is in good agreement with the experimental data, and the high frequency transverse optical (TO) peak shifts to the right of the experimental TO peak.     

多孔硅发光机理的新探索

自从９０年代初次发现多孔硅发射可见光的现象以来，人们在其发光机理和可能的技术应用上作了许多工作，而发光机理则是开发实用器件的重要前提，该文在对当前研究动态作介绍之后，分析了一个涉及载流子在约束态和表面态之间转移的综合的多孔硅发光模型，并在研究固态接触的多孔硅发光二极管结构的瞬态特性之后，提出了载流子注入，约束和复合机理的定性假设。     

光学声子色散关系对多孔硅喇曼谱的影响

测量了多孔硅的喇曼光谱,观察到谱峰有明显的红移和非对称性展宽效应。用微晶模型对此现象进行了解释:认为谱峰的这种变化不完全是由尺寸的空间限制效应和多孔硅的应变造成的,更主要的是多孔硅的色散关系发生了变化。采用不同的色散关系对谱峰进行了拟合,发现色散关系对喇曼谱的拟合有较大的影响。     

超薄型外延硅dE／dX探测器及其在核实验中的应用

本文介绍了厚度为５．２、６、７和１０μｍ，有效面积为２８－１５４ｍｍ＾２的超薄型外延硅ｄＥ／ｄＸ探测器及其研制工艺、主要用途、测试结果及在核物理实验中的应用。