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961.
采用离子交换法,将具有Keggin结构的磷钨醛、硅钨酸引入列Mg—Al、Mg—Al-Cu二元和三元的类水滑石(Hydrotalcite-like compounds,HTlcs)层间,成功制备了层有序度高,结晶度好的杂多酸阴离子水滑石,得到了通道高度达1.15nm的大层间的催化材料,并用红外、XRD表征了材料的结构.测定了对NOx的吸附性能.  相似文献   
962.
研究了Eu3+掺杂铌硅玻璃的5D0发射光谱,其激发谱中7F0 5D2声子边带,荧光窄化谱及5D0能级寿命。并由此计算了强度参数与晶场参数。结果显示5D0 7F2 5D0 7F1发光强度之比与强度参数Ω2随着Nb2O5浓度的增加而增大,表明材料对称性降低,Eu-O键强增加,共价性增强。晶场参数B20随着Nb2O5的浓度增加而减小,同样表明Eu-O键的距离减小,键强增加。随着Nb2O5的浓度增加,电 声子耦合增强,5D0能级的无辐射过程加快,寿命变短。  相似文献   
963.
弹道电子发射显微镜对Au/n-Si(100)界面势垒的探测   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
白春礼  郭仪 《物理学报》1995,44(1):133-136
用弹道电子发射显微镜对Au/n-Si(100)界面势垒测试,直接得出定点的势垒特性和纳米尺度的界面图象.通过所测的I-(c)-V曲线,可得所测点的肖特基势垒高度及电荷传输特性.界面图象可以显示界面极小范围内势垒的特性. 关键词:  相似文献   
964.
云中客 《物理》2005,34(4):292-292
在高达数十亿美元的半导体工业生产过程中,硅晶片要经历多次的超声波清洗工序.对于该工序却一直没有一个可靠的监控手段.当晶片沉浸于液体中并经受着高频声波的清洗时,利用在液体中产生巨量的气泡可以有效地清除掉晶片上的杂质和一些微小粒子.另一方面,这种清洗也会不经意地损害晶片上的电路,从而使合格晶片的产量减少.  相似文献   
965.
肖天存  邓风 《波谱学杂志》1995,12(2):146-153
通过改变硅源和晶化时间的方法,采用水热法合成了系列SAPO-5分子筛材料,用X光衍射(XRD)和^27AlMAS NMR对产物的晶相结构进行表征,用^13C CP MAS NMR研究不同阶段的产物中模板剂的存在状态,结果可见:以SiO2凝胶为硅源时,薄水铝石反应物有罗高的活性,在48g的晶化时间内,延长晶化时间有助于SAPO-5分子筛的完整结晶,当晶化时间超过48h时,其中已形成的SAPO-5的结  相似文献   
966.
Eu^3+掺杂铌硅玻璃的微观局域环境特性   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了Eu^3 掺杂铌硅玻璃的^5Do发射光谱,其激发谱中^7Fo-^5D2声子边带,荧光窄化谱及^5D0能级寿命。并由此计算了强度参数与晶场参数。结果显示^5D0-^7F2/^5D0-^7F1发光强度之比与强度参数Ω2随着Nb2O5浓度的增加而增大.表明材料对称性降低.Eu-O键强增加,共价性增强。晶场参数B20随着Nb2O5的浓度增加而减小,同样表明Eu-O键的距离减小,键强增加。随着Nb2O5的浓度增加。电-声子耦合增强,^5D0能级的无辐射过程加快,寿命变短。  相似文献   
967.
一种模拟多孔硅结构的新方法   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
以界面电化学反应动力学和离子输运动力学为基础,构造了一种多孔硅形成与结构的动态计算机模拟模型,模型中采用了电势的指数形式来表示化学反应概率。文中给出了与多孔硅的横断面透射电子显微镜(TEM)图谱和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)照片十分接近的形貌图示。 关键词:  相似文献   
968.
The hybrid density functional theory B3LYP with basis sets 6-31G* has been used to study on the equilibrium geometries and electronic structures of possible isomers of Si3N4 clusters. 24 possible isomers are obtained. The most stable isomer of Si3N4 is a 3D structure with 7 Si-N bonds and 2 N-N bonds that could beformed by 3 quadrangles. The bond properties of the most stable isomer was analyzed by using natural bond orbital method (NBO), the results suggest that the charges on Si and N atoms in Si-N bonds are quite large, so theinteraction of N-Si atoms in Si3N4 cluster is of strongly electric interaction. The primary IR and Raman vibrational frequency located at 1033.40 cm^-1, 473.63 cm^-1 respectively. The polarizabilities and hyperpolarizabilities of the most stable isomer are also analyzed.  相似文献   
969.
《物理与工程》2004,14(6):61-61
人们在研究半导体碳纳米管和纳米线真正电子器件上作了很多努力,希望制造出可替代传统硅晶体管的场效应管或独立的纳米电子系统,  相似文献   
970.
采用国产钆对Gd-Si-Ge合金的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
  相似文献   
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