电机工程中一类非线性振动方程的渐近分布

本文采用文［１］中提出的修正的Крылов－Боголюбов方法，研究电机工程中一类非线性振动方程，定量地给出了存在极限环的参数范围以及极限环的振幅，并判定该极限环是不稳定的，这些结果与已知的定性分析结果完全一致，从而进一步证实了上述渐近方法的有效性。     

热电材料研究进展

在介绍热电材料制冷工作原理，分析热电材料优值系数的基础上，介绍了300K以下热电材料的研究进展，分析了热电材料的制冷特点、现状和应用前景．     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.     

对一道高考压轴题的探讨

历年高考都十分重视对考生的后继学习潜能以及研究素质的考查，命题越来越科学合理、新颖巧妙．其中，以某些高等数学知识为背景材料设计而成的高考题，尤其为广大中学数学教师所津津乐道．新课程引入导数后，给我们研发具有高等数学背景的数学试题，提供了更广阔的空间．     

Preparation and Optical Properties of SnO2／SiO2 Nanocomposite

SnO2/SiO2 nanocomposites have been prepared by the soaking-thermal-decomposing method, tin oxide nanoparticles are uniformly dispersed in the mesopores of silica. The optical absorption edge of the obtained nanocomposite presents a redshift compared with bulk tin oxide, With the increasing annealing temperature during the procedure of the sample preparation, the optical absorption edge of the sample moves to shorter wavelength (blueshift). These optical properties can be ascribed to the amorphous structure and band defects of surface layers of the tin oxide nanoparticles.     

Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation

Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved.     

串列加速器头部电极改进方案

通过改变头部电极的局部形状来改善头部电场, 运用Poisson程序计算几种可能形状下表面电场的分布, 并以此给出最佳的改进方案.     

β缓发中子探测阵列的性能优化及测试

讲述了用于β缓发中子发射测量的中子探测阵列的性能优化过程及测试结果. 对中子探测器包装用的几种反射材料、光导和光电倍增管之间用的几种耦合材料行了系统的对比和研究. 为了优化电子学和实时监测整个探测阵列的工作状态, 引入了LED光纤刻度监测系统.