集成铁电学与铁电集成薄膜

介绍了集成铁电学的基本概念，评述了当前集成铁电材料与器件研究中的主要问题，概略叙述了作者提出的铁电集成薄膜及其在多功能器件和灵巧器件上的应用。     

相对论密度泛函法对CN^—在铜和银电极上振动频率的研究

对ＣＮ＾－在铜和银电极上的吸附性质进行了相对论密度泛函簇模型计算。结果表明，电场微扰方法可以描述ＣＮ＾－在铜和银电极上吸附的表面现象，电极势诱导的频率移动被理解为Ｓｔａｒｋ效应所引起。内振动模式Ｍ－ＣＮ和Ｃ－Ｎ的耦合对电位诱导的Ｃ－Ｎ振动频率变化的大小起重要作用，计算所得的由Ｓｔａｒｋ效应所引起Ｃ－Ｎ振动频率变化的斜率和实验结果相符。     

开关结构对a-SiTFT-LCD光学特性的影响

分析非晶硅薄膜晶体管在a-SiTFT-LCD中的开关特性，讨论这种开关结构中的主要功能膜材料尺寸与性能参量、光刻制备工艺，存储电容以及栅脉冲延迟效应等对a-SiTFT-LCD的通断电流比，信号响应与保持特性，图像亮度与对比度等光学特性的影响。     

C60量子点与磁性电极的耦合

在磁电子学领域，自旋极化输运与分子器件的结合是一个热门研究方向．最近，来自美国康奈尔大学的Pasupathy等，采用纳米加工技术，将单个C60分子吸附在一对Ni电极之间，构成了“铁磁电极-C60量子点”器件．量子点的Kondo效应和铁磁性交换耦合，原本是相互排斥的，在Pasupathy的实验中，两者被首次结合在一个器件中并加以观察．研究结果表明，如果器件的质量能够保证两种效应之间的竞争得到有效控制，     

Photocatalytic Synthesis of Oxygenates from Gaseous CO2 and CH4 over Semiconductor

Photoinduced synthesis of CO2 and CH4 was investigated using a batch reaction system on several photoactive materials supported on silicon dioxide. Single semiconductor showed higher selectivity to C1 compounds. The production of C2-C3 oxygenates took place preferentially on composite semiconductor photocatalysts. In particular, it was found that acetone was the primary product over Cu/CdS-TiO2/SiO2.     

化学与化工学科研究进展

化学与化工学科是我院的主体学科之一，其内容主要涉及核化学与核化工、含能材料化学、有机化学与高分子化学、电化学和环境化学与环境工程等领域。核化学与核化工领域主要包括放射化学、氢同位素化学与氚工艺、铀（钚）化学及其与核能释放相关的材料化学。含能材料化学主要涉及炸药的设计、合成、加工号『生能研究。有机化学与高分子化学主要开展激光聚变靶材料的制备、性能检测与应用研究，还包括武器用结构材料的结构与性能研究。电化学主要开展长寿命热电池的应用研究。在环境化学与环境工程领域，主要涉及环境监测与评价、“三废”处理技术以及核设施退役技术的研究与应用。     

基于半导体材料的新型光纤温度传感器

提出利用全反射定律以半导体材料作为敏感器件的光纤温度传感器，着重阐述半导体材料的温度敏感特性及传感原理，介绍传感器构造，并给出初步实验方案。     

Defect Structures in 4H-SiC Irradiated with Highly-energetic ^20Ne^4＋ and ^120Xe^26＋ Ions

The study of damage evolution in silicon carbide bombarded with energetic helium ions is important for the use of this material in future fusion reactors. Heavier inert gas atoms like Ne and Xe have similar behavior of diffusion and clustering with helium, and the comparison of damage accumulation behavior between energetic helium and heavier inert gas ions can reveal important aspects of underlying mechanisms. As an extension of our