缓冲层生长温度对In0.82Ga0.18As 薄膜结构及电学性能的影响

采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In_0.82Ga_0.18As材料。研究缓冲层的生长温度对In_0.82Ga_0.18As薄膜的结构及电学性能的影响。固定外延薄膜的生长条件,仅改变缓冲层生长温度(分别为410,430,450,470 ℃),且维持缓冲层其他生长条件不变。用拉曼散射研究样品的结构性能,测量四个样品的拉曼散射光谱,得到样品的GaAs的纵向光学(LO)声子散射峰的非对称比分别为1.53,1.52,1.39和1.76。测量样品的霍耳效应表明,载流子浓度随缓冲层生长温度变化而改变,同时迁移率也随缓冲层生长温度变化而改变。通过实验得出:缓冲层的生长温度能够影响In_0.82Ga_0.18As薄膜的结构及电学性能。最佳的缓冲层生长温度为450 ℃。     

Inter-Layer Energy Transfer through Wetting-Layer States in Bi-layer InGaAs/GaAs Quantum-Dot Structures with Thick Barriers

The inter-layer energy transfer in a bi-layer InGaAs/GaAs quantum dot structure with a thick GaAs barrier is studied using temperature-dependent photoluminescence. The abnormal enhancement of the photoluminescence of the QDs in the layer with a larger amount of coverage considering the resonant Forster energy transfer between the at 110K is observed, which can be explained by wetting layer states at elevated temperatures.     

双道原子荧光光谱法同时测定土壤中的砷和汞

建立了同时测定土壤中砷和汞的原子荧光光谱法。样品的相对标准偏差 As为 3.94 % ,Hg为 5 .0 0 % ,回收率在 90 %— 93%之间 ,对砷、汞的检出限分别为 0 .18μg/L和 0 .0 5 7μg/L。本法操作简便、快速、灵敏度高。     

双道原子荧光光谱法同时测定农产品中的砷和汞

研究了湿法消解,双道原子荧光光度计同时测定农产品中的砷和汞,优化了检测条件和消解步骤,为在日常工作中,检测大量样品提供了快捷、简单、准确、灵敏和重现性好的方法。砷、汞检出限分别为:0.053μg/L、0.0136μg/L。针对一般化验室的仪器配置,采用简便的湿化消解方法,样品砷和汞加标回收率分别为96.8%—101.2%和96%—97.5%,对国家标准物质茶叶、牛肝等进行检测,精密度和准确度都符合要求。     

共沉淀分离富集-ICP-AES测定饲料级硫酸铜中微量As和Pb

在氨性介质中 ,以硫酸铁铵作共沉淀剂 ,预富集硫酸铜中的微量砷、铅 ,ICP- AES测定砷、铅的含量。方法检出限可满足日常分析的需要。加标回收率 As95 .0 %— 98.8% ;Pb96 .9%— 97.5 % ;相对标准偏差As4 .4 % ;Pb5 .8%。     

微波消解和氢化物发生ICP-AES法测定煤中痕量砷

建立了硝酸 盐酸 氢氟酸微波消解样品,氢化物发生ICP AES法测定煤中痕量砷的方法。考察了微波消解、酸性介质和硼氢化钠浓度的最佳条件。在选定的操作条件下,砷的检出限为0.3μg·L-1,相对标准偏差(n=5)小于4%。方法准确、快速,用本法测定国家标准参考物质的结果与推荐值一致。     

8-羟基喹啉掩蔽氢化物发生原子荧光法测定水中As(Ⅲ)和As(Ⅴ)

研究了用8-羟基喹啉(8-HQ)作为As(Ⅴ)和其他共存金属离子的掩蔽剂,氢化物发生原子荧光法(HGAFS)测定水中痕量As(Ⅲ)和As(Ⅴ)的最佳工作条件。该法的检出限为0．12μg／L,回收率为92％～104％,相对标准偏差为1．3％,有较好的抗干扰能力。此法用于实际水样的测定取得了满意结果。     

消化-石油醚提取氢化物-原子荧光光谱法测定食用油中砷

采用消化 -石油醚提取方法处理食用调味油样品 ,以氢化物 -原子荧光光谱法测定砷 ,研究了样品的处理方法、线性关系及检出限 ,建立了快速测定食用调味油中砷含量的原子荧光光谱法。相对标准偏差小于1.79% ,加标回收率 96 .7%— 10 3.8%。     

离子色谱-双阳极电化学氢化物发生-原子荧光光谱法测定Ⅰ型牙髓失活材料中的砷形态

将自制的双阳极电化学氢化物发生器作为离子色谱与原子荧光光谱的联用接口,建立了离子色谱-双阳极电化学氢化物发生-原子荧光光谱法在线分析砷形态系统.最佳实验条件为淋洗液6.0 mmol/L NH4H2PO4(pH 6.20),电解液0.40 mol/L H2SO4,电解液流量为阳极4.0 mL/min,阴极 1.5 mL/min,电解电流密度0.50 A/cm.2,载气流量300 mL/min,屏蔽气流量500 mL/min,氢气流量80 mL/min.在优化的实验条件下,As(Ⅲ)、DMA、MMA的线性范围为5～200 μg/L、As(Ⅴ)的线性范围为10～200 μg/L,As(Ⅲ)、DMA、MMA和As(Ⅴ)检出限分别为3.04、4.27、3.97和9.30 μg/L(信噪比S/N=3).50 μg/L的As(Ⅲ)、DMA、MMA和As(Ⅴ)混合标准溶液平行进样7次,得到的色谱峰面积的相对标准偏差(RSD)分别为415%、3.08%、519%和3.62%.将该方法用于牙髓失活材料中的砷形态分析.     

氢化物发生-原子荧光光谱法同时测定陈皮中砷和汞

采用微波消解法消解陈皮样品,利用氢化物发生-原子荧光光谱法同时测定陈皮中砷和汞.研究并优化了硼氢化钾的用量、消解介质的酸度、共存离子的干扰和消除等试验条件.荧光强度与砷及汞的质量浓度在20.0μg·L-1及2.00 μg·L-1以内呈线性关系,方法的检出限为0.084μg·L-1(砷)和0.022 μg·L-1(汞).应用此法分析了6个陈皮试样,测定值的相对标准偏差均小于7.0%,以标准加入法做回收率试验,平均回收率分别为93.6%(砷)和90.7%(汞).