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Temperature-Induced Switching-Over of the Luminescence Transitions in GaInNAs/GaAs Quantum Wells
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Photoluminescence (PL) spectra of the GaInNAs/GaAs single quantum well (SQW) with different N compositions are carefully studied in a range of temperatures and excitation power densities. The anomalous S-shape temperature dependence of the PL peak is analysed based on the competition and switching-over between the peaks related to N-induced localized states and the peak related to interband excitonic recombination. It is found that with increasing N composition, the localized energy increases and the turning point of the S-shape temperature dependence occurs at higher temperature, where the localized carriers in the handrail states obtain enough thermal activation energy to be dissociated and delocalized. The rapid thermal annealing (RTA)effectively reduces the localized energy and causes a decrease of the switching-over temperature. 相似文献
173.
示波极谱法同时测定痕量硒和砷 总被引:1,自引:0,他引:1
在盐酸-酒石酸锑钾介质中,Se(Ⅳ)在—0.59V(vs.SCE,下同)左右产生示波极谱峰,其二阶导数峰高IP″_(Se)与Se(Ⅳ)浓度在1.26×10~(-8)~1.26×10~(-4)mol·L~(-1)范围呈良好线性关系,Se(Ⅳ)检出下限为5.0×10~(-9)mol·L~(-1)。在相同底液中,当Se(Ⅳ)浓度大于2.5×10~(-6)mol·L~(-1)时,As(Ⅲ)在—0.79V左右也出现一良好极谱峰,其峰高IP″_(As)与As(Ⅲ)浓度在5.3×10~(-7)~2.6×10~(-4)mol·L~(-1)之间呈良好线性关系,As(Ⅲ)检出下限为2.7×10~(-7)mol·L~(-1)。Se(Ⅳ)、As(Ⅲ)两峰电位相差较大,可在同一底液中同时测定。曾用本法测定了煤飞灰标样(82201)中痕量硒和砷,结果与证书值相符。硒、砷加标回收率为95%~110%,还研究了Se(Ⅳ)、As(Ⅱ)极谱波性质。 相似文献
174.
用自制常压MOCVD装置,在Si衬底上生长GaAs和AlGaAs外延层,在高温去除Si衬底表面氧化膜之后,采用两步法,即低温生长过渡层,再提高温度生长外延层。得到了表面镜面光亮的优质GaAs和AlGaAs外延层。X射线双晶衍射仪测试GaAs外延层,其回摆曲线半峰宽是200孤秒,GaAs和AlGaAs外延层在77K温度下,PL谱半峰宽分别是17meV和24meV。 相似文献
175.
钢铁中磷砷硅锰联合快速测定的改进 总被引:1,自引:0,他引:1
对钢铁中砷含量的快速测定方法提出了改进意见,提高了稳定性和准确度,拟定了硅、锰、磷、砷四元素的联合快速测定新规程. 相似文献
176.
对氢化物发生-原子荧光法测定啤酒中总砷含量的不确定度进行了评定。分析了方法中不确定度的来源,测量结果的不确定度由样品制备、校准曲线、重复性试验、平行试验等所引入的不确定度分量组成。评定结果表明,校准曲线是影响该方法不确定度的主要因素。 相似文献
177.
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179.
InAs infrared-sensitive solar cells are fabricated by using the films grown by the liquid phase epitaxy technique. The film microstructures are characterized by x-ray diffraction and scanning electronic microscopy. The current-voltage characteristics of the solar cells in the dark and under AM1.5 illumination at 300 K and 77 K are discussed. The conversion efficiency of p-InAs/n-sub InAs cells decreases when the thickness of the p-type film changes from 1.7 μm to 3.5 μm, which is caused by the reduced effective photons near p?n junction. The p-InAs/n-InAs/n-sub InAs solar cell with the conversion efficiency of 7.43% in 1-2.5 μm under AM1.5 at 77 K is obtained. The short circuit current density increases dramatically with decreasing temperature due to the weakened effect of phonon scattering. 相似文献
180.