As吸附在InP(110)表面电子性质的理论研究

利用形式散射的格林函数方法，研究了As在InP(110)表面不同吸附结构的电子性质.体材料采用实用的经验紧束缚近似方法的哈密顿，分别计算了As-P交换作用和形成外延连续层结构表面态的性质，指出了表面态和表面共振态产生的原因.在计算中，一些表面紧束缚相互作用参数进行了调整，所得结果好于其他理论方法. 关键词：     

利用鲁米诺-过氧化氢-铬(Ⅲ)化学发光体系测定痕量砷

本法与原子吸收法相比,检测下限由1.0×10-9g/mL降至6.0×10-12g/mL,线性范围由1.0×10-9～1.0×10-6g/mL扩大至1.0×10-10～1.0×10-5g/mL,且具有灵敏度高,选择性好,设备简单,操作简便等诸多优点,同时,在操作中不会产生ASH3这样的有毒气体,避免了分析工作人员的健康受到损害.方法目前尚未见文献报道.     

生长温度对In0.53Ga0.47As/InP的LPMOCVD生长影响

利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xAs材料，获得表面平整．光亮的In0.53Ga0.47As外延层。研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响。随着生长温度的升高，为了保证铟在固相中组分不变，必须增加三甲基铟在气相中的比例。在生长温度较高时，外延层表面粗糙。生长温度在630℃与650℃之间，X射线双晶衍射曲线半高宽最窄，高于或低于这个温度区间，半高宽变宽。迁移率随着生长温度的升高而增加,在630℃为最大值，然后随着生长湿度的升高反而降低。生长温度降低使载流子浓度增大，在生长温度大于630℃时载流子浓度变化较小。     

氢化物发生-原子荧光光谱法测定环境水样中的砷(Ⅲ)、砷(Ⅴ)

用氢化物发生-原子荧光光谱法测定环境水样中的砷(Ⅲ)和砷(Ⅴ),在0～100μg/L范围内砷的浓度与荧光强度呈线性关系,相关系数r=0.9999.测定结果的相对标准偏差为0.7%,检出限为0.08μg/L.与二乙氨基二硫代甲酸银光度法进行比对,经F检验和t检验,两种方法无显著性差异.     

活性炭富集—GFAAS法测定乙烯气中的砷含量

提出一种乙烯气中砷的富集，消解方法，详细地考察了实验条件，用ＧＦＡＡＳ法对乙然气中砷含量进行了测定。相对标准偏差〈４．７％，测定结果与氢化物原子荧光法测定结果相吻合。     

流动注射——氢化物原子吸收法测定食品级碳酸钙中砷

用盐酸溶解碳酸钙试样,碘化钾-抗坏血酸预还原,硼氢化钠作还原剂,流动注射法发生砷化氢,并用氮气载入电热石英原子化器中进行原子化,在240·h的采样频率下,砷的特征浓度为0.2ng·ml~(-1),检出限(3σ)为0.6ng·ml~(-1),回收率为96.4%,相对标准偏差为3.3%.     

采暖居住建筑实施节能65%--围护结构传热系数的确定

以围护结构的耗热量指标、传热系数限值和门窗空气渗透耗热量为重点,对严寒地区居住建筑实施节能65%进行了分析,提出围护结构各部分的传热系数限值.对围护结构如何实现节能65%的要求,从围护结构构造和技术角度进行了讨论;并阐述降低门窗部位的空气渗透耗热量是下一步节能的关键.     

连续氢化法电感耦合等离子体发射光谱同时测定生物样品…

本文叙述用氢化法电感耦合等离子体发射光谱同时测定生物样品中痕量硒，砷，锡，锑的方法。比较了浓度为２．８８ｍｏｌ／Ｌ，４．８ｍｏｌ／Ｌ和６．０ｍｏｌ／Ｌ的ＨＣｌ对Ｓｅ，Ａｓ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｈｇ和Ｇｅ谱线强度的影响，也比较了ＮａＢＨ４溶液中ＶＣ对测定Ｓｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓｎ，Ｈｇ和Ｇｅ的影响。在４．８ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ浓度下，在１％ＮａＢＨ４溶液中加０．５％ＶＣ，ＨＹ－ＩＣＰ－ＡＥＳ的检出限是：Ｓｅ ０．