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981.
982.
983.
984.
对传统的静态刻蚀方法进行了改进,提出了一种光学元件兆声辅助化学刻蚀新方法,并对传统静态刻蚀与兆声辅助化学刻蚀效果进行了对比分析,综合考虑刻蚀液的配比、刻蚀时间、添加活性剂种类和功率对光学元件激光损伤阈值的影响,通过正交设计实验优选出最佳的兆声辅助化学刻蚀工艺参数。结果表明:兆声清洗对各类杂质的去除效果要明显好于手工擦洗,兆声辅助化学刻蚀比传统的静态刻蚀有更高的刻蚀速率,在兆声的作用下刻蚀液能够进入到传统静态刻蚀难以进入的微裂纹中,对微裂纹等缺陷的刻蚀效果更为明显,能够将熔石英元件激光损伤阈值进一步提高。 相似文献
985.
The objective of this study is to investigate a high performance and lower cost compact gamma camera module for a multi-head small animal SPECT system. A compact camera module was developed using a thin Lutetium Oxyorthosilicate (LSO) scintillation crystal slice coupled to a Hamamatsu H8500 position sensitive photomultiplier tube (PSPMT). A two-stage charge division readout board based on a novel subtractive resistive readout with a truncated center-of-gravity (TCOG) positioning method was developed for the camera. The performance of the camera was evaluated using a flood 99roTe source with a four-quadrant bar-mask phantom. The preliminary experimental results show that the image shrinkage problem associated with the conventional resistive readout can be effectively overcome by the novel subtractive resistive readout with an appropriate fraction subtraction factor. The response output area (ROA) of the camera shown in the flood image was improved up to 34%, and an intrinsic spatial resolution better than 2 mm of detector was achieved. In conclusion, the utilization of a continuous scintillation crystal and a flat-panel PSPMT equipped with a novel subtractive resistive readout is a feasible approach for developing a high performance and lower cost compact gamma camera. 相似文献
986.
利用平面对称碰撞和“原位”测量实验方法,对Z-切石英的弹性响应特性和窗口光学特性进行了研究.结果表明,在至少10 GPa内,Z-切石英为弹性单波响应,且透光性良好,可作为速度剖面测试系统的光学窗口.10 GPa内Z-切石英的冲击波速度和粒子速度之间满足线性关系.1550 nm入射光条件下,其窗口速度修正采用指数形式较为精确,线性修正仅适用于特定范围;而折射率随密度的变化关系则可采用线性函数进行较好描述.以上结果为Z-切石英应用于基于1550 nm光源激光干涉测速系统的光学窗口提供了依据. 相似文献
987.
采取355 nm激光脉冲辐照熔石英样品,利用Nomarski微分干涉差显微镜、原子力显微镜和扫描电子显微镜观测手段对前后表面产生的损伤点进行了观察分析。对前后表面损伤形态做出详细的描述和分类,从理论上对每种损伤类型产生的条件与机理做出推测。实验结果表明:熔石英前表面存在小麻点群损伤和星状裂纹损伤两种损伤形态,横向尺寸分别为0.8~2.5和1.0~5.5 μm;后表面存在小麻点群损伤、壳状剥离损伤和火山口3种损伤形态,损伤横向尺寸分别为0.48~1.33,4~20和12~30 μm。实验证明了1 μm尺度损伤点的产生与再沉积层密切相关。 相似文献
988.
We investigate the photovoltaic effects of quartz single crystals annealed at high temperatures in ambient atmosphere. The open-circuit photovoltages and surface morphologies strongly depend on the heating treatments. When the annealing temperature increases from room temperature to 900℃, the rms roughness of quartz single crystal wafers increases from 0.207 to 1.011 nm. In addition, the photovoltages decrease from 1.994μV at room temperature to 1.551 μV after treated at 500℃, and then increase up to 9.8μV after annealed at 900℃. The inner mechanism of the present photovoltaic response and surface morphologies is discussed. 相似文献
989.
990.