矩形片筏基础的挠度分析

工程上对片筏的力学分析，通常采用温克勒地基模型，且假定床基系数是常量。本则认为床基系数是坐标的函数，考虑了具有线性变化床基系数的地基上的片筏，利用伽辽金法求得周边固支片筏在均布荷载作用下的挠度。所得结果颇具一般性且实用价值更高。     

高压下某些导电高分子色散关系的研究

利用晶格动力学方法,研究在高压下几种导电高分子具有不同晶格链时的色散关系及其曲线的变化.链间耦合作用的减弱使横波与纵波的ω差值相应增大,且在BZ边界处拉开一个间隙,这是维度作用的结果.     

半导体与超晶格的数学模型及其分析Ⅰ:模型

本文论及半导体与超晶格的数学模型方法的一些新近发展动态。介绍了半导体与超晶格的一些背景材料并给出了半导体宏观模型间的层次框架。超晶格中载流子传输的SHE扩散模型也被观察。     

有限元节点编号优化

从分析最简单最优的矩形单元节点编号着手，分析其特点，得出各个节点的相邻单元节点编号总和除以该节点相邻单元数所得的节点商以及相邻单元最小最大节点编号和都为升序排列。总结出一种新型的有限元节点重编号方法，并举例说明该算法能减少有限元的带宽。     

受压矩形截面柱在塑性阶段的缺陷敏感性分析

对加载到塑性阶段的矩形截面柱，本文研究了几何缺陷对屈曲的影响，在分析中考虑了弹性卸载的影响，求出了荷载、缺陷大小及分叉模态幅值之间的精确渐近关系式，结果表明在塑性阶段最大承载力对小缺陷非常敏感，但当缺陷大小达到某一值后，可能不存在最大载荷。     

钻石型等级晶格上Gauss模型的临界性质

在Gauss模型中 ,假设Gauss分布常数依赖于晶格格点的配位数 ,并且满足关系bqi/bqj=qi/ qj( qi是格点i的配位数 ,bqi是格点i上的Gauss分布常数 ) .利用重整化群变换和自旋重标相结合的方法 ,研究了一族钻石型等级晶格上Gauss模型的临界行为 .结果发现 :这些晶格的铁磁相变性质属于同一普适类 ,其临界点和临界指数分别为K =b_qi/ q_i 和ν=1 / 2 .     

硫化锌掺钴对电子结构和光学性质的影响

根据密度泛函理论对钴掺硫化锌周围的品格进行了结构优化,计算得到了钴杂质周围的晶体结构、电子态密度分布和吸收光谱.计算结果表明,由于Co原子掺入ZnS晶格常数减小,导致晶格畸变;带隙变窄;吸收峰展宽至更长波长区域.     

用二维复式晶格有限集团模型计算聚乙炔的电子结构

以二维复式晶格作为有限系统的集团模型,在紧束缚近似下,计算了π电子在最近邻及次近邻跳跃集团的态密度.讨论了不同结构参数对态密度及带宽的影响.     

Ge_x Si_(1-x)/Si超晶格中纵声学声子的喇曼散射强度研究

本文用光弹理论,在全面考虑了超晶格中两种材料的声速,质量密度和光弹常数存在差别的基础上,计算了Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格中折迭纵声学声子的喇曼散射强度,在高达50cm~(-1)的频率范围内,理论值和实验符合得很好。     

晶格反演的嵌入原子法模型及其应用

讨论一种基于晶格反演的嵌入原子法模型 ,其特点是未知函数的参数化是对原子间对势和单原子电荷密度函数的晶格和 ,而不是对原子间对势和单个原子的电荷密度函数进行的 ,其最大优点在于待定参数可以用物理输入解析地表达出来 ,而不是像大多数埋入原子法模型中那样通过拟合来确定 .给出了它在计算点缺陷 (自间隙杂质和空位原子 )和晶体表面形成能方面的应用 .