脉冲星射电光度的估计及其演化规律的研究

本文从极冠模型出发导出辐射束的强度分布和新的光度公式.新的光度公式无需对磁倾角和视线扫过辐射束的部位作出假定,采用新的射电光度值来研究光度的演化规律,发现在周期和周期变率的整个取值范围内射电光度可以用关系式L∝(B/P²)^1.1和L∝Q’^-1.4来描写.这和近几年流行的光度规律不同.     

光辅助超高真空CVD系统制备SiGe异质结双极晶体管研究

介绍了采用紫外光化学汽相淀积(UVCVD)、超高真空化学汽相淀积(UHVCVD)和超低压化学汽相淀积(ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积(CVD)工艺系统,简称U³CVD系统.应用该系统,在450℃低温和10^-7Pa超高真空环境下研制出了硅锗(SiGe)材料和硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)材料.实验表明,该系统制备的SiGe HBT材料性能良好.     

包含高阶摄动项的光学孤子演化方程的严格推导

利用奇异摄动多重尺度导数展开法,从非线性介质中的原始Maxwell方程组出发,导出了修正非线性schrdinger方程,给出了其不同形式的等价的两种表达式;同时还指出了Kodama利用约化微扰法推导此方程的不严格之处。     

二维非正交坐标斜方格金属光子带隙结构

金属光子带隙结构在高能加速器、微波真空电子器件和太赫兹波源等方面具有重要的应用前景.基于实空间传输矩阵理论，详细研究了非正交坐标系下二维斜方格金属光子带隙结构，给出了计算横电模、横磁模完全带隙结构的一般公式，并分析了填充系数、任意斜角及金属柱横截面对带隙结构的影响.计算结果在退化为正方格情况下时，与其他方法的计算结果取得很好的一致. 关键词： 光子晶体 金属光子带隙 传输矩阵法 微波真空电子器件     

从电子器件的换代来看计算机的发展

 电子计算机的诞生与发展,极大地推进了现代科学技术的发展。从第一台计算机诞生到今天,计算机已经历了四代,而四代机的划分是以电子器件的换代为主体特征。电子管的发明和第一代电子管数字计算机（1946～1958年）1883年,美国发明家爱迪生（T.A.Edison,1847～1931）发现了热的灯丝发射电荷的现象,并被称之为“爱迪生效应”。1889年,英国著名物理学家汤姆孙（J.J.Thomson,1856～1940）解释了这种现象,并把带电的粒子称为“电子”,同年,英国伦敦大学电工学教授弗莱明（S.J.A.Fleming,1849～1945）开始认真研究爱迪生效应,并且于1904年研制出检测电波用的     

噪声环境中两粒子纠缠态的纠缠消相干

借助于共生纠缠度和输入输出保真度考察了初始处于纠缠态的两粒子在联合噪声环境中的消纠缠特性。结果表明：两粒子纠缠态可分为相干保持态和脆弱纠缠态，对于脆弱纠缠态分析了它们在低温条件欧姆型耗散下的纠缠消相干演化动力学。     

变频率压缩态光场与原子的相互作用

研究了频率随时间变化的压缩态光场与二能级原子的相互作用，主要讨论了光场频率随时间作正弦调制和脉冲调制两种典型情况下，原子布居数反转随时间的演化特性。当光场频率随时间作正弦调制时，不仅光场频率调制，而且压缩态的压缩系数和压缩相位均对原子布居数反转的崩塌—回复过程有影响。当光场频率随时间作脉冲调制时，在原子布居数反转随时间演化过程中诱导出新的崩塌—回复过程，尤其在脉冲出现的区间内，原子布居数反转表现出持续的小幅快速振荡，这与压缩态的压缩系数无关。     

理想微裂纹系统中的随机扩展效应

本文讨论了在理想微裂纹系统中,由于微裂纹的随机性扩展,对微裂纹统计演化产生的效应。文中提供了一般的理论框架,给出了便于处理的转移概率的表达式。最后,用数值计算的例子展示了随机模型的统计演化特征,并比较了与确定性扩展模型下统计演化的异同。     

TiVI真空紫外光谱

用1m法向入射光谱仪观察三电极真空火花发射的Ti五次离化光谱。在24～200nm波段内观察到157条TiVI的新谱线。根据新归属的TiVI谱线定出11个新能级,并对5个有疑问的能级值作了修正。