有限核真空中的反核子能谱

通过建立能够自洽地描述核子和反核子束缚态的相对论Hartree模型来研究有限核中的量子真空,其中狄拉克海对介子场方程的贡献由单圈图考虑,模型中还引入了ω介子和ρ介子的张量耦合项.在拟合球形核的性质后得到模型的参数,给出核子有效质量为m*/MN≈0.78;计算得到的核子壳模型能级与实验值相一致,在考虑张量耦合项的效应后真空反核子位阱深度增大了20—30MeV.     

稀有衰变B0(Bs)→γv(-v)分支比的计算

在标准模型中,三体稀有衰变B0(Bs)→γv(-v)只有通过箱图和企鹅图才可以发生.这个过程对于确定B介子的衰变常数及其波函数有着较重要的物理意义,由于这些衰变道的分支比较小,因此也是探测新物理理论的比较好的场所.利用B介子强衰变确定的波函数,得到B0(Bs)→γv(-v)的分支比的数量级是10-9(10-8),这些结果可以在未来的实验上得到检验.     

稀磁半导体Zn1-xMnxTe吸收光谱压力红移的理论研究

以自由Mn²⁺离子的径向波函数为基础,通过引入电子云延伸效应系数κ来修正这一径向波函数,得到了稀磁半导体Zn_1-xMn_xTe晶体中Mn²⁺离子的径向波函数.以此波函数为基础,研究了Zn1-xMnxTe晶体吸收光谱的高压谱移特性,并且得到了吸收谱中四条谱线随压力的红移规律.     

HL-2A装置中用户屏幕抓拍的功能实现

在HL-2A装置实验中，为了能及时了解远地系统的屏幕信息，充分利用真空质谱图和水系统监控屏幕等子系统的屏幕内容，开发了用户屏幕抓拍系统。该系统利用现有专用系统处理功能，将不能实时共享的屏幕输出结果，进行实时共享显示；同时，将专用系统的屏幕输出结果以图像的形式存储下来，供实验之后的共享交流。本文详细介绍该系统的功能特征以及包括系统设置、触发抓屏、热键抓屏、临时用户抓屏等多项应用实现。     

量子物理百年历程

 20世纪科学史册中最有影响的科学进展大概应当包括广义相对论、量子力学、大爆炸宇宙学、遗传密码的破译、进化生物学以及读者选择的其他一些课题。在这些进展当中,量子力学因其深奥的根本属性,而具有更加独特的地位。     

Acoustic scattering from multiple spheres by using a kind of addition formulae for the spherical wave functions

A kind of addition formulae for the spherical wave functions is generated by using the bicentric expansion of Green function in spherical coordinates. For an acoustical system with multiple spheres, the addition formulae permit the field expansions all referred to the center of one of the spheres, whose boundary conditions can be consequently used to study the multiple scattering easily. The two-sphere acoustical system with different boundary conditions is considered and the field scattered by each sphere can be obtained by solving an infinite set of two linear, complex, algebraic equations, whose coefficients are coupled through double sums in the spherical wave functions. Finally, the form functions of two spheres insonified by a plane wave at arbitrary angles of incidence are calculated and the addition formulae presented are validated by comparing the corresponding numerical results with those of the existing literature.     

光辅助超高真空CVD系统制备SiGe异质结双极晶体管研究

介绍了采用紫外光化学汽相淀积(UVCVD)、超高真空化学汽相淀积(UHVCVD)和超低压化学汽相淀积(ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积(CVD)工艺系统,简称U³CVD系统.应用该系统,在450℃低温和10^-7Pa超高真空环境下研制出了硅锗(SiGe)材料和硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)材料.实验表明,该系统制备的SiGe HBT材料性能良好.