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11.
随着时代的前进,现代科学技算的飞速发展,教育要面向现代化,面向世界,面向未来。形势迫使教育工作者努力探索,改革教材,使教材内容更适应新形势的要求。在大学里,必修课的内容要调整、变更,选修课的内容要增加。随之而来的,作为大学的主要输送人才 相似文献
12.
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本文进一步讨论了我们新近提出的等近邻数键球谐函数方法,并通过分子动力学模拟研究了熔融LiCl及其急冷过程。对计算机模拟各时间步产生的瞬态构型进行平均,计算了不同温度下键序Ql谱.将模拟Ql谱与线性组合模型Ql谱比较,观察到模拟Ql谱与含90%局部正四面体结构的组合模型十分相似,表明熔融Licl及其急冷非晶中局部键取向序明显倾向于正四面体序。急冷过程中不同温度下局部键取向序可用同一线性组合模型描述,但模型方差随模拟温度明显变化。方差随温度而降低,且在发生玻璃态转变时有一显著下降。不同温度下的键角分布也作了计算,观察到键角分布在109°(正四面体局部结构键角)附近且分布峰随温度升高而展宽,与键序Ql得到的结论一致。 相似文献
14.
15.
英国《新科学家》杂志日前刊载文章称,新一代X射线激光器能用于研究蛋白质和其他生物分子的构造和行为。新一代X射线激光器的能量将是现有设备的100亿倍,能使科学家观察到最微小最精妙的分子构造。利用这种技术可以破解复杂的蛋白质和完整的病毒结构,甚至可能获得DNA的三维图像。X射线激光器被称作自由电子激光器。与传统激光器不同,自由电子激光器并不是通过光照或电流刺激某种物质发射光子,而是使用粒子加速器让极小的电子云穿过磁铁组,这些磁铁把电子推来推去,直到电子释放出光脉冲。传统激光器的激光波长是由发射光子的物质本… 相似文献
16.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
17.
纳米级自旋电子学材料取得重要进展 总被引:1,自引:0,他引:1
因为纳米级的自旋电子学器件需要在纳米尺度上仍能在较高温度下保持优异性能的高自旋极化率材料,故与半导体相容的半金属铁磁体近来受到高度重视.文章介绍作者在这个方向上研究工作的最新重要进展:通过大规模系统的高精度第一原理计算,作者发现三个3d过渡金属硫系化合物的闪锌矿相具有优异的半金属铁磁性,并且其结构性能适合做成具有足够厚度的薄膜或层状材料,便于应用于纳米级自旋电子学器件。 相似文献
18.
本软件是根据Happel和Sellers提出的矩阵法编制的。用户只需输入基元反应方程式及其系数矩阵,即可得出全部动力学上有意义的反应路线。本软件不但可用于单一总反应的物系,也可用于多个总反应的物系,既适于均相反应,也适于非均相反应。它是拟定化学反应机理的有力工具。本软件用BASIC语言编写,由DOS3.3以上版本支持,可在APPLE-Ⅱ及其兼容机上运行,使用十分方便。 相似文献
19.
The electronic structures for three types of PbW04 (PWO) crystals, the perfect PWO, the PWO containing lead vacancy (PWO-Vpb) and fluorine doped PWO crystal (F^-:PWO), are systematically studied within the framework of density functional theory. The computational results show that the Pb 6s state situates below the valence band so that Pb^2 ions are unable to trap holes forming Pb^3 or Pb^4 to compensate for VPb^2-. The hole-trappers in PWO-Vpb are O^2- ions. Two of the longer-bond O^2- ions share a hole forming O2^3-, and four of the longer-bond oxygen ions trap two holes forming an associated color centre [O2^3--Vpb-O2^3-], which may be the origin of the 42Onto absorption band. It is also concluded that the doping of F^- would reduce the band gap and F^- ions substituting for O^2- can effectively restrict the formation of [O2^3--Vpb-O2^3-] and weaken the 42Onm absorption band and hence enhance the scintillation property of PWO. 相似文献
20.
Structural and Electrical Characteristics of Pb(Zr0.53,Ti0.47)O3 Thin Films Deposited on Si (100) Substrates 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively. 相似文献