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941.
讨论n阶正对角元本原矩阵A的r级组合合成Cr(A),得到了它的本原指数的上界:r(Cr(A))≤n-r,r=1,2,…,n,解决了文[4]中的一个猜想.进而得出,设Mr={Cr(A)|A是n阶正对角元本原矩阵},Mr中所有合成阵的本原指数集填满{1,2,…,n-r}. 相似文献
942.
在TE10矩形波导中填充金属线阵和铁氧体合成了一种新型的左手媒质结构.分别使用了转移函数矩阵方法以及全波仿真工具Ansoft HFSS对所提出的结构进行了分析.结果表明,在横向磁化铁氧体等效磁导率实部为负的频段范围内,该合成结构呈现左手通带特性并伴随着后向波的传播现象.由于横向磁化铁氧体的等效磁导率为负的频段范围可调,故所提出的结构具有左手通带范围可调的特性.
关键词:
左手媒质
10矩形波导')" href="#">TE10矩形波导
金属线阵
铁氧体 相似文献
943.
针对二极管激光器叠阵的高效散热冷却开展了研究,设计了基于R134a制冷剂的相变冷却系统和以节流式微通道相变冷却方式工作的冷却器,完成了脉冲功率3 kW叠阵的封装,并分析了制冷剂在热沉进出口的温度对叠阵出光波长的影响。实验测试结果表明:在20%的高占空比下,电流197 A时叠阵的输出功率达到3 030 W,插座效率为39%,光谱宽度小于3.8 nm,冷却器内R134a的气化率约为50%。制冷剂R134a的流量为0.60 L/min,仅为水系统的1/5,大幅减小了冷却液流量和热管理系统的体积。 相似文献
944.
在"强光一号"加速器开展了Al丝阵Z箍缩产生K层辐射的实验研究,固定Al丝线径20 μm、丝阵直径12 mm,丝根数为8和12的负载获得K层产额分别为0.9 kJ/cm和1.1 kJ/cm,明显高于16和24根丝负载.辐射功率波形和时间分辨的X射线图像显示,低丝数负载存在拖尾质量引起的多次内爆现象.在60%-80%的内爆时间内,丝阵几乎停留在初始位置;主体内爆在随后的25-30 ns内完成,将部分等离子体留在初始位置,形成质量的拖尾分布;内爆后期驱动电流向外围的拖尾质量迁移,引发二次乃至三次内爆,后续内爆对K层辐射也有相当贡献.拖尾质量的出现与单丝等离子体上形成的轴向调制结构及不均匀性的发展有关. 相似文献
945.
在强光一号装置驱动电流峰值1.4~2.1 MA、上升时间80~100 ns条件下,研究了喷Kr气、喷Ne气、W丝阵和Al丝阵负载Z箍缩等离子体的辐射特性和聚爆过程。实验研究中,用分压器和两个罗戈夫斯基线圈分别测量二极管的电压和流过负载的电流波形,用过滤型X射线二极管和100~1 400 eV平能谱响应闪烁探测器测量X射线时间谱,用镍薄膜量热计测量X射线总能量,用纳秒时间分辨软X射线图像诊断系统记录了Z箍缩的聚爆过程,用时空分辨的椭圆弯晶谱仪诊断了Z箍缩等离子体产生的keV级特征X射线的能谱分布。其中,喷Kr气负载的X射线辐射总能量大于60 kJ,峰值功率约1.7 TW,总能量转换效率可达23%;W丝阵负载的辐射总能量大于30 kJ,峰值功率约1.30 TW,总能量转换效率约为12.5%;喷Ne气负载的keV级辐射总能量5.6 kJ,峰值功率约256 GW,能量转换效率可达2%; Al丝阵负载的keV级辐射总能量2.3 kJ,峰值功率约94 GW,能量转换效率可达0.8%。喷气负载在Z箍缩聚爆过程中存在“拉链”现象,丝阵负载在Z箍缩聚爆过程中存在先驱现象。 相似文献
946.
矩阵方程的通解及其结构 总被引:2,自引:0,他引:2
本导出了齐次矩阵方程的基础解阵形式通解,还得出了非齐次矩阵方程上有广义逆矩阵形式通解一个充分必要条件。 相似文献
947.
针对在大功率LED灯阵光控系统中,需采用专门的恒流源进行驱动控制造成的设计复杂且制造成本较高的缺点,提出了一种集中控制式LED光控系统。系统以PIC单片机为控制中心,通过PWM脉宽调制和检测模块实现对LED灯阵发光亮度、闪烁频率及通信链路的精确控制。阐述了系统的设计方案及组成原理,并描述了系统的软硬件设计及实现方法。系统方便实现对LED单灯的通断、亮度等控制,能显著降低LED光控系统产品设计、生产以及用户的使用成本。该光控系统设计具有光能利用率高、成本价格低廉、节能减排效果显著等优势,可以推广到其它大型LED照明系统智能化控制等领域。 相似文献
948.
简要给出关于Riordan阵与Riordan群两个重要概念的历史性注记,指出早两年相关文献所论广义Stirling数偶与相应互逆矩阵已包含有Riordan阵与互逆Riordan矩阵的概念.扼要介绍2014年发表的一种新扩充,以及需要进一步研究的若干相关问题. 相似文献
949.
950.