Nd~(3+):YAG激光的光纤传输

首先叙述了光纤传输Nd~(3+): YAG激光的优点,接着分析了不同光纤和其传输Nd~(3+): YAG激光的特点。然后通过对光纤传输系统各部分的分析与设计,结合实际,设计了光纤耦合机构。最后,对来自于工件反射光问题提出了解决方案。     

核介质中五夸克奇特重子态Θ+的有效质量

利用非线性s-w-r模型，在相对论平均场近似下，通过能量密度函数，给出了五夸克奇特重子态Q+有效质量随核密度的增加逐渐下降的依赖关系，并进行了数值计算.分析了不同参数对核物质中Q+有效质量的影响，并考虑了耦合系数中GQ/B的3个不同值，计算了不同耦合系数对Q+有效质量的影响.     

随机化交通灯的二维元胞自动机交通模型

元胞自动机交通模型以简单的规则反映交通系统中的多种因素，可以分析各种交通现象，且可在计算机上方便、高效地运作·Ｂｉｈａｍ－Ｍｉｄｄｌｅｔｏｎ－Ｌｅｖｉｎｅ模型（ＢＭＬ模型）实现了二维交通问题的元胞自动机模型的模拟研究·本文对ＢＭＬ模型作了改进，解除了该模型中关于交通灯同步变化的限制·在新模型中，每个路口的交通灯可以自由选定起始工作时间和变化节奏，于是可以更全面、准确地反映交通灯对交通系统性能的影响·本文还对新模型中出现的若干新效应作了解释·     

横向放大率法确定复合光学系统的基点

介绍了应用测量横向放大率确定两薄透镜组成的复合光学系统基点的方法。由于采用线阵光电耦合器件（CCD）测量物经光学系统成像的横向放大率，提高了测量精度。     

高功率弯波导TE01-TM11模式变换临界角分析

在模式耦合理论的基础上，采用传统的波导轴线圆弧弯曲的方法，对TE01－TM11模式变换器的临界角进行了全面的优化分析。得出在临界角情况下，若考虑多模因素，则不能使TE01－TM11的能量发生全转换，而真正的最优化能量全转换角在临界角的附近，且转换的效率与弯波导曲率相关。     

纳米晶软磁合金中的结构对技术磁性的影响——Ⅱ.磁弹耦合作用

对磁弹耦合在决定纳米晶软磁合金宏观磁性中的作用进行了探讨,高场磁化规律以及正电子湮没测量表明:对Fe_73.5Cu₁Nb₃Si_13.5B₉合金,准位错偶极子造成的应力场对畴壁的钉扎效应是造成纳米晶软磁合金矫顽力的重要原因;结构缺陷造成的应力场与磁致伸缩的耦合作用对纳米晶软磁性能有重要的影响.在结构各向异性和磁弹耦合能共同作用下可解释纳米晶合金表现出最佳软磁性能.     

有限核真空中的反核子能谱

通过建立能够自洽地描述核子和反核子束缚态的相对论Hartree模型来研究有限核中的量子真空,其中狄拉克海对介子场方程的贡献由单圈图考虑,模型中还引入了ω介子和ρ介子的张量耦合项.在拟合球形核的性质后得到模型的参数,给出核子有效质量为m*/MN≈0.78;计算得到的核子壳模型能级与实验值相一致,在考虑张量耦合项的效应后真空反核子位阱深度增大了20—30MeV.     

混合单调集值映射的耦合不动点定理

在赋范线性空间中引入单调弱闭集等概念，讨论了不具有任意连续性的混合单调集值映射耦合不动点的存在性问题，并且给出了耦合不动点的求解步骤以及它的构造形式。     

微波消解ICP-AES法同时测定花岗石中铜、镉、铬和砷

本文采用微波消解和ICP－AES法，同时测定花岗石样品的铅、镉、铬、砷4有害元素，检出限分别为0．0008、0．0007、0．0018、0．0012μg.mL^-1,回收率为93．4％－102．5％，RSD为1．3％－3．6％，该法准确、快速、简便，结果令人满意。     

Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy

Phase change memory （PCM） cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state （higher resistance state） to the crystalline state （lower resistance state）. The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low （only several μA）. An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad（Si）, which makes it attractive for space-based applications.