EAST超导托卡马克装置真空室壁处理的研究

壁处理技术被广泛应用于托卡马克装置上,以降低装置本底杂质水平,改善器壁的再循环.自2008年起,EAST面向等离子体的第一壁采用全碳材料,由于特殊的石墨晶体多孔结构,具有高放气率以及对H₂O,H₂等杂质气体的高吸附性,从而使等离子体放电前期的装置真空室壁处理尤为关键.本文介绍了EAST装置真空室壁处理的实验系统,并研究了装置烘烤与不同工作气体及工作参数下的直流辉光放电清洗对杂质粒子的清除效果.实验结果表明:EAST装置真空室在经过长时问的前期壁处理后,显著地降低了真空室内壁的出气率与本底杂质浓度,这对随后进行的等离子体放电实验非常有必要.     

氮气含量对硅基AlN薄膜结构及性能的影响

研究了直流磁控溅射法沉积AlN薄膜过程中氮气含量对AlN薄膜结构及性能的影响.实验结果表明:当真空腔的氩气含量较低时,薄膜呈非晶态,在红外波段的傅里叶变换光谱中没有明显的吸收峰,当氮气流量为75%时薄膜中出现明显的六方AlN(100)和AlN(110)衍射峰,在波数为670～700cm-1处有强烈的吸收峰;增加氮气含量,薄膜又呈现出非晶状态.薄膜的表面粗糙度和颗粒大小都随氮气含量的增加先增大后减小..     

变电站直流系统绝缘监察仿真装置的设计

针对电力系统实验不能在现场模拟操作而使学生能更好的了解电力系统的现象,研究设计了一种变电站直流系统绝缘监察仿真装置.该装置能模拟直流系统金属性和非金属性接地,利用警铃和光字牌的声、光效果来模拟直流接地时绝缘监察装置发出的音响信号和灯光信号,及早发现绝缘降低并处理.该装置能完成电气类学生的专业课实验,填补了本专业在直流接地方面教学中的空白,实现了学生能在课堂上操作模拟现场现象,将教学和现场实践有机结合,到达较好的教学效果.     

The effects of ^60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of enhancement-mode A1GaN/GaN high-electron-mobility transistors

The effects of ^60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of AlGaN/GaN enhancement-mode high-electron- mobility transistors （E-mode HEMTs） are investigated. The results show that having been irradiated by^60Co γ-rays at a dose of 3 Mrad （Si）, the E-mode HEMT reduces its saturation drain current and maximal transconductance by 6% and 5%, respectively, and significantly increases both forward and reverse gate currents, while its threshold voltage is affected only slightly. The obvious performance degradation of E-mode A1GaN/GaN HEMTs is consistent with the creation of electronegative surface state charges in the source-gate spacer and gate-drain spacer after being irradiated.     

HT-7U装置极向场电源变流系统的研制

介绍了HT-7U极向场电源中所使用的变流系统,提出了一种新的四象限运行控制方法,解决了极向场电源设计和制造的难点。实现了15kA的有环流运行。     

直流高压加速管轴向绝缘的优化设计

 为了降低500 mA直流高压加速管高梯度区的电位梯度，对加速管轴向绝缘结构进行优化设计。首先分析了沿面闪络的机理和该加速管轴向绝缘体结构。根据SEEA理论并通过数值模拟，发现阴极、真空和绝缘体三结合点处电场畸变是产生高场强的原因，并分别对4种绝缘体结构进行模拟分析，最终确定出比较理想的结构：绝缘体沿面与阴极电极夹角为+45°，绝缘体两端开槽并均匀嵌入金属电极环，绝缘体均匀嵌入阳极电极片内。     

超导磁悬浮微飞轮系统设计与测试

设计了一种基于超导磁悬浮轴承的微飞轮系统样机．该微飞轮系统以超导磁悬浮轴承作为支撑机构,以平面直流无刷电机作为驱动装置,在输入电压14．4V电流0．36A时,飞轮转子在空气中最高转速可达到15000rpm．通过对采用机械轴承的飞轮系统和超导磁悬浮飞轮系统的自由降速曲线测试,求出不同轴承的摩擦损耗,并得到超导磁悬浮飞轮系...     

强直流场介质表面次级电子倍增效应的数值模拟研究

通过粒子模拟方法,实现了强直流场下介质表面击穿过程中次级电子倍增效应的数值模拟.具体研究了强直流场场强、介质表面光滑度和次级电子产生率等对次级电子倍增的影响,以及倾斜直流场和外加磁场对次级电子倍增的抑制.结果表明,选择次级电子产生率较低的介质材料和倾斜强直流场可以有效降低次级电子倍增效应的强度,而外加磁场必须超过一定值时才可以有效降低次级电子倍增强度. 关键词： 次级电子倍增 强直流场 介质表面击穿 数值模拟     

CFQS装置准环对称测试用磁体电源系统设计

CFQS装置是中国西南交通大学(SWJTU)和日本国家核融合科学研究所(NIFS)联合设计制造的中国首台准环对称仿星器,为满足装置0.1 T稳态运行的实验要求,需要为其磁体线圈设计相应的电源系统。本设计方案考虑工程实际估算线路阻抗,考虑工程裕度、电源以负载参数的1.2倍进行计算,并建立电源系统的Simulink仿真模型,分析负载电流纹波大小及网侧谐波含量。根据仿真结果优化设计方案,通过在直流侧增加无源滤波器,减小输出电流纹波,分析直流侧电压代数形式,计算滤波器参数,并仿真调节得到更加符合实际需求的滤波器参数,满足装置准环对称位形的分布磁场精度对磁体线圈电流纹波的要求。     

气流量对磁控直流等离子体炬传热与流动特性的影响

以磁控直流等离子体炬为研究对象,根据磁流体动力学模型,利用二次开发的FLUENT软件对炬内多耦合场进行仿真,模拟和分析入口气流量对等离子体炬传热与流动的影响。结果表明,入口气流量越大,炬出口等离子体的温度越低,轴向速度越大,径向速度和旋转速度越小。