过电流状态下超导直流电缆温度分布与电流分布

针对处于过电流状态的单液氮流道超导直流电缆和双液氮流道超导直流电缆,在MATLAB中建立超导电缆在过电流状态下的YBCO层、金属层和铜骨架的并联电阻模型。同时在COMSOL中建立固体传热模型,通过程序调用实现COMSOL和MATLAB的联合仿真,计算出电流分布和温度分布。在COMSOL中建立流固共轭传热模型,利用联合仿真的数据计算两种结构的电缆在不同电流下的温度分布,并分析铜骨架半径和液氮流速对电缆温度分布的影响。     

数字多用表在物理电子教学中的应用

物理、电子教学中,很多实验和演示实验都要使用多用表,传统的指针式多用表精度低,灵敏度低,测量结果不准确,实验效果不明显．而数字多用表能将测量结果在显示屏或者电脑上显示出来,精度高,读数准确,易读,直观性强,同时功能强大,不但能测量交直流电压、电流、电阻、二极管、     

PN结电容与正向直流偏压的关系

半导体PN结具有电容的性质．在正向直流偏压下,理论计算表明,PN结扩散电容的对数与正向偏压成正比．实验发现,当正向偏压小于30mV时,这种线性关系是成立的;当正向偏压大于30mV时,会偏离这种线性关系．由于PN结还具有电阻特性,对交流信号的相位有影响．随着正向偏压增大,交流信号的相位变化出现一极值．如果将PN结等效为一个电容和一个电阻并联,就可以定性解释这种变化关系．     

Magnetic Behaviour of Sm2Co7/Fe/Sm2 Co7, Nanocomposite Trilayers with Cr and Ti Additions

Trilayered Sm2Co7/Fe/Sm2Co7 spring exchange magnets are fabricated by dc magnetron sputtering on MgO substrates. Very thin layers （0.3-0.7 nm） of Cr and Ti are added at the interfaces of the two magnetic phases. The thickness of StucCo7 is kept at 20nm and Fe at 6nm while the thickness of Cr and Ti are varied as 0.3, 0.5, and 0.7nm. The base pressure of sputtering chamber is kept below 10^-7 Torr and Ar pressure at 3-8m Torr. The samples are characterized by x-ray diffraction （XRD） and SQUID magnetometer. We report improvement in exchange coupling of nonacomposite magnets by addition of thin layers of Cr at interfaces.     

Crystal Structure and Magnetic Properties of Sm2 Fe17-Nδ Thin Films Deposited on Si （100） Substrates

This work focuses on the crystal structure and magnetic properties of the hard magnetic Sm2 Fe17 Nδ films prepared by dc magnetron sputtering and the subsequent nitriding process. The XRD, EDS, M-H and M-T data show that N enters the cell structure and the films with the single Th2Zn17 phase are obtained when the nitriding temperature varies from 300 to 400℃, thus the maximum value of the coercivity Hc reaches 2561.7Oe. However, the Sm2Fo17 phase decomposes to the StuN nonmagnetic phase and the α-Fe soft magnetic phase with further increasing nitriding temperature, which corresponds to the decreasing Hc. Furthermore, the easy magnetization direction （EMD） is found to locate randomly in the film plane. This texture can not give an excellent MR/Ms higher than the Stoner-Wohlfarth limitation （MR/Ms = 0.5）, which agrees well with the observed low MR/Ms （0.58）. It is suggested that the magnetization reversal process is dominated by the nucleation mechanism according to the initial magnetization curve and the dependence of Hc on the field H.     

反应磁控溅射制备AZO薄膜相结构的演化及机理研究

在室温下,利用直流反应磁控溅射技术在不同的氧气流量下沉积ZnO∶ Al (AZO)薄膜.采用XRD、SEM和TEM技术分析薄膜相成分、表面截面形貌及微观结构.结果表明:氧气流量为2.5 sccm时,沉积形成的薄膜为不透明具有金属导电性能的AZO/Zn( AZO)双层复合膜结构;氧气流量为3.5 sccm时,沉积形成了透明导电的AZO薄膜;氧气流量为5.0 sccm时,形成了透明不导电且含有纳米Al2O3颗粒的AZO薄膜;此外,AZO薄膜在400℃退火后,薄膜晶粒长大和(002)晶面方向择优生长更加明显以及高氧气流量沉积的AZO薄膜中的纳米Al2O3颗粒消失.     

低气压直流放电金属铜等离子体

在原子蒸气激光同位素分离技术中用直流电源实现原子化和激发电离过程,低气压下使用焊锡短路阴、阳极得到了金属铜等离子体稳定射流。在气压10^-3Pa、功率0.9kW下,测得稳定放电的伏安特性曲线和光谱强度图。通过计算得到电子密度在10⁹cm^-3左右、电子温度在0.69eV左右。     

ITER直流隔离开关短路试验研究

基于ITER极向场变流器系统,分析了直流隔离开关短路故障,提出ITER直流隔离开关短路试验要求。基于中国科学院等离子体物理研究所直流测试平台,为ITER直流隔离开关短路试验设计了先建立直流电压再闭合短路开关的后短路试验方案,包括选取变压器档位、计算试验电流所对应的直流电压等内容。通过仿真和试验验证了试验方案的可行性,试验结果证明了直流隔离开关对短路故障的抑制能力满足ITER极向场变流器运行要求。经分析计算,350 kA试验电流需要直流电压270 V。在试验中,预设直流电压270 V时,试验电流达不到350 kA,将预设直流电压提高到300 V后,试验电流峰值达到362.5 kA,且超过350 kA的部分达到100 ms。实际预设直流电压比理论计算值大30 V,这是电网电压的波动造成的。     

基于PSpice的半导体激光高频调制系统设计

为了实现高频率的调制激光输出,设计了一种驱动系统由信号放大、电流调制、过流保护和具有慢启动功能的直流偏置电路高度集成的半导体激光高频调制系统。此系统采用了结构简单的直接调制方式,运用线性调频的高频信号去控制半导体激光器发射激光的强度,从而实现高频调制。在运用OrCAD/PSpice对高频调制驱动系统进行模拟仿真的基础上,最终研制出的半导体激光高频调制系统实现了频率为40.02 MHz、直流偏置为493.326 mA、正弦波调制电流峰峰值为850 mA的高频调制输出,调制激光平均功率为300 mW。